Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MJD243T4G
MJD243T4G

MJD243T4G ON Semiconductor

mjd243-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+18.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD243T4G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJD243T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 4A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 12.5W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 40MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції MJD243T4G за ціною від 16.32 грн до 59.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MJD243T4G MJD243T4G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013776962-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJD243T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+28.54 грн
500+ 24.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
MJD243T4G MJD243T4G Виробник : ON Semiconductor mjd243-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
247+48.88 грн
324+ 37.21 грн
328+ 36.85 грн
500+ 28.35 грн
1000+ 18.44 грн
3000+ 17.58 грн
Мінімальне замовлення: 247
MJD243T4G MJD243T4G Виробник : onsemi mjd243-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 2906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+51.14 грн
10+ 42.8 грн
100+ 29.6 грн
500+ 23.21 грн
1000+ 19.75 грн
Мінімальне замовлення: 6
MJD243T4G MJD243T4G Виробник : ON Semiconductor mjd243-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+52.43 грн
13+ 46.28 грн
25+ 45.39 грн
100+ 33.32 грн
250+ 30.55 грн
500+ 23.4 грн
1000+ 16.44 грн
3000+ 16.32 грн
Мінімальне замовлення: 12
MJD243T4G MJD243T4G Виробник : onsemi MJD243_D-2315743.pdf Bipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W NPN
на замовлення 13839 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+54.34 грн
10+ 46.37 грн
100+ 27.95 грн
500+ 23.36 грн
1000+ 19.26 грн
2500+ 17.59 грн
Мінімальне замовлення: 6
MJD243T4G MJD243T4G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013776962-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJD243T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+59.97 грн
16+ 49.91 грн
100+ 28.54 грн
500+ 24.41 грн
Мінімальне замовлення: 14
MJD243T4G mjd243-d.pdf
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD243T4G*************
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD243T4G MJD243T4G Виробник : ON Semiconductor mjd243-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
MJD243T4G MJD243T4G Виробник : onsemi mjd243-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
товар відсутній