![FQP34N20 FQP34N20](https://www.mouser.com/images/onsemiconductor/lrg/TO2203-340AT_t.jpg)
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 253.68 грн |
10+ | 225.21 грн |
100+ | 157.5 грн |
500+ | 129.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQP34N20 onsemi / Fairchild
Description: MOSFET N-CH 200V 31A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 15.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 180W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FQP34N20
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
FQP34N20 Код товару: 100818 |
![]() |
товар відсутній
|
||
![]() |
FQP34N20 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
FQP34N20 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 20A; 180W; TO220-3 Mounting: THT Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Case: TO220-3 Drain-source voltage: 200V Drain current: 20A On-state resistance: 75mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 180W Polarisation: unipolar Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
![]() |
FQP34N20 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 15.5A, 10V Power Dissipation (Max): 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
![]() |
FQP34N20 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 20A; 180W; TO220-3 Mounting: THT Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Case: TO220-3 Drain-source voltage: 200V Drain current: 20A On-state resistance: 75mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 180W Polarisation: unipolar Kind of package: tube |
товар відсутній |