![FQP9P25 FQP9P25](https://media.digikey.com/Renders/Fairchild%20Semi%20Renders/261_TO-220-3.jpg)
FQP9P25 onsemi
![fqp9p25-d.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET P-CH 250V 9.4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V
на замовлення 1256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 153.79 грн |
10+ | 132.92 грн |
100+ | 106.84 грн |
500+ | 82.38 грн |
1000+ | 68.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQP9P25 onsemi
Description: ONSEMI - FQP9P25 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 9.4 A, 0.48 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 9.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 120W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 120W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: QFET, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.48ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2022).
Інші пропозиції FQP9P25 за ціною від 130.56 грн до 160.27 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FQP9P25 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 9.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 120W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 120W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: QFET productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.48ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
на замовлення 54 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
FQP9P25 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||
![]() |
FQP9P25 Код товару: 77221 |
![]() |
товар відсутній
|
||||||||
![]() |
FQP9P25 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||
![]() |
FQP9P25 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
товар відсутній |