Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MJD112T4G
MJD112T4G

MJD112T4G ON Semiconductor

2477mjd112-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+16.1 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD112T4G ON Semiconductor

Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Darlington, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A, Current - Collector Cutoff (Max): 20µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V, Frequency - Transition: 25MHz, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 20 W.

Інші пропозиції MJD112T4G за ціною від 14.5 грн до 345.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MJD112T4G MJD112T4G Виробник : ON Semiconductor mjd112-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+17.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MJD112T4G MJD112T4G Виробник : ON Semiconductor mjd112-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
664+18.22 грн
Мінімальне замовлення: 664
MJD112T4G MJD112T4G Виробник : ON Semiconductor mjd112-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+19.1 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MJD112T4G MJD112T4G Виробник : ONSEMI MJD112-D.PDF Description: ONSEMI - MJD112T4G - Darlington-Transistor, NPN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 8530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+28.46 грн
500+ 22.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
MJD112T4G MJD112T4G Виробник : ON Semiconductor mjd112-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+40.62 грн
18+ 34.58 грн
25+ 34.24 грн
100+ 27.09 грн
250+ 24.83 грн
500+ 20.38 грн
1000+ 14.5 грн
Мінімальне замовлення: 15
MJD112T4G MJD112T4G Виробник : onsemi MJD112_D-2315625.pdf Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN
на замовлення 19838 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+49.92 грн
10+ 37.83 грн
100+ 25.37 грн
500+ 22.02 грн
1000+ 18.96 грн
2500+ 17.21 грн
5000+ 15.61 грн
Мінімальне замовлення: 7
MJD112T4G MJD112T4G Виробник : ONSEMI MJD112-D.PDF Description: ONSEMI - MJD112T4G - Darlington-Transistor, NPN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 8530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+54.96 грн
18+ 45.03 грн
100+ 28.46 грн
500+ 22.07 грн
Мінімальне замовлення: 15
MJD112T4G Виробник : ONS mjd112-d.pdf Транз. Бипол. ММ NPN TO-252-3 (DPAK) Uceo=100V; Ic=2A; Pdmax=20W
на замовлення 8 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+345.24 грн
10+ 288.52 грн
MJD112T4G*************
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD112T4G Виробник : ON mjd112-d.pdf
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD112T4G Виробник : ON mjd112-d.pdf 09+
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD112T4G Виробник : ON mjd112-d.pdf TO-252
на замовлення 31000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD112T4G Виробник : ST mjd112-d.pdf TO-252
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD112T4G MJD112T4G Виробник : ON Semiconductor mjd112-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
MJD112T4G MJD112T4G Виробник : onsemi mjd112-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
товар відсутній
MJD112T4G MJD112T4G Виробник : onsemi mjd112-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
товар відсутній