![FQP45N15V2 FQP45N15V2](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4848/261_TO-220-3.jpg)
FQP45N15V2 onsemi
![fqpf45n15v2-d.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 150V 45A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030 pF @ 25 V
на замовлення 329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 170.38 грн |
50+ | 132.14 грн |
100+ | 108.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQP45N15V2 onsemi
Description: ONSEMI - FQP45N15V2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 45 A, 0.034 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 45A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 220W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції FQP45N15V2 за ціною від 71.09 грн до 202.48 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FQP45N15V2 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 20954 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FQP45N15V2 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 45A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 220W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 647 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
FQP45N15V2 Код товару: 147581 |
![]() |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
![]() |
FQP45N15V2 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
FQP45N15V2 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
FQP45N15V2 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 31A; 220W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 31A Power dissipation: 220W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 40mΩ Mounting: THT Gate charge: 94nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
FQP45N15V2 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 31A; 220W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 31A Power dissipation: 220W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 40mΩ Mounting: THT Gate charge: 94nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |