![FQP20N06 FQP20N06](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/fee66d5bbefbe47bcf90d79e914b9a646481854f/cs-5203a.jpg)
FQP20N06 ON Semiconductor
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 66.89 грн |
10+ | 63.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQP20N06 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FQP20N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.048 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 53W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2022).
Інші пропозиції FQP20N06 за ціною від 41.7 грн до 95.15 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FQP20N06 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 4077 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FQP20N06 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 4077 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FQP20N06 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 53W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
на замовлення 690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
FQP20N06 |
![]() |
на замовлення 1080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
FQP20N06 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
FQP20N06 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 53W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
FQP20N06 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
товар відсутній |