![MJD127T4 MJD127T4](https://download.siliconexpert.com/pdfs2/2020/1/20/13/6/26/611896/st_/manual/std7n60dm2.jpg)
MJD127T4 STMicroelectronics
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 11.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJD127T4 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - MJD127T4 - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 20W, euEccn: NLR, Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK), Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 8A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (07-Jul-2017).
Інші пропозиції MJD127T4 за ціною від 14.23 грн до 63.48 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MJD127T4 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MJD127T4 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MJD127T4 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MJD127T4 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MJD127T4 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 8A Power dissipation: 20W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape |
на замовлення 1250 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MJD127T4 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 8A Power dissipation: 20W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1250 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MJD127T4 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 20 W |
на замовлення 442 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MJD127T4 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 908 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MJD127T4 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 20W euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 8A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (07-Jul-2017) |
на замовлення 11228 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
MJD127T4 Код товару: 180295 |
![]() ![]() |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
![]() |
MJD127T4 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
MJD127T4 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
![]() |
MJD127T4 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 20 W |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
MJD127T4 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Darlington Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: DPAK Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.75 W |
товар відсутній |