![MJD127T4G MJD127T4G](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/f58bcd78ed5fb07ced3708ceca182724942fc19e/fcd260n65s3.jpg)
MJD127T4G ON Semiconductor
на замовлення 332500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 18.51 грн |
30000+ | 18.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJD127T4G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJD127T4G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 12hFE, Dauer-Kollektorstrom: 8A, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 20W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 8A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції MJD127T4G за ціною від 18.71 грн до 69.05 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MJD127T4G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MJD127T4G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MJD127T4G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MJD127T4G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MJD127T4G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MJD127T4G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.75 W |
на замовлення 12235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MJD127T4G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 12hFE Dauer-Kollektorstrom: 8A usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 20W euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 8A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 2390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MJD127T4G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MJD127T4G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 8A Power dissipation: 20W Case: DPAK Mounting: SMD |
на замовлення 2471 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MJD127T4G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.75 W |
на замовлення 13641 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MJD127T4G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 8A Power dissipation: 20W Case: DPAK Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2471 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MJD127T4G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 26682 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MJD127T4G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 12hFE usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 20W euEccn: NLR Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 8A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 2390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
MJD127T4G | Виробник : ONS |
![]() |
на замовлення 10 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MJD127T4G************* |
на замовлення 17500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
![]() |
MJD127T4G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |