FQP20N06

FQP20N06 ON Semiconductor


fqp20n06-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+66.89 грн
10+ 63.46 грн
Мінімальне замовлення: 9
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQP20N06 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FQP20N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.048 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 53W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2022).

Інші пропозиції FQP20N06 за ціною від 41.7 грн до 95.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FQP20N06 FQP20N06 Виробник : ON Semiconductor fqp20n06-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
170+70.91 грн
190+ 63.48 грн
205+ 59.02 грн
219+ 53.3 грн
1000+ 46.78 грн
Мінімальне замовлення: 170
FQP20N06 FQP20N06 Виробник : ON Semiconductor fqp20n06-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+74.41 грн
10+ 65.84 грн
25+ 58.94 грн
50+ 52.85 грн
100+ 45.82 грн
1000+ 41.7 грн
Мінімальне замовлення: 9
FQP20N06 FQP20N06 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003585028-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQP20N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.048 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+95.15 грн
11+ 77.21 грн
100+ 62.94 грн
500+ 48.38 грн
Мінімальне замовлення: 9
FQP20N06 fqp20n06-d.pdf
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQP20N06 FQP20N06 Виробник : ON Semiconductor fqp20n06jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FQP20N06 FQP20N06 Виробник : onsemi fqp20n06-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 20A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 25 V
товар відсутній
FQP20N06 FQP20N06 Виробник : onsemi / Fairchild FQP20N06_D-2313939.pdf MOSFETs 60V N-Channel QFET
товар відсутній