Технічний опис FQP65N06 FSC
Description: ONSEMI - FQP65N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 65 A, 0.016 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 65A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції FQP65N06
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FQP65N06 Код товару: 57147 |
Виробник : Fairchild |
 Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-220 Uds,V: 60 V Idd,A: 46 A Rds(on), Ohm: 0,012 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1850/48 Монтаж: THT |
товар відсутній
|
|
 |
FQP65N06 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|
 |
FQP65N06 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQP65N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 65 A, 0.016 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 65A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
товар відсутній |
|
 |
FQP65N06 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 65A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 32.5A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
 |
FQP65N06 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET TO-220 N-CH 60V 65A |
товар відсутній |
|
 |
FQP65N06 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 46.1A; Idm: 260A; 150W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 46.1A Pulsed drain current: 260A Power dissipation: 150W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 16mΩ Mounting: THT Gate charge: 65nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |