Технічний опис FQPF10N60C
- MOSFET, N TO-220F
- Transistor Polarity:N
- Max Voltage Vds:600V
- On State Resistance:0.73ohm
- Power Dissipation:50W
- Transistor Case Style:TO-220F
- Case Style:TO-220F
- Cont Current Id:9.5A
- No. of Transistors:1
- Power Dissipation Pd:50W
- Pulse Current Idm:38A
- Transistor Type:MOSFET
Інші пропозиції FQPF10N60C
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FQPF10N60C | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 600V 9.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
|
 |
FQPF10N60C | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 600V 9.5A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 730mOhm @ 4.75A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
 |
FQPF10N60C | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 600V N-Ch Q-FET advance C-Series |
товар відсутній |