![FQP3N60C FQP3N60C](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4848/261_TO-220-3.jpg)
FQP3N60C onsemi
![fqp3n60c-d.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 600V 3A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565 pF @ 25 V
на замовлення 9802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 99.6 грн |
50+ | 77.52 грн |
100+ | 61.43 грн |
500+ | 48.86 грн |
1000+ | 39.8 грн |
2000+ | 37.47 грн |
5000+ | 35.1 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQP3N60C onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 3A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 75W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FQP3N60C
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
FQP3N60C | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
![]() |
FQP3N60C | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
FQP3N60C | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.8A; Idm: 12A; 75W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 1.8A Pulsed drain current: 12A Power dissipation: 75W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.4Ω Mounting: THT Gate charge: 14nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
![]() |
FQP3N60C | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
FQP3N60C | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.8A; Idm: 12A; 75W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 1.8A Pulsed drain current: 12A Power dissipation: 75W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.4Ω Mounting: THT Gate charge: 14nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |