![MJD31CT4G MJD31CT4G](https://download.siliconexpert.com/pdfs2/2019/7/28/17/38/58/573305/ons_/manual/fcd260n65s3.jpg)
MJD31CT4G ON Semiconductor
на замовлення 140000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 12.9 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJD31CT4G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJD31CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 3A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції MJD31CT4G за ціною від 10.88 грн до 51.16 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MJD31CT4G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MJD31CT4G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.56 W |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MJD31CT4G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 62500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MJD31CT4G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 62500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MJD31CT4G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MJD31CT4G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1391 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MJD31CT4G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 140000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MJD31CT4G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 140000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MJD31CT4G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 8716 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MJD31CT4G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.56 W |
на замовлення 40676 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MJD31CT4G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 43397 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MJD31CT4G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 8716 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
MJD31CT4G | Виробник : ON-Semicoductor |
![]() кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 1660 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MJD31CT4G | Виробник : ON-Semicoductor |
![]() кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
MJD31CT4G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
MJD31CT4G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 3A Power dissipation: 15W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
MJD31CT4G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 3A Power dissipation: 15W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape |
товар відсутній |