![FQP17P06 FQP17P06](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4848/261_TO-220-3.jpg)
FQP17P06 onsemi
![fqp17p06-d.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET P-CH 60V 17A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 131.93 грн |
50+ | 102.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQP17P06 onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 17A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 79W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FQP17P06 за ціною від 58.05 грн до 140.66 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FQP17P06 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 25982 шт: термін постачання 196-205 дні (днів) |
|
||||||||||||||
FQP17P06 Код товару: 126278 |
![]() |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
![]() |
FQP17P06 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
FQP17P06 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
FQP17P06 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -12A; 79W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -12A Power dissipation: 79W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: THT Gate charge: 27nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
FQP17P06 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -12A; 79W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -12A Power dissipation: 79W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: THT Gate charge: 27nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |