![FQP47P06 FQP47P06](https://www.mouser.com/images/onsemiconductor/lrg/TO2203-340AT_t.jpg)
на замовлення 30943 шт:
термін постачання 210-219 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 247.17 грн |
10+ | 242.04 грн |
50+ | 169.35 грн |
100+ | 148.44 грн |
250+ | 147.75 грн |
500+ | 133.81 грн |
1000+ | 117.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQP47P06 onsemi / Fairchild
Description: MOSFET P-CH 60V 47A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 23.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 160W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FQP47P06
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
FQP47P06 Код товару: 166999 |
![]() |
товар відсутній
|
|||
![]() |
FQP47P06 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
FQP47P06 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
FQP47P06 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -33.2A; 160W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -33.2A Power dissipation: 160W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 26mΩ Mounting: THT Gate charge: 110nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
![]() |
FQP47P06 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 23.5A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
![]() |
FQP47P06 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -33.2A; 160W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -33.2A Power dissipation: 160W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 26mΩ Mounting: THT Gate charge: 110nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |