![FQP14N30 FQP14N30](https://www.mouser.com/images/mouserelectronics/lrg/TO_220_3_t.jpg)
FQP14N30 ON Semiconductor / Fairchild
на замовлення 1140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQP14N30 ON Semiconductor / Fairchild
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 9.1A; Idm: 57.6A; 147W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 300V, Drain current: 9.1A, Pulsed drain current: 57.6A, Power dissipation: 147W, Case: TO220AB, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 290mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 40nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції FQP14N30
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
FQP14N30 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
FQP14N30 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 9.1A; Idm: 57.6A; 147W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Drain current: 9.1A Pulsed drain current: 57.6A Power dissipation: 147W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 290mΩ Mounting: THT Gate charge: 40nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
![]() |
FQP14N30 | Виробник : onsemi |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
FQP14N30 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 9.1A; Idm: 57.6A; 147W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Drain current: 9.1A Pulsed drain current: 57.6A Power dissipation: 147W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 290mΩ Mounting: THT Gate charge: 40nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |