Продукція > MJD

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
MJD-104-3960DIP-100KNTCA/N
на замовлення 19000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD1029
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD1029T4
на замовлення 1941 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD1034T4
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD10N05E
на замовлення 2090 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD11
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD1117
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD112ONTO-252
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD112onsemiDarlington Transistors 2A 100V Bipolar
товару немає в наявності
MJD112LGETransistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1W; TO252 MJD112-LGE MJD112 TMJD112 LGE
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+7.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
MJD112FAIRCHILDTO-252
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD112STTO-252
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD112FAIRCHILD07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD112 TO252 SMDLUGUANG ELECTRONICCategory: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1W; TO252
Kind of transistor: Darlington
Mounting: SMD
Case: TO252
Frequency: 25MHz
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 200...12000
Collector current: 2A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 1W
Polarisation: bipolar
товару немає в наявності
MJD112 TO252 SMD
Код товару: 202522		Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
MJD112 TO252 SMDLUGUANG ELECTRONICCategory: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1W; TO252
Kind of transistor: Darlington
Mounting: SMD
Case: TO252
Frequency: 25MHz
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 200...12000
Collector current: 2A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 1W
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 5 шт
товару немає в наявності
MJD112-001
на замовлення 6325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD112-001onsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
MJD112-1GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
MJD112-1GON Semiconductor
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD112-1GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 2065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
347+35.18 грн
525+ 34.88 грн
1050+ 33.68 грн
Мінімальне замовлення: 347
MJD112-1GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 24750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+29.89 грн
Мінімальне замовлення: 75
MJD112-1GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.93 грн
75+ 56.46 грн
150+ 44.75 грн
525+ 35.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
MJD112-1GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD112-1G - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 12000hFE
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MJD112-1GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 2065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+44.82 грн
75+ 32.66 грн
525+ 31.23 грн
1050+ 27.93 грн
Мінімальне замовлення: 14
MJD112-1GONSEMIMJD112-1G NPN THT Darlington transistors
на замовлення 136 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+78.34 грн
21+ 50.74 грн
57+ 47.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
MJD112-1GonsemiDarlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+70.05 грн
10+ 55.99 грн
75+ 35.06 грн
525+ 33.78 грн
1050+ 27.61 грн
2475+ 27.04 грн
4950+ 26.47 грн
Мінімальне замовлення: 5
MJD112-TPMicro Commercial CoDescription: TRANS NPN 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
MJD112-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT TRANS NPN 100V 2A DPAK
на замовлення 507 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
MJD112-TPMicro Commercial CoDescription: TRANS NPN 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
MJD112-TPMicro Commercial ComponentsTrans Darlington NPN 100V 2A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD112-TPMicro Commercial ComponentsTrans Darlington NPN 100V 2A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD112-TR
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD112/117
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD112GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
MJD112GONSEMIMJD112G NPN SMD Darlington transistors
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+68.6 грн
46+ 22.98 грн
125+ 21.74 грн
Мінімальне замовлення: 5
MJD112GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD112G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+53.58 грн
34+ 24.04 грн
100+ 22.45 грн
500+ 19.37 грн
1000+ 14.88 грн
Мінімальне замовлення: 15
MJD112GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 1593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
256+47.66 грн
502+ 24.29 грн
644+ 18.91 грн
1050+ 18.06 грн
Мінімальне замовлення: 256
MJD112GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 2165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.3 грн
75+ 35.88 грн
150+ 26.04 грн
525+ 20.42 грн
1050+ 17.38 грн
2025+ 15.48 грн
Мінімальне замовлення: 7
MJD112GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 1593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+44.25 грн
75+ 22.55 грн
525+ 16.94 грн
1050+ 15.53 грн
Мінімальне замовлення: 14
MJD112Gтранзистор npn DPAK
на замовлення 2430 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
8+36.43 грн
Мінімальне замовлення: 8
MJD112GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+16.31 грн
Мінімальне замовлення: 75
MJD112GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
317+38.49 грн
Мінімальне замовлення: 317
MJD112GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+26.3 грн
Мінімальне замовлення: 75
MJD112GonsemiDarlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN
на замовлення 11557 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+48.52 грн
10+ 46.03 грн
75+ 21.29 грн
525+ 18.52 грн
1050+ 15.54 грн
2475+ 15.47 грн
9900+ 14.48 грн
Мінімальне замовлення: 7
MJD112RL
на замовлення 7900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD112RLonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
MJD112RL (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 20829		Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
MJD112RLGON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD112RLG
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD112RLGON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD112RLGonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+31.74 грн
3600+ 28.77 грн
Мінімальне замовлення: 1800
MJD112RLGonsemiDarlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN
на замовлення 14438 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+77.75 грн
10+ 62.52 грн
100+ 38.89 грн
500+ 31.37 грн
1800+ 26.54 грн
3600+ 26.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
MJD112RLGON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD112RLGonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 3920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.17 грн
10+ 56.85 грн
100+ 44.26 грн
500+ 35.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
MJD112T4STMicroelectronicsDarlington Transistors NPN Power Darlington
на замовлення 8332 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+50.09 грн
10+ 38.77 грн
100+ 23.14 грн
500+ 18.38 грн
1000+ 16.75 грн
2500+ 14.9 грн
5000+ 13.56 грн
Мінімальне замовлення: 7
MJD112T4STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD112T4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 8657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.46 грн
10+ 34.45 грн
100+ 23.84 грн
500+ 18.7 грн
1000+ 15.91 грн
Мінімальне замовлення: 8
MJD112T4STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MJD112T4STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD112T4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.68 грн
5000+ 14.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MJD112T4STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+11.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MJD112T4STMicroelectronicsCategory: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 25MHz
на замовлення 1979 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+38.22 грн
12+ 31.05 грн
55+ 15.75 грн
151+ 14.86 грн
Мінімальне замовлення: 11
MJD112T4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - MJD112T4 - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2087 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+51.03 грн
19+ 42.75 грн
100+ 26.75 грн
500+ 20.7 грн
1000+ 14.47 грн
Мінімальне замовлення: 16
MJD112T4onsemiDarlington Transistors 2A 100V Bipolar
товару немає в наявності
MJD112T4STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+11.81 грн
5000+ 11.38 грн
10000+ 11.26 грн
12500+ 10.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MJD112T4STMicroelectronicsCategory: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 25MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1979 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+45.86 грн
10+ 38.69 грн
55+ 18.9 грн
151+ 17.83 грн
2500+ 17.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
MJD112T4 (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 26922		Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
MJD112T4GON09+
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD112T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
664+18.35 грн
Мінімальне замовлення: 664
MJD112T4GSTTO-252
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD112T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MJD112T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD112T4G - Darlington-Transistor, NPN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 8530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+55.97 грн
18+ 45.86 грн
100+ 28.98 грн
500+ 22.47 грн
Мінімальне замовлення: 15
MJD112T4GonsemiDarlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN
на замовлення 19654 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.14 грн
10+ 35.1 грн
100+ 25.55 грн
500+ 23.21 грн
1000+ 20.79 грн
2500+ 19.23 грн
5000+ 15.9 грн
Мінімальне замовлення: 8
MJD112T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MJD112T4GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
товару немає в наявності
MJD112T4GON
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD112T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+40.92 грн
18+ 34.83 грн
25+ 34.49 грн
100+ 27.28 грн
250+ 25.01 грн
500+ 20.52 грн
1000+ 14.61 грн
Мінімальне замовлення: 15
MJD112T4GONTO-252
на замовлення 31000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD112T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MJD112T4GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
товару немає в наявності
MJD112T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD112T4G - Darlington-Transistor, NPN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 8530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+28.98 грн
500+ 22.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
MJD112T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD112T4G*************
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD112TFonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
MJD112TFON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD112TFON Semiconductor / FairchildDarlington Transistors NPN Si Transistor Darlington
товару немає в наявності
MJD112TFON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MJD112TFonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
MJD117onsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
MJD117MJD117 Микросхемы
на замовлення 99 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
MJD117onsemiDarlington Transistors 2A 100V Bipolar
товару немає в наявності
MJD117
Код товару: 99164		ONТранзистори > Біполярні PNP
Корпус: D-Pak
fT: 25 MHz
Uке, В: 100 V
Uкб, В: 100 V
Iк, А: 2 А
товару немає в наявності
1+20 грн
10+ 5.4 грн
MJD117-001onsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
MJD117-1GON
на замовлення 25500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD117-1GonsemiDarlington Transistors 2A 100V Bipolar Power PNP
на замовлення 666 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+70.38 грн
10+ 61.13 грн
75+ 41.52 грн
525+ 32.22 грн
1050+ 23.35 грн
2400+ 22.71 грн
4800+ 21.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
MJD117-1GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) DPAK-3 Tube
товару немає в наявності
MJD117-1GON Semiconductor
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD117-1GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
MJD117-1GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) DPAK-3 Tube
товару немає в наявності
MJD117-1GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD117-1G - Darlington-Transistor, PNP, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 153995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+17.83 грн
Мінімальне замовлення: 250
MJD117-1GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) DPAK-3 Tube
товару немає в наявності
MJD117-1GON09+ TQFP
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD117-1GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: IPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 154661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1113+19.14 грн
Мінімальне замовлення: 1113
MJD117-HFComchip TechnologyDescription: TRANS PNP GEN PURP 100V 2A TO-25
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2mA, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: TO-252-2
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
MJD117-HFComchip TechnologyBipolar Transistors - BJT TRANS PNP GEN PURP 100V 2A
товару немає в наявності
MJD117-TPMicro Commercial CoDescription: TRANS PNP 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
MJD117-TR
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD117GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 2309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+24.84 грн
Мінімальне замовлення: 14
MJD117GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD117G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 4 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+72.21 грн
20+ 40.29 грн
100+ 37.26 грн
500+ 31.72 грн
1000+ 21.36 грн
Мінімальне замовлення: 12
MJD117G
Код товару: 79758		ONТранзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-252
Uке, В: 100 V
Uкб, В: 100 V
Iк, А: 2 A
товару немає в наявності
1+20 грн
10+ 11.6 грн
MJD117GonsemiDarlington Transistors 2A 100V Bipolar Power PNP
на замовлення 1464 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+65.49 грн
10+ 58.85 грн
75+ 30.3 грн
525+ 27.61 грн
1050+ 25.27 грн
4800+ 21.93 грн
Мінімальне замовлення: 6
MJD117GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 2534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+51.44 грн
13+ 49.53 грн
75+ 36.24 грн
525+ 31.08 грн
1050+ 23.12 грн
2400+ 22.17 грн
Мінімальне замовлення: 12
MJD117GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 31924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.5 грн
10+ 58.85 грн
100+ 39.03 грн
500+ 28.63 грн
1000+ 26.05 грн
2000+ 23.88 грн
5000+ 21.18 грн
10000+ 19.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
MJD117GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
MJD117GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 2533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+53.51 грн
312+ 39.13 грн
525+ 34.79 грн
1050+ 26.97 грн
2400+ 24.92 грн
Мінімальне замовлення: 228
MJD117RLGonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
MJD117RLG
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD117RLGON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD117T4STMicroelectronicsTrans Darlington PNP 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD117T4onsemiDescription: TRANS DARL PNP 2A 100V DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 8mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
товару немає в наявності
MJD117T4STMicroelectronicsTrans Darlington PNP 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MJD117T4STMicroelectronicsTrans Darlington PNP 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.51 грн
5000+ 13.38 грн
10000+ 13.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MJD117T4STMicroelectronicsCategory: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 200...12000
Mounting: SMD
Frequency: 25MHz
товару немає в наявності
MJD117T4onsemiDarlington Transistors 2A 100V Bipolar
товару немає в наявності
MJD117T4STMicroelectronicsTrans Darlington PNP 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.99 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MJD117T4STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 5469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.37 грн
10+ 40.51 грн
100+ 28.06 грн
500+ 22 грн
1000+ 18.72 грн
Мінімальне замовлення: 7
MJD117T4STMicroelectronicsTrans Darlington PNP 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.05 грн
5000+ 14.5 грн
10000+ 14.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MJD117T4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - MJD117T4 - Bipolartransistor (BJT), Darlington, PNP, -100V, 20W, -2A, 200hFE
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+58.68 грн
16+ 49.84 грн
100+ 31.37 грн
500+ 24.32 грн
1000+ 16.99 грн
Мінімальне замовлення: 14
MJD117T4STMicroelectronicsDarlington Transistors PNP Power Darlington
на замовлення 5262 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+53.16 грн
10+ 46.28 грн
100+ 27.82 грн
500+ 23.21 грн
1000+ 19.8 грн
2500+ 17.6 грн
5000+ 16.61 грн
Мінімальне замовлення: 7
MJD117T4STMicroelectronicsTrans Darlington PNP 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MJD117T4STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.45 грн
5000+ 16.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MJD117T4STMicroelectronicsCategory: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 200...12000
Mounting: SMD
Frequency: 25MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
MJD117T4 PBF
Код товару: 21024		ONТранзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-252
Uке, В: 100 V
Uкб, В: 100 V
Iк, А: 2 A
Примітка: Дарлінгтон
товару немає в наявності
MJD117T4GonsemiDarlington Transistors 2A 100V Bipolar Power PNP
на замовлення 18946 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+44.63 грн
10+ 39.58 грн
100+ 28.03 грн
500+ 25.69 грн
1000+ 22.85 грн
2500+ 19.38 грн
5000+ 18.52 грн
Мінімальне замовлення: 8
MJD117T4GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD117T4GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.25 грн
5000+ 19.38 грн
12500+ 17.95 грн
25000+ 16.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MJD117T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD117T4G - Darlington-Transistor, PNP, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+57.16 грн
50+ 46.73 грн
100+ 36.22 грн
500+ 28.09 грн
1000+ 22.04 грн
Мінімальне замовлення: 14
MJD117T4GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD117T4GMJD117T4G Диоды
на замовлення 1036 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
MJD117T4GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MJD117T4GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 47122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.04 грн
10+ 46.65 грн
100+ 32.31 грн
500+ 25.33 грн
1000+ 21.56 грн
Мінімальне замовлення: 6
MJD117T4GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD117T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD117T4G - Darlington-Transistor, PNP, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.75W
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+36.22 грн
500+ 28.09 грн
1000+ 22.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
MJD117T4G*********
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD117TFON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+43.2 грн
17+ 36.05 грн
25+ 35.72 грн
50+ 34.13 грн
100+ 20.98 грн
250+ 19.95 грн
Мінімальне замовлення: 14
MJD117TFON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD117TFonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
MJD117TFONSEMIDescription: ONSEMI - MJD117TF - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 24317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+24.6 грн
Мінімальне замовлення: 2000
MJD117TFON Semiconductor / FairchildDarlington Transistors PNP Silicon Darl
на замовлення 18518 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
MJD117TF
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD117TFonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
MJD117TF-FSFairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: D-Pak
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
MJD122onsemiDarlington Transistors 8A 100V Bipolar
товару немає в наявності
MJD122EVVODescription: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: TO-252-2L
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 2410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.62 грн
13+ 24.47 грн
100+ 16.63 грн
500+ 12.22 грн
1000+ 11.11 грн
Мінімальне замовлення: 9
MJD122YFWdarl.NPN 5A 100V 20W MJD122 TO252 LGE TMJD122 lge
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1197 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+7.5 грн
Мінімальне замовлення: 100
MJD122EVVODescription: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: TO-252-2L
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
MJD122 (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 23955		Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
MJD122 TO252 SMDLUGUANG ELECTRONICCategory: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.5W; TO252
Kind of transistor: Darlington
Mounting: SMD
Case: TO252
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 100...12000
Collector current: 8A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: bipolar
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
30+15.29 грн
40+ 10.42 грн
100+ 8.65 грн
275+ 8.21 грн
2500+ 7.84 грн
Мінімальне замовлення: 30
MJD122 TO252 SMD
Код товару: 181912		Мікросхеми > Інші мікросхеми
товару немає в наявності
MJD122 TO252 SMDLUGUANG ELECTRONICCategory: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.5W; TO252
Kind of transistor: Darlington
Mounting: SMD
Case: TO252
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 100...12000
Collector current: 8A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
20+18.34 грн
25+ 12.99 грн
100+ 10.38 грн
275+ 9.85 грн
2500+ 9.4 грн
Мінімальне замовлення: 20
MJD122-1STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 2303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
183+66.77 грн
290+ 42.03 грн
314+ 38.79 грн
1050+ 30.65 грн
Мінімальне замовлення: 183
MJD122-1STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
MJD122-1STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - MJD122-1 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 8 A, 20 W
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE
Transistormontage: Durchsteckmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 20W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 8A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+80.41 грн
21+ 39.33 грн
100+ 37.58 грн
500+ 33.19 грн
1000+ 25.04 грн
Мінімальне замовлення: 10
MJD122-1STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
MJD122-1
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD122-1STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
MJD122-1STMicroelectronicsDarlington Transistors NPN PWR Darlington Int Anti Collector
на замовлення 4912 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+68.56 грн
10+ 60.15 грн
75+ 33.43 грн
525+ 30.8 грн
1050+ 25.98 грн
2550+ 25.62 грн
5025+ 24.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
MJD122-1STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 2303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+58.69 грн
75+ 38.37 грн
150+ 37.61 грн
525+ 33.73 грн
1050+ 25.4 грн
2025+ 24.15 грн
Мінімальне замовлення: 11
MJD122-1STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN DARL 100V 8A TO251
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 2774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.91 грн
75+ 39.16 грн
150+ 35.42 грн
525+ 28.16 грн
1050+ 25.93 грн
2025+ 24.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
MJD122-1GON Semiconductor8.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor
товару немає в наявності
MJD122-1GonsemiDarlington Transistors BIP IPAK NPN 8A 100V
товару немає в наявності
MJD122-1GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
MJD122-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT TRANS NPN 100V 8A DPAK
на замовлення 10206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+63.18 грн
10+ 54.77 грн
100+ 32.93 грн
500+ 27.54 грн
1000+ 23.42 грн
2500+ 20.87 грн
5000+ 19.73 грн
Мінімальне замовлення: 6
MJD122-TPMicro Commercial CoDescription: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 35310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.79 грн
10+ 43.47 грн
100+ 30.04 грн
500+ 22.51 грн
1000+ 20.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
MJD122-TPMicro Commercial ComponentsTrans Darlington NPN 100V 8A 1500mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MJD122-TPMicro Commercial ComponentsTrans Darlington NPN 100V 8A 1500mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD122-TPMicro Commercial CoDescription: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.57 грн
5000+ 18.45 грн
7500+ 18.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MJD122-TPMicro Commercial ComponentsTrans Darlington NPN 100V 8A 1500mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD122-TP-HF-B002Micro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
MJD122-TR
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD122/127
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD122GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 1295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
184+66.29 грн
Мінімальне замовлення: 184
MJD122GonsemiDarlington Transistors 8A 100V Bipolar Power NPN
на замовлення 16012 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+63.92 грн
10+ 62.36 грн
75+ 35.34 грн
525+ 30.94 грн
1050+ 27.82 грн
5400+ 26.97 грн
Мінімальне замовлення: 6
MJD122GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 3185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.29 грн
75+ 41.66 грн
150+ 37.71 грн
525+ 30.03 грн
1050+ 27.68 грн
2025+ 25.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
MJD122GOn SemiconductorNPN Darl. DPAK
на замовлення 500 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
MJD122GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 4887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+51.47 грн
75+ 36.44 грн
525+ 32.27 грн
1050+ 26.44 грн
Мінімальне замовлення: 12
MJD122GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 5222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.47 грн
Мінімальне замовлення: 11
MJD122GONSEMICategory: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.75W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 1.75W
Case: DPAK
Current gain: 300
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 4MHz
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+61.3 грн
8+ 51.16 грн
22+ 39.26 грн
61+ 37.11 грн
Мінімальне замовлення: 7
MJD122G
Код товару: 165785		Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
MJD122GON-Semicoductordarl.NPN 5A 100V 20W MJD122G, MJD122T4G, MJD122T4, MJD122TF, MJE122-TP MJD122T4 smd TMJD122t4
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 99 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+37.15 грн
Мінімальне замовлення: 25
MJD122GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 4886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
220+55.5 грн
310+ 39.27 грн
525+ 36.06 грн
1050+ 30.75 грн
Мінімальне замовлення: 220
MJD122GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD122G - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 1.75 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 12hFE
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.75W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+78.82 грн
18+ 45.22 грн
Мінімальне замовлення: 11
MJD122GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 3150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+50.08 грн
Мінімальне замовлення: 244
MJD122GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 1295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+61.55 грн
11+ 58.91 грн
75+ 38.39 грн
525+ 33.5 грн
1050+ 26.86 грн
Мінімальне замовлення: 10
MJD122GONSEMICategory: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.75W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 1.75W
Case: DPAK
Current gain: 300
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 4MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 107 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+73.56 грн
5+ 63.75 грн
22+ 47.11 грн
61+ 44.53 грн
750+ 43.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
MJD122GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 3750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
249+48.94 грн
300+ 40.72 грн
1050+ 39.61 грн
2550+ 37.63 грн
Мінімальне замовлення: 249
MJD122GT4GON SemiconductorBIP
товару немає в наявності
MJD122RLG
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD122RLGON Semiconductor8.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor
товару немає в наявності
MJD122RLGON Semiconductor8.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor
товару немає в наявності
MJD122RLGonsemiDarlington Transistors BIP DPAK NPN 8A 100V
на замовлення 1695 шт:
термін постачання 684-693 дні (днів)
6+57.13 грн
10+ 49.54 грн
100+ 33 грн
500+ 26.12 грн
Мінімальне замовлення: 6
MJD122RLGonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
MJD122T4STMicroelectronicsCategory: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 100...1000
Mounting: SMD
на замовлення 893 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+53.34 грн
10+ 42.66 грн
56+ 15.52 грн
153+ 14.64 грн
Мінімальне замовлення: 8
MJD122T4STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 130000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.99 грн
5000+ 17.53 грн
7500+ 17.13 грн
10000+ 16.36 грн
12500+ 15 грн
17500+ 13.79 грн
25000+ 13.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MJD122T4STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD122T4STMicroelectronicsCategory: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 100...1000
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 893 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+64.01 грн
10+ 53.16 грн
56+ 18.63 грн
153+ 17.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
MJD122T4STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 130000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MJD122T4STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD122T4STMicroelectronicsDarlington Transistors NPN Power Darlington
на замовлення 13109 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+87.77 грн
10+ 57.62 грн
100+ 33 грн
500+ 26.05 грн
1000+ 23.35 грн
2500+ 20.58 грн
5000+ 18.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
MJD122T4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.44 грн
5000+ 18.32 грн
7500+ 17.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MJD122T4STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD122T4STMicroelectronics NVNPN Darl. DPAK TO-252-3
на замовлення 308 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
MJD122T4STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MJD122T4STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD122T4STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.46 грн
5000+ 22.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MJD122T4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 13559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.79 грн
10+ 43.32 грн
100+ 29.9 грн
500+ 22.38 грн
1000+ 20.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
MJD122T4 (MJD122T4G) (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 30180		ONТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: D-Pak
Uceo,V: 100 V
Ucbo,V: 100 V
Ic,A: 8 A
h21: 5000
Примітка: Дарлінгтон
товару немає в наявності
1+20 грн
MJD122T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.93 грн
5000+ 25.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MJD122T4GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 2066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.7 грн
10+ 47.76 грн
100+ 33.16 грн
500+ 24.92 грн
1000+ 22.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
MJD122T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD122T4G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 8A
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 22484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+63.69 грн
50+ 52.86 грн
100+ 42.04 грн
500+ 31.05 грн
1000+ 24.29 грн
Мінімальне замовлення: 13
MJD122T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD122T4GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
MJD122T4GONSEMICategory: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.75W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 1.75W
Case: DPAK
Current gain: 300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 4MHz
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+60.51 грн
10+ 46.87 грн
30+ 28.98 грн
82+ 27.35 грн
1000+ 26.24 грн
Мінімальне замовлення: 7
MJD122T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.9 грн
5000+ 31.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MJD122T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD122T4G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 8A
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 22484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+42.04 грн
500+ 31.05 грн
1000+ 24.29 грн
Мінімальне замовлення: 100
MJD122T4GONSEMICategory: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.75W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 1.75W
Case: DPAK
Current gain: 300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 4MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+72.61 грн
10+ 58.41 грн
30+ 34.78 грн
82+ 32.82 грн
1000+ 31.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
MJD122T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.86 грн
5000+ 23.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MJD122T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MJD122T4GonsemiDarlington Transistors 8A 100V Bipolar Power NPN
на замовлення 12068 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+83.63 грн
10+ 58.93 грн
100+ 37.33 грн
500+ 29.38 грн
1000+ 26.54 грн
2500+ 23.63 грн
10000+ 23.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
MJD122T4G*************
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD122TF
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD122TFonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
MJD122TFON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD122TFON SemiconductorDarlington Transistors NPN Sil Darl Trans
на замовлення 6389 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
MJD122TF
Код товару: 101877		Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
MJD122TFonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
MJD127onsemiDarlington Transistors 8A 100V Bipolar
товару немає в наявності
MJD127EVVODescription: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: TO-252-2L
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 1067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.62 грн
13+ 24.47 грн
100+ 16.63 грн
500+ 12.22 грн
1000+ 11.11 грн
Мінімальне замовлення: 9
MJD127YFWPNP 8A 100V 20W MJD127G MJD127TF MJD127T4G MJD127T4 MJD127-TP MJD127-LGE MJD127 TMJD127
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1160 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+7.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
MJD127EVVODescription: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: TO-252-2L
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
MJD127 TO252 SMDLUGUANG ELECTRONICCategory: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.5W; TO252
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: Darlington
Mounting: SMD
Case: TO252
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 100...12000
Collector current: 8A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: bipolar
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
25+16.08 грн
40+ 10.42 грн
100+ 8.72 грн
Мінімальне замовлення: 25
MJD127 TO252 SMDLUGUANG ELECTRONICCategory: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.5W; TO252
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: Darlington
Mounting: SMD
Case: TO252
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 100...12000
Collector current: 8A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 230 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
15+19.3 грн
25+ 12.99 грн
100+ 10.46 грн
275+ 9.89 грн
2500+ 9.49 грн
Мінімальне замовлення: 15
MJD127-1
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD127-LGE
Код товару: 161555		Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
MJD127-TPMicro Commercial CoDescription: TRANS PNP 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
MJD127-TPMicro Commercial ComponentsTrans Darlington PNP 100V 8A 1500mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD127-TPMicro Commercial ComponentsTrans Darlington PNP 100V 8A 1500mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD127-TPMicro Commercial CoDescription: TRANS PNP 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
MJD127-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT TRANS PNP 100V 8A DPAK
на замовлення 3873 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+66.99 грн
10+ 57.3 грн
100+ 34.49 грн
500+ 28.81 грн
1000+ 24.56 грн
2500+ 21.72 грн
5000+ 20.65 грн
Мінімальне замовлення: 5
MJD127-TR
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD127GONSEMICategory: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 100...12000
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 4MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 185 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+76.43 грн
5+ 67.62 грн
22+ 48.79 грн
58+ 46.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
MJD127GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+99.23 грн
10+ 78.76 грн
75+ 44.87 грн
Мінімальне замовлення: 7
MJD127GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 1241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
376+32.42 грн
Мінімальне замовлення: 376
MJD127GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 10974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.13 грн
75+ 43.75 грн
150+ 39.64 грн
525+ 31.61 грн
1050+ 29.15 грн
2025+ 27.17 грн
5025+ 25.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
MJD127GonsemiDarlington Transistors 8A 100V Bipolar Power PNP
на замовлення 1978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+105.98 грн
10+ 75.09 грн
75+ 37.05 грн
525+ 34.35 грн
1050+ 30.66 грн
2700+ 28.67 грн
5400+ 28.6 грн
Мінімальне замовлення: 4
MJD127GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD127G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 1.75 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.75W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 5469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+95.54 грн
15+ 53.66 грн
100+ 49.68 грн
500+ 42.44 грн
1000+ 30.44 грн
5000+ 27.71 грн
Мінімальне замовлення: 9
MJD127GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
144+84.87 грн
252+ 48.35 грн
Мінімальне замовлення: 144
MJD127GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+64.9 грн
300+ 47.05 грн
1050+ 43.96 грн
Мінімальне замовлення: 188
MJD127GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+32.46 грн
Мінімальне замовлення: 11
MJD127GONSEMICategory: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 100...12000
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 4MHz
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+54.26 грн
22+ 40.66 грн
58+ 38.44 грн
Мінімальне замовлення: 7
MJD127G
Код товару: 50655		Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
MJD127GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 1241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+90.76 грн
10+ 72.04 грн
75+ 41.04 грн
525+ 36.27 грн
1050+ 29.26 грн
Мінімальне замовлення: 7
MJD127RLGON Semiconductor8.0 A, 100 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor
товару немає в наявності
MJD127RLG
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD127RLGON Semiconductor8.0 A, 100 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor
товару немає в наявності
MJD127RLGonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
MJD127RLGonsemiDarlington Transistors BIP DPAK PNP 8A 100V
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 449-458 дні (днів)
5+66.24 грн
10+ 57.95 грн
100+ 38.61 грн
500+ 30.52 грн
Мінімальне замовлення: 5
MJD127S-TPMicro Commercial CoDescription: TRANS PNP 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 5V
Supplier Device Package: D-Pak
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
MJD127S-TPMicro Commercial Components (MCC)Darlington Transistors PNP -100Vcbo -5V 1.5W -100Vceo -8A
товару немає в наявності
MJD127T4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - MJD127T4 - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 12668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+64.65 грн
15+ 53.58 грн
100+ 33.84 грн
500+ 26.17 грн
1000+ 17.06 грн
5000+ 15.9 грн
Мінімальне замовлення: 13
MJD127T4STMicroelectronicsTrans Darlington PNP 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD127T4STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.96 грн
5000+ 16.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MJD127T4STMicroelectronicsDarlington Transistors PNP Power Darlington
на замовлення 7457 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+58.54 грн
10+ 49.79 грн
100+ 30.02 грн
500+ 24.98 грн
1000+ 21.29 грн
2500+ 17.25 грн
5000+ 17.18 грн
Мінімальне замовлення: 6
MJD127T4STMicroelectronicsTrans Darlington PNP 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.81 грн
5000+ 19.22 грн
10000+ 18.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MJD127T4STMicroelectronicsCategory: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1537 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+59.23 грн
10+ 49.01 грн
57+ 18.28 грн
155+ 17.3 грн
Мінімальне замовлення: 5
MJD127T4onsemiDescription: TRANS DARL PNP 8A 100V DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
MJD127T4STMicroelectronicsCategory: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1537 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+49.36 грн
10+ 39.33 грн
57+ 15.23 грн
155+ 14.42 грн
Мінімальне замовлення: 9
MJD127T4STMicroelectronicsTrans Darlington PNP 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.32 грн
5000+ 17.85 грн
10000+ 16.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MJD127T4
Код товару: 180295		Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
MJD127T4STMicroelectronicsTrans Darlington PNP 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD127T4STMicroelectronicsTrans Darlington PNP 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 387500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.19 грн
5000+ 19.58 грн
10000+ 18.59 грн
25000+ 17.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MJD127T4STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 6174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.19 грн
10+ 40.36 грн
100+ 27.83 грн
500+ 20.8 грн
1000+ 19.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
MJD127T4STMicroelectronicsTrans Darlington PNP 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 387500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MJD127T4STMicroelectronicsTrans Darlington PNP 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 175000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+11.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MJD127T4GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 167500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.05 грн
30000+ 18.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MJD127T4GONSEMICategory: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
на замовлення 1763 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+52.55 грн
9+ 46.06 грн
10+ 43.25 грн
25+ 34.38 грн
36+ 24.47 грн
97+ 23.07 грн
1000+ 22.18 грн
Мінімальне замовлення: 8
MJD127T4G
Код товару: 180192		Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
MJD127T4GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD127T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD127T4G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 12hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 4465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.23 грн
500+ 26.54 грн
1000+ 20.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
MJD127T4GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.77 грн
5000+ 27.07 грн
7500+ 26.66 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MJD127T4GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD127T4GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.95 грн
10+ 40.81 грн
100+ 28.14 грн
500+ 21.04 грн
1000+ 19.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
MJD127T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD127T4G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 12hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 4465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+54.22 грн
50+ 44.27 грн
100+ 34.23 грн
500+ 26.54 грн
1000+ 20.81 грн
Мінімальне замовлення: 15
MJD127T4GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 167500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.51 грн
30000+ 20.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MJD127T4GonsemiDarlington Transistors 8A 100V Bipolar Power PNP
на замовлення 23045 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+58.54 грн
10+ 50.44 грн
100+ 30.38 грн
500+ 25.34 грн
1000+ 21.58 грн
2500+ 19.23 грн
5000+ 19.16 грн
Мінімальне замовлення: 6
MJD127T4GONSEMICategory: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1763 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+57.39 грн
10+ 51.9 грн
25+ 41.25 грн
36+ 29.36 грн
97+ 27.68 грн
1000+ 26.61 грн
Мінімальне замовлення: 5
MJD127T4GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.18 грн
5000+ 17.19 грн
7500+ 16.7 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MJD127T4G*************
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD127TFonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
MJD127TFON Semiconductor / FairchildDarlington Transistors PNP Si Transistor Darlington
на замовлення 7163 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
MJD127TFonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
MJD127TFON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD127TFON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+53.08 грн
14+ 44.6 грн
25+ 41.9 грн
50+ 37.78 грн
100+ 26.2 грн
Мінімальне замовлення: 12
MJD127Т4
Код товару: 26825		Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
MJD128
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD128T4onsemiDescription: TRANS PNP DARL 120V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
MJD128T4
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD128T4G
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD128T4GON SemiconductorTrans Darlington PNP 120V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD128T4GON SemiconductorTrans Darlington PNP 120V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD128T4GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 120V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 5523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.86 грн
10+ 55.22 грн
100+ 42.95 грн
500+ 34.16 грн
1000+ 27.83 грн
Мінімальне замовлення: 5
MJD128T4GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 120V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.99 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MJD128T4GonsemiDarlington Transistors BIP PNP 8A 120V TR
на замовлення 5796 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.26 грн
10+ 61.62 грн
100+ 41.73 грн
500+ 35.34 грн
1000+ 28.74 грн
2500+ 27.04 грн
5000+ 25.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
MJD13003
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD13003A
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD13003C
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD13005
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD13005T4G
на замовлення 52900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD148
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD148-QJNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 45V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
MJD148-QJNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD148-QJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 4 A, 1.6 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.77 грн
500+ 16.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
MJD148-QJNexperiaBipolar Transistors - BJT MJD148-Q/SOT428/DPAK
на замовлення 2282 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+36.18 грн
11+ 30.44 грн
100+ 18.38 грн
500+ 14.41 грн
1000+ 11.71 грн
2500+ 9.94 грн
10000+ 9.16 грн
Мінімальне замовлення: 10
MJD148-QJNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 45V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.01 грн
11+ 27.35 грн
100+ 19.04 грн
500+ 13.95 грн
1000+ 11.34 грн
Мінімальне замовлення: 10
MJD148-QJNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD148-QJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 4 A, 1.6 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+42.44 грн
23+ 35.19 грн
100+ 22.77 грн
500+ 16.56 грн
Мінімальне замовлення: 19
MJD148-QJNEXPERIATrans GP BJT NPN 45V 4A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD148-QJNexperiaTrans GP BJT NPN 45V 4A 1600mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD148JNexperiaBipolar Transistors - BJT MJD148/SOT428/DPAK
на замовлення 2196 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+36.18 грн
11+ 30.2 грн
100+ 18.31 грн
500+ 14.27 грн
1000+ 11.64 грн
2500+ 10.29 грн
5000+ 9.94 грн
Мінімальне замовлення: 10
MJD148JNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 45V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.6 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+11.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MJD148JNEXPERIATrans GP BJT NPN 45V 4A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD148JNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD148J - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 4 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+32.56 грн
30+ 26.91 грн
100+ 17.36 грн
500+ 12.64 грн
1000+ 8.26 грн
Мінімальне замовлення: 25
MJD148JNexperiaTrans GP BJT NPN 45V 4A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD148JNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 45V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.6 W
на замовлення 6076 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.01 грн
11+ 27.13 грн
100+ 18.87 грн
500+ 13.83 грн
1000+ 11.24 грн
Мінімальне замовлення: 10
MJD148JNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD148J - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 4 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 40hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 15W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 4A
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.36 грн
500+ 12.64 грн
1000+ 8.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
MJD148T4onsemiDescription: TRANS POWER NPN 4A 45V DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 20 W
товару немає в наявності
MJD148T4GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 280000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.81 грн
5000+ 18.07 грн
12500+ 16.73 грн
25000+ 15.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MJD148T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 4A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD148T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 4A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD148T4G
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD148T4GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 282488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.2 грн
10+ 43.47 грн
100+ 30.12 грн
500+ 23.62 грн
1000+ 20.1 грн
Мінімальне замовлення: 6
MJD148T4GonsemiBipolar Transistors - BJT 4A 45V 20W NPN
на замовлення 6207 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.88 грн
10+ 39.5 грн
100+ 28.53 грн
500+ 24.34 грн
1000+ 20.72 грн
2500+ 16.68 грн
Мінімальне замовлення: 8
MJD148T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 4A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD148T4G*************
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD18002D2
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD18002D2T4
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD18002D2T4GonsemiDescription: TRANS NPN 450V 2A DPAK
товару немає в наявності
MJD18002D2T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 2A 50000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD18002D2T4G
на замовлення 52900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD18002D2T4GonsemiDescription: TRANS NPN 450V 2A DPAK
товару немає в наявності
MJD18004D2T4G
на замовлення 52900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD20
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD200onsemiBipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W NPN
товару немає в наявності
MJD200ON SemiconductorDescription: TRANS NPN 25V 5A DPAK
товару немає в наявності
MJD200
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD200Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
MJD200-001
на замовлення 99 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD200-1
на замовлення 1782 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD200GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MJD200GON07+;
на замовлення 215 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD200GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+52.64 грн
13+ 46.4 грн
100+ 35.58 грн
500+ 27.12 грн
Мінімальне замовлення: 12
MJD200GonsemiBipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W NPN
на замовлення 7909 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.8 грн
12+ 29.55 грн
75+ 17.6 грн
525+ 16.18 грн
1050+ 14.62 грн
2700+ 13.77 грн
5400+ 13.63 грн
Мінімальне замовлення: 11
MJD200GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
MJD200GonsemiDescription: TRANS NPN 25V 5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 23020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.09 грн
10+ 41.47 грн
100+ 27.1 грн
500+ 19.6 грн
1000+ 17.72 грн
2000+ 16.13 грн
5000+ 14.18 грн
10000+ 13.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
MJD200RLGonsemiBipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W NPN
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+55.23 грн
10+ 47.99 грн
100+ 31.94 грн
500+ 25.27 грн
1000+ 20.23 грн
1800+ 18.31 грн
3600+ 17.25 грн
Мінімальне замовлення: 6
MJD200RLGonsemiDescription: TRANS NPN 25V 5A DPAK
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.51 грн
10+ 46.43 грн
100+ 35.57 грн
500+ 26.39 грн
Мінімальне замовлення: 6
MJD200RLGON Semiconductor
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD200RLGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD200RLGonsemiDescription: TRANS NPN 25V 5A DPAK
товару немає в наявності
MJD200RLGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD200RLGONTO252
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD200T4STMTO-252
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD200T4ON SemiconductorDescription: TRANS NPN 25V 5A DPAK
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1202+19.16 грн
Мінімальне замовлення: 1202
MJD200T4onsemiBipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W NPN
товару немає в наявності
MJD200T4ON SemiconductorDescription: TRANS NPN 25V 5A DPAK
товару немає в наявності
MJD200T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD200T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD200T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 5 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 4891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.28 грн
500+ 20.18 грн
1000+ 14.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
MJD200T4GON Semiconductor
на замовлення 6030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD200T4G
Код товару: 132801		Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
MJD200T4GonsemiBipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W NPN
на замовлення 6168 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+39.25 грн
11+ 31.5 грн
100+ 22.21 грн
500+ 18.95 грн
1000+ 14.76 грн
2500+ 12.85 грн
10000+ 12.07 грн
Мінімальне замовлення: 9
MJD200T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD200T4GonsemiDescription: TRANS NPN 25V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 3775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.76 грн
10+ 35.93 грн
100+ 24.95 грн
500+ 18.28 грн
1000+ 14.86 грн
Мінімальне замовлення: 8
MJD200T4GON08+ QFP
на замовлення 360 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD200T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD200T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD200T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 5 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 4891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+38.45 грн
50+ 31.37 грн
100+ 24.28 грн
500+ 20.18 грн
1000+ 14.94 грн
Мінімальне замовлення: 21
MJD200T4GST
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD200T4GonsemiDescription: TRANS NPN 25V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.7 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MJD200T4G*************
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD200T5GON SemiconductorTRANS PWR NPN 5A 25V DPAK
товару немає в наявності
MJD200T5GON SemiconductorDescription: TRANS NPN 25V 5A DPAK
товару немає в наявності
MJD2055T4
на замовлення 6200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD210FAIRCHILDTO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD210FAIRCHILD07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD210onsemiDescription: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
товару немає в наявності
MJD210FSC0832+ LQFP48
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD210onsemiBipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W PNP
товару немає в наявності
MJD210-1
на замовлення 2072 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD210-TFSAMSUNGSOT-252
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD210GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
MJD210GonsemiDescription: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 5491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.09 грн
10+ 41.25 грн
100+ 26.91 грн
500+ 19.46 грн
1000+ 17.59 грн
2000+ 16.01 грн
5000+ 14.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
MJD210GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD210G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 5 A, 1.4 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 3hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+51.03 грн
30+ 26.67 грн
100+ 24.52 грн
Мінімальне замовлення: 16
MJD210GonsemiBipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W PNP
на замовлення 949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+55.48 грн
10+ 46.36 грн
75+ 20.58 грн
525+ 18.59 грн
1050+ 16.32 грн
2700+ 14.34 грн
5400+ 13.56 грн
Мінімальне замовлення: 6
MJD210GONSEMICategory: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 25V; 5A; 12.5W; DPAK
Mounting: SMD
Case: DPAK
Kind of package: tube
Power dissipation: 12.5W
Polarisation: bipolar
Frequency: 65MHz
Collector-emitter voltage: 25V
Current gain: 10...180
Collector current: 5A
Type of transistor: PNP
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 262 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+46.81 грн
25+ 28.28 грн
45+ 22.97 грн
124+ 21.71 грн
525+ 21.11 грн
Мінімальне замовлення: 7
MJD210GONSEMICategory: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 25V; 5A; 12.5W; DPAK
Mounting: SMD
Case: DPAK
Kind of package: tube
Power dissipation: 12.5W
Polarisation: bipolar
Frequency: 65MHz
Collector-emitter voltage: 25V
Current gain: 10...180
Collector current: 5A
Type of transistor: PNP
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+39.01 грн
25+ 22.7 грн
45+ 19.14 грн
124+ 18.09 грн
Мінімальне замовлення: 11
MJD210GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
MJD210G
Код товару: 62981		Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
MJD210LT4
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD210LT4TO-252
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD210LTO-251
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD210LTO-252T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD210RLonsemiDescription: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 8700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1480+13.79 грн
Мінімальне замовлення: 1480
MJD210RLMOT
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD210RLonsemiDescription: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
товару немає в наявності
MJD210RLONSEMIDescription: ONSEMI - MJD210RL - MJD210RL, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 15400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+17.2 грн
Мінімальне замовлення: 1500
MJD210RLGonsemiBipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W PNP
на замовлення 1607 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+40.82 грн
10+ 36.73 грн
100+ 22.78 грн
500+ 19.38 грн
1000+ 16.54 грн
1800+ 15.19 грн
3600+ 14.41 грн
Мінімальне замовлення: 9
MJD210RLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+18.59 грн
Мінімальне замовлення: 1800
MJD210RLGonsemiDescription: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+17.83 грн
3600+ 15.29 грн
5400+ 14.49 грн
Мінімальне замовлення: 1800
MJD210RLGONSEMIDescription: ONSEMI - MJD210RLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 5 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+47.85 грн
19+ 44.11 грн
100+ 27.63 грн
500+ 21.44 грн
1000+ 13.17 грн
Мінімальне замовлення: 17
MJD210RLGON Semiconductor
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD210RLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MJD210RLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+14.98 грн
Мінімальне замовлення: 1800
MJD210RLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+17.26 грн
Мінімальне замовлення: 1800
MJD210RLGONSEMIDescription: ONSEMI - MJD210RLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 5 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.63 грн
500+ 21.44 грн
1000+ 13.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
MJD210RLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+29.67 грн
Мінімальне замовлення: 1800
MJD210RLGonsemiDescription: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 7993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.22 грн
10+ 34.89 грн
100+ 24.15 грн
500+ 18.93 грн
Мінімальне замовлення: 8
MJD210RLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MJD210T4onsemiDescription: TRANS PWR PNP 5A 25V DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
740+28.27 грн
Мінімальне замовлення: 740
MJD210T4STMTO-252
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD210T4ONSEMIDescription: ONSEMI - MJD210T4 - TRANSISTOR, PNP D-PAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+34.31 грн
Мінімальне замовлення: 250
MJD210T4STM07+ TO-252
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD210T4ON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD210T4/J210
на замовлення 13700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD210T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
322+37.82 грн
439+ 27.74 грн
458+ 26.61 грн
538+ 21.83 грн
1000+ 17 грн
3000+ 13.25 грн
Мінімальне замовлення: 322
MJD210T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD210T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 5 A, 1.4 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+43.47 грн
50+ 35.27 грн
100+ 26.99 грн
500+ 20.03 грн
1000+ 15.35 грн
Мінімальне замовлення: 19
MJD210T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MJD210T4G
Код товару: 132802		Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
MJD210T4GonsemiDescription: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 50318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.9 грн
10+ 32.08 грн
100+ 21.98 грн
500+ 16.3 грн
1000+ 14.87 грн
Мінімальне замовлення: 7
MJD210T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD210T4GON07+;
на замовлення 9675 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD210T4GonsemiBipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W PNP
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+48.52 грн
10+ 40.07 грн
100+ 24.34 грн
500+ 19.38 грн
1000+ 15.9 грн
2500+ 14.05 грн
Мінімальне замовлення: 7
MJD210T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MJD210T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+41.47 грн
17+ 35.75 грн
25+ 35.12 грн
100+ 24.83 грн
250+ 22.06 грн
500+ 18.02 грн
1000+ 15.16 грн
3000+ 12.3 грн
Мінімальне замовлення: 15
MJD210T4GonsemiDescription: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 47500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.73 грн
5000+ 13.14 грн
7500+ 12.61 грн
12500+ 11.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MJD210T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD210T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 5 A, 1.4 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.99 грн
500+ 20.03 грн
1000+ 15.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
MJD210T4G*************
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD210TFON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD210TFFairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1025+20 грн
Мінімальне замовлення: 1025
MJD210TFON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Si Transistor Epitaxial
на замовлення 1145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
MJD210TFonsemiDescription: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
товару немає в наявності
MJD210TFON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD210TFONSEMIDescription: ONSEMI - MJD210TF - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 12649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+24.76 грн
Мінімальне замовлення: 2000
MJD210TFonsemiDescription: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1025+20 грн
Мінімальне замовлення: 1025
MJD210TF
на замовлення 3014 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD210TFonsemiDescription: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
товару немає в наявності
MJD210TMON SemiconductorMJD210TM^FAIRCHILD
товару немає в наявності
MJD243
Код товару: 20318		Мікросхеми > Інші мікросхеми
8542 39 90 00
товару немає в наявності
MJD243
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD243Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
MJD243onsemiDescription: TRANS NPN 100V 4A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
товару немає в наявності
MJD243onsemiBipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W NPN
товару немає в наявності
MJD243GonsemiBipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W NPN
на замовлення 3004 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+66.99 грн
10+ 62.03 грн
75+ 36.34 грн
525+ 31.37 грн
1050+ 25.48 грн
4950+ 23.56 грн
Мінімальне замовлення: 5
MJD243GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 4A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 9062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.11 грн
10+ 62.32 грн
100+ 41.41 грн
500+ 30.42 грн
1000+ 27.7 грн
2000+ 25.41 грн
5000+ 22.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
MJD243GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD243G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 100 V, 4 A, 1.4 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+75.95 грн
20+ 41.56 грн
100+ 38.37 грн
500+ 32.6 грн
Мінімальне замовлення: 11
MJD243GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
MJD243GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 1602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
191+63.97 грн
317+ 38.4 грн
525+ 35.01 грн
1050+ 28.9 грн
Мінімальне замовлення: 191
MJD243G
Код товару: 133000		Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
MJD243GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 1602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+64.2 грн
11+ 59.4 грн
75+ 35.65 грн
525+ 31.35 грн
1050+ 24.84 грн
Мінімальне замовлення: 10
MJD243T4onsemiDescription: TRANS PWR NPN 4A 100V DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 12.5 W
товару немає в наявності
MJD243T4ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD243T4ON
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD243T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MJD243T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD243T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
616+19.77 грн
Мінімальне замовлення: 616
MJD243T4GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MJD243T4G
Код товару: 172041		Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
MJD243T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD243T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+61.22 грн
16+ 50.95 грн
100+ 29.14 грн
500+ 24.91 грн
Мінімальне замовлення: 14
MJD243T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MJD243T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MJD243T4G
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD243T4GonsemiBipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W NPN
на замовлення 3718 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+55.48 грн
10+ 47.34 грн
100+ 25.48 грн
500+ 23.85 грн
1000+ 19.8 грн
2500+ 18.03 грн
5000+ 17.96 грн
Мінімальне замовлення: 6
MJD243T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+52.94 грн
14+ 46.09 грн
25+ 45.19 грн
100+ 27.81 грн
250+ 25.49 грн
500+ 23.13 грн
1000+ 16.54 грн
3000+ 15.73 грн
Мінімальне замовлення: 12
MJD243T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD243T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.14 грн
500+ 24.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
MJD243T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MJD243T4GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 3835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.67 грн
10+ 42.44 грн
100+ 29.37 грн
500+ 23.03 грн
1000+ 19.6 грн
Мінімальне замовлення: 7
MJD243T4G*************
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD2474T4
на замовлення 3090 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD253onsemionsemi BIP DPAK PNP 4A 100V SL F
товару немає в наявності
MJD253
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD253
Код товару: 20319		Мікросхеми > Інші мікросхеми
8542 39 90 00
товару немає в наявності
MJD253-001onsemiDescription: TRANS PNP 100V 4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: I-PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
товару немає в наявності
MJD253-001
на замовлення 2913 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD253-1GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: IPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+77.54 грн
75+ 32.24 грн
150+ 28.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
MJD253-1G
Код товару: 133001		Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
MJD253-1GonsemiBipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W PNP
на замовлення 1068 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+49.27 грн
10+ 41.38 грн
75+ 27.89 грн
1050+ 21.58 грн
2550+ 15.05 грн
11550+ 13.13 грн
26400+ 12.42 грн
Мінімальне замовлення: 7
MJD253-1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
MJD253T4ON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD253T4ON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD253T4onsemiDescription: TRANS PWR PNP 4A 100V DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 12.5 W
товару немає в наявності
MJD253T4G
Код товару: 172039		Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
MJD253T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+18.94 грн
33+ 18.48 грн
100+ 15.74 грн
250+ 14.43 грн
500+ 12.93 грн
1000+ 11.6 грн
Мінімальне замовлення: 32
MJD253T4GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.41 грн
5000+ 12.25 грн
12500+ 11.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MJD253T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 110000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.94 грн
5000+ 12.19 грн
12500+ 12.18 грн
25000+ 11.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MJD253T4GonsemiBipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W PNP
на замовлення 42213 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+30.06 грн
13+ 26.28 грн
100+ 17.46 грн
500+ 14.41 грн
1000+ 12.92 грн
2500+ 11.28 грн
10000+ 10.86 грн
Мінімальне замовлення: 12
MJD253T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD253T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 4 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 3715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+33.28 грн
28+ 28.82 грн
100+ 19.59 грн
500+ 15.01 грн
Мінімальне замовлення: 24
MJD253T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD253T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD253T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
612+19.9 грн
693+ 17.58 грн
700+ 17.41 грн
750+ 15.66 грн
1000+ 13.01 грн
Мінімальне замовлення: 612
MJD253T4GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 16496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.92 грн
10+ 32.75 грн
100+ 22.76 грн
500+ 16.67 грн
1000+ 13.55 грн
Мінімальне замовлення: 8
MJD253T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD253T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 4 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 3715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.59 грн
500+ 15.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
MJD253T4G*************
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD2873-QJNEXPERIACategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 2A; 15W; DPAK,TO252
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 2A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK; TO252
Current gain: 40...360
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
MJD2873-QJNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD2873-QJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 1.6 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.23 грн
500+ 13.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
MJD2873-QJNEXPERIACategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 2A; 15W; DPAK,TO252
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 2A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK; TO252
Current gain: 40...360
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
MJD2873-QJNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 50V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+10.53 грн
5000+ 9.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MJD2873-QJNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD2873-QJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 1.6 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+35.83 грн
28+ 29.38 грн
100+ 18.23 грн
500+ 13.23 грн
Мінімальне замовлення: 23
MJD2873-QJNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 50V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 7672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.85 грн
13+ 23.66 грн
100+ 16.05 грн
500+ 11.79 грн
1000+ 10.71 грн
Мінімальне замовлення: 9
MJD2873-QJNexperiaBipolar Transistors - BJT MJD2873-Q/SOT428/DPAK
на замовлення 4706 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+32.37 грн
13+ 26.69 грн
100+ 16.18 грн
500+ 12.7 грн
1000+ 10.29 грн
2500+ 9.08 грн
5000+ 8.73 грн
Мінімальне замовлення: 11
MJD2873JNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 50V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.6 W
на замовлення 1124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.48 грн
12+ 25.88 грн
100+ 19.33 грн
500+ 14.26 грн
1000+ 11.02 грн
Мінімальне замовлення: 10
MJD2873JNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD2873J - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+42.59 грн
25+ 32.56 грн
100+ 16.24 грн
500+ 12.27 грн
1000+ 8.67 грн
Мінімальне замовлення: 19
MJD2873JNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 50V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.6 W
товару немає в наявності
MJD2873JNexperiaBipolar Transistors - BJT MJD2873/SOT428/DPAK
на замовлення 2668 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.88 грн
11+ 30.12 грн
100+ 12.92 грн
1000+ 11.78 грн
2500+ 8.94 грн
10000+ 7.95 грн
25000+ 7.66 грн
Мінімальне замовлення: 8
MJD2873JNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD2873J - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 40hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 15W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 2A
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.24 грн
500+ 12.27 грн
1000+ 8.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
MJD2873Q-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
на замовлення 5940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.44 грн
12+ 29.46 грн
100+ 19.16 грн
500+ 15.05 грн
1000+ 11.99 грн
2500+ 10.15 грн
10000+ 9.16 грн
Мінімальне замовлення: 10
MJD2873Q-13Diodes IncorporatedDescription: PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.45 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.62 грн
13+ 24.1 грн
100+ 16.41 грн
500+ 12.06 грн
1000+ 10.96 грн
Мінімальне замовлення: 9
MJD2873Q-13Diodes IncorporatedDescription: PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.45 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
MJD2955FAIRCHILDTO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD2955ON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
MJD2955STMicroelectronicsBipolar Transistors - Pre-Biased
товару немає в наявності
MJD2955FAIRCHILD07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD2955onsemiBipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W PNP
товару немає в наявності
MJD2955ON
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD2955onsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
MJD2955Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
MJD2955-001onsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: I-PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 6300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2219+9.9 грн
Мінімальне замовлення: 2219
MJD2955-001ONSEMIDescription: ONSEMI - MJD2955-001 - MJD2955-001, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2700+10.51 грн
Мінімальне замовлення: 2700
MJD2955-001onsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: I-PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
MJD2955-1GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD2955-1G - MJD2955-1G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 42025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1125+26.19 грн
Мінімальне замовлення: 1125
MJD2955-1GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: I-PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 42025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
888+24.04 грн
Мінімальне замовлення: 888
MJD2955-1G
на замовлення 4080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD2955-1GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: I-PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
MJD2955-1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
MJD2955-T4ON09+
на замовлення 2477 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD2955GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
289+42.12 грн
306+ 39.84 грн
500+ 33.02 грн
1000+ 28.21 грн
Мінімальне замовлення: 289
MJD2955GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 1725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1725+26.35 грн
Мінімальне замовлення: 1725
MJD2955GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MJD2955GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
MJD2955GonsemiBipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W PNP
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+61.6 грн
10+ 59.25 грн
75+ 34.92 грн
525+ 24.27 грн
1050+ 22.07 грн
1950+ 21.93 грн
5850+ 21.43 грн
Мінімальне замовлення: 6
MJD2955GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+34.82 грн
22+ 28.32 грн
100+ 27.48 грн
500+ 23.82 грн
Мінімальне замовлення: 18
MJD2955GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 10A; 20W; DPAK
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 5...100
Collector current: 10A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 20W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Case: DPAK
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+64.97 грн
6+ 52.51 грн
25+ 48.08 грн
29+ 36.99 грн
78+ 34.95 грн
2025+ 33.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
MJD2955GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 1725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
303+40.22 грн
375+ 36.75 грн
750+ 34.19 грн
1125+ 31.1 грн
Мінімальне замовлення: 303
MJD2955GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 10A; 20W; DPAK
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 5...100
Collector current: 10A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 20W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Case: DPAK
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+54.14 грн
9+ 42.14 грн
25+ 40.07 грн
29+ 30.83 грн
Мінімальне замовлення: 8
MJD2955GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 3774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.56 грн
75+ 54.03 грн
150+ 39.22 грн
525+ 30.75 грн
1050+ 26.17 грн
2025+ 23.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
MJD2955GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
MJD2955GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+60.26 грн
16+ 39.11 грн
100+ 37 грн
500+ 29.56 грн
1000+ 24.25 грн
Мінімальне замовлення: 11
MJD2955RLGON Semiconductor10 A, 60 V PNP Bipolar Power Transistor
товару немає в наявності
MJD2955RLGON Semiconductor10 A, 60 V PNP Bipolar Power Transistor
товару немає в наявності
MJD2955RLGonsemiBipolar Transistors - BJT BIP DPAK PNP 10A60V
товару немає в наявності
MJD2955RLGonsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
MJD2955T4onsemiDescription: TRANS PWR PNP 10A 60V DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 20 W
товару немає в наявності
MJD2955T4STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 20 W
товару немає в наявності
MJD2955T4onsemiBipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W PNP
товару немає в наявності
MJD2955T4STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 20 W
товару немає в наявності
MJD2955T4STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 60V 10A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD2955T4STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur Switch
товару немає в наявності
MJD2955T4Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
MJD2955T4GON Semiconductor
на замовлення 109930 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD2955T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD2955T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 10 A, 1.75 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 1435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+36.22 грн
500+ 26.54 грн
1000+ 19.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
MJD2955T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD2955T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.82 грн
5000+ 18.03 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MJD2955T4GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 6270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.13 грн
10+ 41.4 грн
100+ 28.67 грн
500+ 22.48 грн
1000+ 19.13 грн
Мінімальне замовлення: 7
MJD2955T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.91 грн
5000+ 29.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MJD2955T4GonsemiBipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W PNP
на замовлення 4069 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+53.16 грн
10+ 45.62 грн
100+ 27.47 грн
500+ 22.99 грн
1000+ 19.52 грн
2500+ 17.03 грн
5000+ 16.39 грн
Мінімальне замовлення: 7
MJD2955T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD2955T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 10 A, 1.75 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 1435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+61.7 грн
16+ 51.91 грн
100+ 36.22 грн
500+ 26.54 грн
1000+ 19.65 грн
Мінімальне замовлення: 13
MJD2955T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD2955T4GONSSOP8
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD2955T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD2955T4G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 172473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1366+27.87 грн
Мінімальне замовлення: 1366
MJD2955T4GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.86 грн
5000+ 17.2 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MJD2955T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD2955T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.34 грн
5000+ 19.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MJD2955TFonsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1025+20.35 грн
Мінімальне замовлення: 1025
MJD2955TFON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MJD2955TFON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
на замовлення 5535 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
MJD2955TFonsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
MJD2955TFONSEMIDescription: ONSEMI - MJD2955TF - MJD2955TF, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+24.76 грн
Мінімальне замовлення: 250
MJD2955TFON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD2955TFFairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP 60V 10A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 460746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1025+20.35 грн
Мінімальне замовлення: 1025
MJD2955TFonsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
MJD2955VT4
на замовлення 6210 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD29CFAIRCHILD07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD29CFAIRCHILDTO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD29CTF
на замовлення 980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD29CTFFairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN 100V 1A DPAK
товару немає в наявності
MJD3055onsemiDescription: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
MJD3055ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
MJD3055Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
MJD3055FAIRCHILDTO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD3055onsemiBipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W NPN
товару немає в наявності
MJD3055FAIRCHILD07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD3055STMICROELECTRONICSN/A
на замовлення 1721 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD3055GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
MJD3055GON
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD3055GonsemiDescription: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
MJD3055GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
MJD3055GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+250.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
MJD3055GonsemiBipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W NPN
товару немає в наявності
MJD3055RLGonsemiDescription: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
MJD3055RLGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD3055RLGonsemiBipolar Transistors - BJT BIP DPAK NPN 10A 60V
на замовлення 7923 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.28 грн
10+ 47.75 грн
100+ 28.67 грн
500+ 22.85 грн
1800+ 17.74 грн
Мінімальне замовлення: 6
MJD3055RLGonsemiDescription: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 1775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.28 грн
10+ 46.35 грн
100+ 32.08 грн
500+ 25.16 грн
Мінімальне замовлення: 6
MJD3055RLGON SemiconductorBIP DPAK NPN 10A 60V TR
товару немає в наявності
MJD3055T4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 20 W
товару немає в наявності
MJD3055T4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 10A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+10.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MJD3055T4STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch
на замовлення 4092 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+90.25 грн
10+ 65.62 грн
100+ 43.58 грн
500+ 36.12 грн
1000+ 30.59 грн
2500+ 30.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
MJD3055T4STMicroelectronicsMJD3055T4 NPN SMD transistors
товару немає в наявності
MJD3055T4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 20 W
товару немає в наявності
MJD3055T4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 10A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD3055T4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 10A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD3055T4onsemiDescription: TRANS PWR NPN 10A 60V DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 20 W
товару немає в наявності
MJD3055T4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 10A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD3055T4 (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 171011		Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
MJD3055T4(G) (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 24067		Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
MJD3055T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD3055T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 10 A, 1.75 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 5hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+64.49 грн
14+ 57 грн
100+ 43.71 грн
Мінімальне замовлення: 13
MJD3055T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD3055T4GonsemiDescription: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.01 грн
5000+ 17.93 грн
7500+ 17.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MJD3055T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD3055T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 10 A, 1.75 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
MJD3055T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD3055T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD3055T4GonsemiBipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W NPN
на замовлення 3670 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+60.03 грн
10+ 50.6 грн
100+ 30.94 грн
500+ 25.9 грн
1000+ 22.07 грн
2500+ 19.59 грн
5000+ 19.52 грн
Мінімальне замовлення: 6
MJD3055T4GON Semiconductor
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD3055T4GonsemiDescription: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 28388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.02 грн
10+ 42.51 грн
100+ 29.33 грн
500+ 21.93 грн
1000+ 20.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
MJD3055T4G*************
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD3055TFON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD3055TFON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MJD3055TFON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
на замовлення 9881 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
MJD3055TFonsemiDescription: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
MJD3055TFON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD3055TF
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD3055TFonsemiDescription: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
MJD30CTF
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD31
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD31onsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT BIP DPAK NPN 3A 40V TR
товару немає в наявності
MJD31B
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD31BT4STM07+ TO-252
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD31BT4STMTO-252
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD31CFairchild SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
MJD31CFAIRCHILDTO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD31CYZPSTTransistor NPN; 50; 15W; 100V; 3A; 3MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJD31CG; MJD31CRLG; MJD31CT4G; MJD31CT4-STM; MJD31CJ; MJD31C-13; MJD31C-TP; MJD31C YZPST TMJD31c YZP
кількість в упаковці: 75 шт
на замовлення 105 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
75+11.35 грн
Мінімальне замовлення: 75
MJD31CON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
MJD31CSTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch
товару немає в наявності
MJD31CFAIRCHILD07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD31CSTMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
товару немає в наявності
MJD31CJSMicro SemiconductorTransistor NPN; 50; 15W; 100V; 3A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: MJD31CG; MJD31CRLG; MJD31CT4G; MJD31CT4-STM; MJD31CJ; MJD31C-13; MJD31C-TP; MJD31C JSMICRO TMJD31c JSM
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 295 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+9.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
MJD31C-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 100V 3A 1500mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
товару немає в наявності
MJD31C-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 100V 5A NPN SMT
на замовлення 8251 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+39.25 грн
12+ 28.73 грн
100+ 17.03 грн
500+ 13.34 грн
1000+ 12.7 грн
Мінімальне замовлення: 9
MJD31C-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+11.45 грн
5000+ 10.17 грн
7500+ 9.74 грн
12500+ 8.67 грн
17500+ 8.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MJD31C-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - MJD31C-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+37.5 грн
26+ 31.37 грн
100+ 16.56 грн
500+ 13.53 грн
1000+ 12.28 грн
Мінімальне замовлення: 22
MJD31C-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 100V 3A 1500mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.45 грн
5000+ 12.41 грн
7500+ 10.8 грн
12500+ 10.08 грн
17500+ 9.2 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MJD31C-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 100V 3A 1500mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
442+9.78 грн
Мінімальне замовлення: 442
MJD31C-13Diodes IncTrans GP BJT NPN 100V 3A 1500mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+7.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MJD31C-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 100V 3A 1500mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.41 грн
5000+ 11.45 грн
7500+ 9.96 грн
12500+ 9.29 грн
17500+ 8.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MJD31C-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 20899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.15 грн
12+ 25.58 грн
100+ 17.39 грн
500+ 12.8 грн
1000+ 11.63 грн
Мінімальне замовлення: 8
MJD31C-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - MJD31C-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.56 грн
500+ 13.53 грн
1000+ 12.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
MJD31C-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 100V 3A 1500mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MJD31C-ITU
на замовлення 20150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD31C-TPMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT NPN 100V 3A 1250mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD31C-TPMicro Commercial CoDescription: Interface
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W
товару немає в наявності
MJD31C-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT Power Transistor
товару немає в наявності
MJD31C1onsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
товару немає в наявності
MJD31C1GonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W NPN
товару немає в наявності
MJD31C1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
MJD31C1GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
товару немає в наявності
MJD31C1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
MJD31C1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
MJD31CAJNexperiaTrans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD31CAJNexperia USA Inc.Description: MJD31CA/SOT428/DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MJD31CAJNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD31CAJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+36.7 грн
27+ 29.86 грн
100+ 18.55 грн
500+ 13.46 грн
1000+ 11.4 грн
Мінімальне замовлення: 22
MJD31CAJNEXPERIA100 V, 3 A NPN high power bipolar transistor
товару немає в наявності
MJD31CAJNexperiaTrans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD31CAJNexperia USA Inc.Description: MJD31CA/SOT428/DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.99 грн
11+ 27.58 грн
100+ 18.81 грн
500+ 13.87 грн
1000+ 12.62 грн
Мінімальне замовлення: 8
MJD31CAJNexperiaBipolar Transistors - BJT MJD31CA/SOT428/DPAK
на замовлення 35035 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.88 грн
11+ 30.93 грн
100+ 18.38 грн
500+ 14.48 грн
1000+ 12.92 грн
2500+ 10.86 грн
5000+ 9.72 грн
Мінімальне замовлення: 8
MJD31CAJNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD31CAJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.55 грн
500+ 13.46 грн
1000+ 11.4 грн
Мінімальне замовлення: 100
MJD31CEITUON SemiconductorNPN GP EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR
товару немає в наявності
MJD31CEITUFairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN 100V 3A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 2857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
952+22.46 грн
Мінімальне замовлення: 952
MJD31CEITUONSEMIDescription: ONSEMI - MJD31CEITU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MJD31CEITUonsemiDescription: 3.0 A, 100 V NPN BIPOLAR POWER T
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
MJD31CETFonsemiDescription: TRANS NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
MJD31CETFON SemiconductorNPN GP EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR
товару немає в наявності
MJD31CGonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 44314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.31 грн
75+ 36.93 грн
150+ 33.37 грн
525+ 26.46 грн
1050+ 24.33 грн
2025+ 22.61 грн
5025+ 20.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
MJD31CGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 5224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
211+57.71 грн
328+ 37.16 грн
342+ 35.65 грн
525+ 32.31 грн
1050+ 26.96 грн
2025+ 22.99 грн
5025+ 22.42 грн
Мінімальне замовлення: 211
MJD31CGONSEMIDescription: ONSEMI - MJD31CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+71.97 грн
20+ 40.21 грн
100+ 37.66 грн
500+ 32.6 грн
Мінімальне замовлення: 12
MJD31CGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 6374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+25.42 грн
Мінімальне замовлення: 14
MJD31CGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
MJD31CGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
MJD31CGONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
на замовлення 1484 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+52.78 грн
10+ 43.54 грн
26+ 33.64 грн
70+ 31.79 грн
750+ 30.75 грн
Мінімальне замовлення: 8
MJD31CGonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W NPN
на замовлення 6814 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+70.05 грн
10+ 63.42 грн
75+ 30.23 грн
525+ 26.26 грн
1050+ 23.49 грн
3375+ 22.85 грн
10125+ 22.43 грн
Мінімальне замовлення: 5
MJD31CGONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1484 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+63.34 грн
10+ 54.26 грн
26+ 40.36 грн
70+ 38.15 грн
750+ 36.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
MJD31CGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 1575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
227+53.67 грн
525+ 43.62 грн
1050+ 38.26 грн
Мінімальне замовлення: 227
MJD31CG
Код товару: 117657		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
MJD31CGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
MJD31CGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 5224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+53.22 грн
75+ 34.27 грн
150+ 32.88 грн
525+ 29.79 грн
1050+ 24.86 грн
2025+ 21.2 грн
5025+ 20.68 грн
Мінімальне замовлення: 12
MJD31CH-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
товару немає в наявності
MJD31CH-13Diodes IncorporatedDescription: PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 60V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.45 W
товару немає в наявності
MJD31CH-13Diodes ZetexNPN Medium Power Transistor
товару немає в наявності
MJD31CH-QJNexperia USA Inc.Description: BJT - MJD SERIES
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 6V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
MJD31CH-QJNexperiaBipolar Transistors - BJT MJD31CH-Q/SOT428/DPAK
товару немає в наявності
MJD31CH-QJNEXPERIATrans GP BJT NPN 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD31CH-QJNexperia USA Inc.Description: BJT - MJD SERIES
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 6V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.99 грн
11+ 27.43 грн
100+ 18.7 грн
500+ 13.79 грн
1000+ 12.54 грн
Мінімальне замовлення: 8
MJD31CHE3-TPMicro Commercial CoDescription: NPN TRANSISTORS, DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.09 грн
10+ 44.5 грн
100+ 30.81 грн
500+ 23.08 грн
1000+ 21.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
MJD31CHE3-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT Power Transistor
товару немає в наявності
MJD31CHE3-TPMicro Commercial ComponentsSilicon NPN Epitaxial Planer Transistors Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
MJD31CHE3-TPMicro Commercial ComponentsMJD31CHE3-TP
товару немає в наявності
MJD31CHE3-TPMicro Commercial CoDescription: NPN TRANSISTORS, DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MJD31CHQ-13Diodes IncorporatedDescription: PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.45 W
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 500µA, 50mA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.76 грн
11+ 27.94 грн
100+ 19.04 грн
500+ 14.05 грн
1000+ 12.79 грн
Мінімальне замовлення: 8
MJD31CHQ-13Diodes IncorporatedDescription: PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.45 W
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 500µA, 50mA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MJD31CHQ-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
на замовлення 2277 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.88 грн
11+ 31.42 грн
100+ 18.59 грн
500+ 14.62 грн
1000+ 13.63 грн
2500+ 10.36 грн
Мінімальне замовлення: 8
MJD31CHQ-13Diodes Zetex100V NPN Medium Power Transistor In To252 Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
MJD31CHQ-13Diodes Inc100V NPN Medium Power Transistor In To252
товару немає в наявності
MJD31CITUonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
товару немає в наявності
MJD31CITUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
MJD31CITUONSEMIDescription: ONSEMI - MJD31CITU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 39340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5040+16.4 грн
Мінімальне замовлення: 5040
MJD31CITUFairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN 100V 3A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 39340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1480+14.04 грн
Мінімальне замовлення: 1480
MJD31CJNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+10.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MJD31CJNXPBipolar (BJT) Transistor NPN 100V 3A 3MHz 1.6W Surface Mount DPAK MJD31CJ DPAK(SOT428C) NEXPERIA TMJD31CJ
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
40+14.26 грн
Мінімальне замовлення: 40
MJD31CJNexperiaTrans GP BJT NPN 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
621+11.2 грн
2500+ 9.47 грн
Мінімальне замовлення: 621
MJD31CJNEXPERIA100 V, 3 A NPN high power bipolar transistor
товару немає в наявності
MJD31CJNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD31CJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+28.74 грн
50+ 21.34 грн
100+ 13.93 грн
500+ 11.75 грн
1000+ 9.69 грн
Мінімальне замовлення: 28
MJD31CJNexperiaBipolar Transistors - BJT MJD31C/SOT428/DPAK
на замовлення 10022 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+30.06 грн
13+ 25.55 грн
100+ 12.07 грн
1000+ 9.87 грн
2500+ 8.3 грн
25000+ 7.52 грн
Мінімальне замовлення: 12
MJD31CJNexperiaTrans GP BJT NPN 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD31CJNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
на замовлення 7933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.32 грн
13+ 22.77 грн
100+ 15.44 грн
500+ 11.32 грн
1000+ 10.27 грн
Мінімальне замовлення: 9
MJD31CJNexperiaTrans GP BJT NPN 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1009+12.07 грн
2500+ 10.2 грн
Мінімальне замовлення: 1009
MJD31CJNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD31CJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.93 грн
500+ 11.75 грн
1000+ 9.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
MJD31CQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - MJD31CQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.47 грн
500+ 18.04 грн
1000+ 10.99 грн
Мінімальне замовлення: 100
MJD31CQ-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 3A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 95000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.25 грн
5000+ 14.52 грн
7500+ 13.94 грн
12500+ 12.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MJD31CQ-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
товару немає в наявності
MJD31CQ-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
товару немає в наявності
MJD31CQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - MJD31CQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+52.07 грн
19+ 43.87 грн
100+ 27.47 грн
500+ 18.04 грн
1000+ 10.99 грн
Мінімальне замовлення: 16
MJD31CQ-13Diodes IncTrans GP BJT NPN 100V 3A 1500mW Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
товару немає в наявності
MJD31CQ-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 3A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 97846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.51 грн
10+ 35.19 грн
100+ 24.15 грн
500+ 17.95 грн
1000+ 16.39 грн
Мінімальне замовлення: 6
MJD31CQ-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 95000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MJD31CQ-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor
на замовлення 6168 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+46.95 грн
10+ 39.58 грн
100+ 23.56 грн
500+ 18.67 грн
1000+ 17.1 грн
2500+ 13.91 грн
Мінімальне замовлення: 8
MJD31CRLonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
товару немає в наявності
MJD31CRLONSOT252/2.5
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD31CRLGonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 19800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+25.34 грн
3600+ 22.7 грн
5400+ 22.09 грн
Мінімальне замовлення: 1800
MJD31CRLGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD31CRLGONSEMIDescription: ONSEMI - MJD31CRLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+41.16 грн
500+ 32.45 грн
1000+ 23.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
MJD31CRLGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD31CRLGonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W NPN
на замовлення 4796 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+66.24 грн
10+ 54.03 грн
100+ 36.55 грн
500+ 31.01 грн
1000+ 30.09 грн
1800+ 24.77 грн
3600+ 22.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
MJD31CRLGonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 19814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.31 грн
10+ 50.94 грн
100+ 35.38 грн
500+ 26.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
MJD31CRLGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD31CRLGONSEMIDescription: ONSEMI - MJD31CRLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+57.88 грн
50+ 49.52 грн
100+ 41.16 грн
500+ 32.45 грн
1000+ 23.54 грн
Мінімальне замовлення: 14
MJD31CS-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT TRANSISTOR NPN DPAK
товару немає в наявності
MJD31CS-TPMicro Commercial CoDescription: TRANSISTOR NPN DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+10.83 грн
5000+ 9.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MJD31CS-TPMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT NPN 100V 3A 1250mW
товару немає в наявності
MJD31CS-TPMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT NPN 100V 3A 1250mW
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
392+31.07 грн
394+ 30.92 грн
396+ 30.77 грн
398+ 29.52 грн
500+ 27.2 грн
1000+ 25.98 грн
Мінімальне замовлення: 392
MJD31CS-TPMicro Commercial CoDescription: TRANSISTOR NPN DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.62 грн
13+ 24.32 грн
100+ 16.5 грн
500+ 12.12 грн
1000+ 11.01 грн
Мінімальне замовлення: 9
MJD31CS-TPMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT NPN 100V 3A 1250mW
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+28.99 грн
25+ 28.85 грн
50+ 27.68 грн
100+ 25.51 грн
250+ 24.37 грн
500+ 24.24 грн
1000+ 24.12 грн
Мінімальне замовлення: 21
MJD31CT4STMicroelectronicsCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 3095 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+29.46 грн
68+ 12.72 грн
185+ 12.05 грн
Мінімальне замовлення: 14
MJD31CT4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD31CT4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD31CT4STMicroelectronics NVBipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch
на замовлення 100 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
MJD31CT4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.05 грн
5000+ 21.84 грн
7500+ 21.61 грн
10000+ 20.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MJD31CT4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.99 грн
5000+ 20.65 грн
7500+ 20.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MJD31CT4ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD31CT4onsemiDescription: TRANS PWR NPN 3A 100V DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
товару немає в наявності
MJD31CT4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD31CT4ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD31CT4STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch
на замовлення 2524 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.26 грн
10+ 54.11 грн
100+ 32.58 грн
500+ 26.12 грн
1000+ 23.99 грн
2500+ 21.58 грн
5000+ 20.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
MJD31CT4STMicroelectronicsCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3095 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+35.35 грн
68+ 15.85 грн
185+ 14.46 грн
Мінімальне замовлення: 9
MJD31CT4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.91 грн
5000+ 23.68 грн
7500+ 23.43 грн
10000+ 22.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MJD31CT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - MJD31CT4 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+78.1 грн
13+ 65.36 грн
100+ 41.08 грн
500+ 31.86 грн
1000+ 21.84 грн
Мінімальне замовлення: 11
MJD31CT4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+10.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MJD31CT4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 10071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.47 грн
10+ 48.2 грн
100+ 33.39 грн
500+ 25.08 грн
1000+ 23.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
MJD31CT4-ASTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+35.26 грн
19+ 33.01 грн
25+ 30.76 грн
Мінімальне замовлення: 18
MJD31CT4-ASTMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.2 грн
5000+ 11.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MJD31CT4-ASTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+27.85 грн
Мінімальне замовлення: 5000
MJD31CT4-ASTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD31CT4-ASTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT LO VLT NPN PWR TRANS
на замовлення 3136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.88 грн
10+ 32.73 грн
100+ 19.38 грн
500+ 15.33 грн
1000+ 13.91 грн
2500+ 10.93 грн
10000+ 10.86 грн
Мінімальне замовлення: 8
MJD31CT4-ASTMicroelectronicsCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
MJD31CT4-ASTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+28.27 грн
10000+ 26.92 грн
Мінімальне замовлення: 5000
MJD31CT4-ASTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - MJD31CT4-A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+76.51 грн
14+ 59.15 грн
100+ 43.07 грн
500+ 34.52 грн
1000+ 24.77 грн
Мінімальне замовлення: 11
MJD31CT4-ASTMicroelectronicsCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
MJD31CT4-ASTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MJD31CT4-ASTMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 5247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.3 грн
11+ 29.13 грн
100+ 19.87 грн
500+ 14.68 грн
1000+ 13.37 грн
Мінімальне замовлення: 7
MJD31CT4-ASTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MJD31CT4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.31 грн
10000+ 13.24 грн
25000+ 13.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MJD31CT4GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
MJD31CT4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD31CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 8441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+32.8 грн
50+ 28.34 грн
100+ 23.8 грн
500+ 19.3 грн
1000+ 15.63 грн
Мінімальне замовлення: 25
MJD31CT4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD31CT4GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
MJD31CT4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5091 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
825+14.77 грн
Мінімальне замовлення: 825
MJD31CT4GON-SemicoductorTransistor NPN; 50; 1,56W; 100V; 3A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Replacement: MJD31CRLG(T&R); MJD31CT4G(T&R); MJD31CG(Tube); MJD31CTF; MJD31T4G; MJD31CT4G; MJD31CG; MJD31CT4G TMJD31c ONS
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+14.79 грн
Мінімальне замовлення: 50
MJD31CT4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD31CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MJD31CT4GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 49265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.98 грн
5000+ 12.46 грн
7500+ 11.95 грн
12500+ 10.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MJD31CT4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 175000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.65 грн
10000+ 14.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MJD31CT4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.28 грн
10000+ 12.3 грн
25000+ 12.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MJD31CT4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 147500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MJD31CT4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 175000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.43 грн
10000+ 13.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MJD31CT4GON-SemicoductorTransistor NPN; 50; 1,56W; 100V; 3A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Replacement: MJD31CRLG(T&R); MJD31CT4G(T&R); MJD31CG(Tube); MJD31CTF; MJD31T4G; MJD31CT4G; MJD31CG; MJD31CT4G TMJD31c ONS
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+14.79 грн
Мінімальне замовлення: 50
MJD31CT4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD31CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 8441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.8 грн
500+ 19.3 грн
1000+ 15.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
MJD31CT4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.56 грн
5000+ 16.21 грн
7500+ 15.92 грн
10000+ 15.04 грн
25000+ 13.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MJD31CT4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5091 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+43.94 грн
20+ 30.55 грн
25+ 30.24 грн
100+ 22.33 грн
250+ 20.47 грн
500+ 15.71 грн
1000+ 12.17 грн
3000+ 11.75 грн
Мінімальне замовлення: 14
MJD31CT4GonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W NPN
на замовлення 43166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+49.27 грн
11+ 31.59 грн
100+ 20.51 грн
500+ 16.18 грн
1000+ 14.69 грн
2500+ 11.64 грн
Мінімальне замовлення: 7
MJD31CT4GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 49265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.6 грн
10+ 30.68 грн
100+ 20.98 грн
500+ 15.52 грн
1000+ 14.15 грн
Мінімальне замовлення: 7
MJD31CT4GMJD32CG
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD31CT4GNonsemiDescription: 3.0 A, 100 V NPN BIPOLAR POWER T
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
MJD31CTFonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
товару немає в наявності
MJD31CTF
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD31CTFON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
MJD31CTFON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD31CTFonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
товару немає в наявності
MJD31CTF-FSFairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN 100V 3A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
товару немає в наявності
MJD31CTF_NBDD001onsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
товару немає в наявності
MJD31CTF_SBDD001AonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
товару немає в наявності
MJD31CUQ-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1692500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.36 грн
5000+ 15.52 грн
7500+ 14.91 грн
12500+ 13.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MJD31CUQ-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor TO252 T&R 2.5K
на замовлення 685 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+56.97 грн
10+ 41.95 грн
100+ 25.05 грн
500+ 19.94 грн
1000+ 18.24 грн
2500+ 16.54 грн
Мінімальне замовлення: 6
MJD31CUQ-13Diodes IncTrans GP BJT NPN 100V 3A 3900mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD31CUQ-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 100V 3A 2600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1692500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MJD31CUQ-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1694370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.58 грн
10+ 37.41 грн
100+ 25.68 грн
500+ 19.12 грн
1000+ 17.48 грн
Мінімальне замовлення: 6
MJD31CUQ-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 100V 3A 2600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
MJD31Gonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
MJD31T4
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD31T4onsemiDescription: TRANS POWER NPN 3A 40V DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1402+14.74 грн
Мінімальне замовлення: 1402
MJD31T4ONSEMIDescription: ONSEMI - MJD31T4 - MJD31T4, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+17.36 грн
Мінімальне замовлення: 1500
MJD31T4/J31ON
на замовлення 33050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD31T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+36.78 грн
100+ 31.67 грн
500+ 26.16 грн
1000+ 23.12 грн
2500+ 20.4 грн
5000+ 19.7 грн
Мінімальне замовлення: 17
MJD31T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD31T4GON Semiconductor
на замовлення 3784 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD31T4GonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 40V 15W NPN
на замовлення 2911 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+56.97 грн
10+ 48.24 грн
100+ 32.79 грн
500+ 27.32 грн
1000+ 25.19 грн
2500+ 24.56 грн
5000+ 24.41 грн
Мінімальне замовлення: 6
MJD31T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
308+39.61 грн
357+ 34.1 грн
500+ 29.22 грн
1000+ 26.89 грн
2500+ 22.89 грн
5000+ 21.21 грн
Мінімальне замовлення: 308
MJD31T4GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 3274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.75 грн
10+ 56.33 грн
100+ 39.26 грн
500+ 29.65 грн
1000+ 27.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
MJD31T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD31T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+39.71 грн
25+ 39.28 грн
100+ 37.46 грн
250+ 34.3 грн
500+ 32.56 грн
1000+ 32.2 грн
Мінімальне замовлення: 16
MJD31T4GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MJD31T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD31T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
285+42.76 грн
288+ 42.3 грн
291+ 41.84 грн
295+ 39.9 грн
500+ 36.53 грн
1000+ 34.67 грн
Мінімальне замовлення: 285
MJD32
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD32onsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT BIP DPAK PNP 3A 40V TR
товару немає в наявності
MJD32BSTTO-252
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD32BT4STMTO-252
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD32BT4STM07+ TO-252
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD32CSTMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
товару немає в наявності
MJD32CSTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT PNP TRANS 100V 3A
товару немає в наявності
MJD32CFAIRCHILD07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD32CMOTSOT252/2.5
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD32C
Код товару: 191777		Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
MJD32CON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
MJD32ConsemiBipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W PNP
товару немає в наявності
MJD32CFAIRCHILDTO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD32C-13Diodes IncTrans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD32C-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 100V 3A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 271905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.6 грн
10+ 30.61 грн
100+ 20.91 грн
500+ 15.46 грн
1000+ 14.09 грн
Мінімальне замовлення: 7
MJD32C-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD32C-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 100V 3A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 270000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.93 грн
5000+ 12.42 грн
7500+ 11.9 грн
12500+ 10.7 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MJD32C-13Diodes IncTrans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD32C-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 100V 3A PNP SMT
на замовлення 2307 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+49.27 грн
10+ 34.36 грн
100+ 20.44 грн
500+ 16.11 грн
1000+ 14.69 грн
2500+ 12.7 грн
Мінімальне замовлення: 7
MJD32C-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD32C-13DIODES INCORPORATEDCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; DPAK,TO252
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Case: DPAK; TO252
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 3MHz
товару немає в наявності
MJD32C-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 270000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.7 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MJD32C-13DIODES INCORPORATEDCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; DPAK,TO252
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Case: DPAK; TO252
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 3MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
MJD32C-TPMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT PNP 100V 3A 1250mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD32C-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT TRANS PNP 100V 3A DPAK
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+58.54 грн
10+ 49.79 грн
100+ 30.02 грн
500+ 25.05 грн
1000+ 21.36 грн
2500+ 20.01 грн
5000+ 17.67 грн
Мінімальне замовлення: 6
MJD32C-TPMicro Commercial CoDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W
товару немає в наявності
MJD32C-TPMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT PNP 100V 3A 1250mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD32C-TPMicro Commercial CoDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W
товару немає в наявності
MJD32C/J32CMOTO
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD32C1onsemiDescription: TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 7900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1402+14.74 грн
Мінімальне замовлення: 1402
MJD32C1
на замовлення 17070 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD32C1ONSEMIDescription: ONSEMI - MJD32C1 - TRANSISTOR
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+17.36 грн
Мінімальне замовлення: 1500
MJD32CANEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD32CA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.9 грн
500+ 14.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
MJD32CANEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD32CA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+32.01 грн
50+ 25.95 грн
100+ 19.9 грн
500+ 14.42 грн
Мінімальне замовлення: 25
MJD32CAJNexperiaTrans GP BJT PNP 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
MJD32CAJNexperia USA Inc.Description: MJD32CA/SOT428/DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.99 грн
11+ 27.58 грн
100+ 18.81 грн
500+ 13.87 грн
1000+ 12.62 грн
Мінімальне замовлення: 8
MJD32CAJNexperia USA Inc.Description: MJD32CA/SOT428/DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.45 грн
5000+ 11.07 грн
7500+ 10.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MJD32CAJNexperiaTrans GP BJT PNP 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
MJD32CAJNEXPERIA100 V, 3 A PNP high power bipolar transistor
товару немає в наявності
MJD32CAJNexperiaBipolar Transistors - BJT MJD32CA/SOT428/DPAK
на замовлення 3714 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.8 грн
13+ 26.28 грн
100+ 15.83 грн
500+ 12.42 грн
1000+ 10.57 грн
5000+ 8.66 грн
10000+ 8.09 грн
Мінімальне замовлення: 11
MJD32CAJ
Код товару: 191470		Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
MJD32CGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
на замовлення 3322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
260+46.87 грн
476+ 25.58 грн
560+ 21.75 грн
1050+ 19.7 грн
2550+ 18.06 грн
Мінімальне замовлення: 260
MJD32CGONSEMIDescription: ONSEMI - MJD32CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+60.75 грн
25+ 31.93 грн
100+ 29.62 грн
500+ 25.28 грн
1000+ 18.63 грн
5000+ 16.38 грн
Мінімальне замовлення: 14
MJD32CGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+29.1 грн
75+ 20.54 грн
Мінімальне замовлення: 21
MJD32CGONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+39.25 грн
25+ 32.82 грн
35+ 25.08 грн
95+ 23.71 грн
Мінімальне замовлення: 11
MJD32CGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 3253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+19.38 грн
Мінімальне замовлення: 18
MJD32CGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
389+31.34 грн
Мінімальне замовлення: 389
MJD32CGonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W PNP
на замовлення 4948 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+50.09 грн
10+ 48.97 грн
75+ 23.07 грн
525+ 19.52 грн
1050+ 17.18 грн
Мінімальне замовлення: 7
MJD32CG
Код товару: 117659		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
MJD32CGONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 270 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+47.1 грн
25+ 40.9 грн
35+ 30.09 грн
95+ 28.45 грн
1200+ 27.41 грн
Мінімальне замовлення: 7
MJD32CGonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 41323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+51.44 грн
75+ 23.89 грн
150+ 21.53 грн
525+ 16.98 грн
1050+ 15.88 грн
Мінімальне замовлення: 6
MJD32CGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
на замовлення 3328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+43.49 грн
75+ 23.74 грн
525+ 19.47 грн
1050+ 16.93 грн
2550+ 16.09 грн
Мінімальне замовлення: 14
MJD32CHE3-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
MJD32CHE3-TPMicro Commercial CoDescription: IGBT TRANSISTORS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
MJD32CJNexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+10.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MJD32CJNEXPERIA100 V, 3 A PNP high power bipolar transistor
товару немає в наявності
MJD32CJNexperiaTrans GP BJT PNP 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD32CJNXPBipolar (BJT) Transistor PNP 100V 3A 3MHz 1.6W Surface Mount DPAK MJD32CJ DPAK(SOT428C) NEXPERIA TMJD32CJ
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+13.42 грн
Мінімальне замовлення: 50
MJD32CJNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD32CJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+29.46 грн
50+ 21.89 грн
100+ 14.25 грн
500+ 11.75 грн
1000+ 9.42 грн
Мінімальне замовлення: 28
MJD32CJNexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
на замовлення 4568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.08 грн
13+ 23.21 грн
100+ 15.72 грн
500+ 11.53 грн
1000+ 10.47 грн
Мінімальне замовлення: 9
MJD32CJNexperiaTrans GP BJT PNP 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD32CJNexperiaBipolar Transistors - BJT MJD32C/SOT428/DPAK
на замовлення 4752 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.8 грн
13+ 26.12 грн
100+ 12.35 грн
1000+ 9.44 грн
2500+ 8.3 грн
10000+ 7.24 грн
25000+ 6.96 грн
Мінімальне замовлення: 11
MJD32CJNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD32CJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.25 грн
500+ 11.75 грн
1000+ 9.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
MJD32CQ-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
560+21.25 грн
Мінімальне замовлення: 560
MJD32CQ-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 100V 3A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
MJD32CQ-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
товару немає в наявності
MJD32CQ-13Diodes IncTrans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+10.93 грн
Мінімальне замовлення: 31
MJD32CQ-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor
на замовлення 2108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+52.33 грн
10+ 39.58 грн
100+ 21.43 грн
500+ 17.1 грн
1000+ 16.96 грн
2500+ 13.91 грн
Мінімальне замовлення: 7
MJD32CQ-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.42 грн
5000+ 20.62 грн
7500+ 19.7 грн
12500+ 18 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MJD32CQ-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
489+24.91 грн
Мінімальне замовлення: 489
MJD32CQ-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.87 грн
12500+ 13.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MJD32CQ-13Diodes IncTrans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+10.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MJD32CQ-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 100V 3A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.51 грн
10+ 35.19 грн
100+ 24.15 грн
500+ 17.95 грн
1000+ 16.39 грн
Мінімальне замовлення: 6
MJD32CQ-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
товару немає в наявності
MJD32CQ-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
449+16.77 грн
500+ 12.69 грн
Мінімальне замовлення: 449
MJD32CQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
MJD32CQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
MJD32CR
на замовлення 180 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD32CRLMOTOROLA
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD32CRLonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
товару немає в наявності
MJD32CRLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+26.44 грн
25+ 26.43 грн
100+ 25.48 грн
250+ 23.59 грн
500+ 22.64 грн
1000+ 22.63 грн
Мінімальне замовлення: 23
MJD32CRLGONSEMIDescription: ONSEMI - MJD32CRLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD32
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+65.92 грн
16+ 52.63 грн
100+ 39.01 грн
500+ 31.57 грн
1000+ 22.18 грн
Мінімальне замовлення: 13
MJD32CRLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
428+27.43 грн
500+ 25.39 грн
1000+ 24.37 грн
Мінімальне замовлення: 428
MJD32CRLGonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 13090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.31 грн
10+ 50.86 грн
100+ 35.33 грн
500+ 26.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
MJD32CRLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD32CRLGONSEMIDescription: ONSEMI - MJD32CRLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD32
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+39.01 грн
500+ 31.57 грн
1000+ 22.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
MJD32CRLG
на замовлення 340 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD32CRLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD32CRLGonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W PNP
на замовлення 1991 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+80.9 грн
10+ 56.15 грн
100+ 35.63 грн
500+ 29.17 грн
1800+ 24.91 грн
3600+ 22.99 грн
9000+ 22.43 грн
Мінімальне замовлення: 5
MJD32CRLGonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 12600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+25.29 грн
3600+ 22.67 грн
5400+ 22.05 грн
Мінімальне замовлення: 1800
MJD32CT4STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD32CT4
Код товару: 113107		Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
MJD32CT4STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.87 грн
5000+ 15.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MJD32CT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - MJD32CT4 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+58.68 грн
17+ 48.72 грн
100+ 30.57 грн
500+ 23.73 грн
1000+ 14.47 грн
Мінімальне замовлення: 14
MJD32CT4STMicroelectronicsCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6566 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+50.39 грн
10+ 46.31 грн
25+ 38.32 грн
71+ 14.64 грн
195+ 13.84 грн
Мінімальне замовлення: 6
MJD32CT4STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD32CT4STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 130010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+8.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MJD32CT4STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur Switch
на замовлення 7862 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+53.16 грн
10+ 43.09 грн
100+ 25.83 грн
500+ 20.44 грн
1000+ 18.74 грн
2500+ 15.47 грн
Мінімальне замовлення: 7
MJD32CT4STMicroelectronicsCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 6566 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+45.38 грн
10+ 38.59 грн
25+ 31.94 грн
71+ 12.2 грн
195+ 11.53 грн
Мінімальне замовлення: 9
MJD32CT4STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.92 грн
5000+ 17.74 грн
7500+ 16.78 грн
12500+ 15.64 грн
25000+ 14.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MJD32CT4STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 5928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.88 грн
10+ 38.37 грн
100+ 26.38 грн
500+ 19.66 грн
1000+ 17.98 грн
Мінімальне замовлення: 6
MJD32CT4STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD32CT4STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.62 грн
5000+ 16.46 грн
7500+ 15.57 грн
12500+ 14.51 грн
25000+ 13.3 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MJD32CT4-ASTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT LO PWR PNP PW TRANS
на замовлення 11057 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+44.63 грн
10+ 37.54 грн
100+ 22.36 грн
500+ 17.67 грн
1000+ 16.11 грн
2500+ 14.41 грн
5000+ 13.91 грн
Мінімальне замовлення: 8
MJD32CT4-ASTMicroelectronicsCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
MJD32CT4-ASTMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD32CT4-ASTMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD32CT4-ASTMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD32CT4-ASTMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MJD32CT4-ASTMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MJD32CT4-ASTMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD32CT4-A
Код товару: 132425		Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
MJD32CT4-ASTMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD32CT4-ASTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - MJD32CT4-A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+47.69 грн
20+ 41 грн
100+ 25.56 грн
500+ 19.81 грн
1000+ 16.51 грн
Мінімальне замовлення: 17
MJD32CT4-ASTMicroelectronicsCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
MJD32CT4-ASTMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MJD32CT4-ASTMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 2644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.2 грн
10+ 33.49 грн
100+ 22.9 грн
500+ 16.99 грн
1000+ 15.51 грн
Мінімальне замовлення: 6
MJD32CT4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD32CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.35 грн
500+ 20.4 грн
1000+ 16.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
MJD32CT4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.87 грн
5000+ 15.48 грн
10000+ 14.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MJD32CT4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.6 грн
5000+ 15.24 грн
10000+ 14.56 грн
25000+ 13.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MJD32CT4GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 16441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.74 грн
10+ 34.67 грн
100+ 23.77 грн
500+ 17.66 грн
1000+ 16.12 грн
Мінімальне замовлення: 6
MJD32CT4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.88 грн
5000+ 16.41 грн
10000+ 15.69 грн
25000+ 14.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MJD32CT4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD32CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+36.62 грн
50+ 31.53 грн
100+ 26.35 грн
500+ 20.4 грн
1000+ 16.38 грн
Мінімальне замовлення: 22
MJD32CT4GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 25...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 3MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
MJD32CT4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.1 грн
5000+ 20.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MJD32CT4GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.98 грн
5000+ 14.27 грн
7500+ 13.7 грн
12500+ 12.59 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MJD32CT4GonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W PNP
на замовлення 13413 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+45.46 грн
10+ 37.63 грн
100+ 23.42 грн
500+ 19.52 грн
1000+ 16.96 грн
2500+ 15.05 грн
5000+ 14.27 грн
Мінімальне замовлення: 8
MJD32CT4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.18 грн
5000+ 16.68 грн
10000+ 15.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MJD32CT4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+36.27 грн
20+ 31.6 грн
25+ 31.36 грн
100+ 22.95 грн
250+ 21.07 грн
500+ 17.06 грн
1000+ 15.71 грн
3000+ 14.37 грн
Мінімальне замовлення: 17
MJD32CT4GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 25...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 3MHz
товару немає в наявності
MJD32CT4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD32CT4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
361+33.77 грн
475+ 25.63 грн
479+ 25.41 грн
568+ 20.67 грн
1000+ 17.63 грн
3000+ 15.48 грн
Мінімальне замовлення: 361
MJD32CTFON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
на замовлення 1297 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
MJD32CTFON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD32CTFonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
товару немає в наявності
MJD32CTFON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD32CTFONSEMIDescription: ONSEMI - MJD32CTF - TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -100V, TO-252-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MJD32CTFonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
товару немає в наявності
MJD32CTF-ONonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
товару немає в наявності
MJD32CTF_NBDD002onsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
товару немає в наявності
MJD32CTF_SBDD002ON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
MJD32CTMonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
товару немає в наявності
MJD32CTMonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
товару немає в наявності
MJD32CTMON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP 100V 1A Epitaxial
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
MJD32CTMON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD32CUQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Pulsed collector current: 5A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
MJD32CUQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - MJD32CUQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.4 грн
500+ 18.41 грн
1000+ 12.9 грн
Мінімальне замовлення: 100
MJD32CUQ-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 100V 3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
MJD32CUQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Pulsed collector current: 5A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
MJD32CUQ-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor TO252 T&R 2.5K
на замовлення 2617 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+50.84 грн
10+ 33.38 грн
100+ 19.87 грн
500+ 15.61 грн
1000+ 14.27 грн
2500+ 13.41 грн
10000+ 12.28 грн
Мінімальне замовлення: 7
MJD32CUQ-13Diodes Zetex100V PNP High Voltage Transistor in TO252 Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
MJD32CUQ-13Diodes Inc100V PNP High Voltage Transistor in TO252
товару немає в наявності
MJD32CUQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - MJD32CUQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+49.36 грн
20+ 40.52 грн
100+ 25.4 грн
500+ 18.41 грн
1000+ 12.9 грн
Мінімальне замовлення: 17
MJD32CUQ-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 100V 3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.06 грн
10+ 29.72 грн
100+ 20.29 грн
500+ 15 грн
1000+ 13.66 грн
Мінімальне замовлення: 7
MJD32Gonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
MJD32RL
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD32RLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD32RLGonsemiDescription: TRANS PNP 40V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.74 грн
10+ 44.73 грн
100+ 30.98 грн
500+ 24.29 грн
Мінімальне замовлення: 6
MJD32RLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD32RLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
MJD32RLGonsemiDescription: TRANS PNP 40V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+22.87 грн
Мінімальне замовлення: 1800
MJD32RLGonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 40V 15W PNP
на замовлення 1817 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+57.79 грн
10+ 49.95 грн
100+ 30.02 грн
500+ 25.05 грн
1000+ 23.07 грн
1800+ 19.3 грн
3600+ 17.96 грн
Мінімальне замовлення: 6
MJD32RLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
256+47.63 грн
357+ 34.17 грн
500+ 28.77 грн
1000+ 26.19 грн
1800+ 20.77 грн
Мінімальне замовлення: 256
MJD32RLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+49.84 грн
14+ 44.23 грн
100+ 31.73 грн
500+ 25.76 грн
1000+ 22.52 грн
1800+ 18.52 грн
Мінімальне замовлення: 13
MJD32T4
на замовлення 1661 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD32T4ONSEMIDescription: ONSEMI - MJD32T4 - MJD32T4, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 12091 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500