![MJD253-1G MJD253-1G](https://www.mouser.com/images/onsemiconductor/lrg/IPAK_3_DSL.jpg)
на замовлення 1068 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 48.38 грн |
10+ | 40.63 грн |
75+ | 27.39 грн |
1050+ | 21.19 грн |
2550+ | 14.77 грн |
11550+ | 12.89 грн |
26400+ | 12.2 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJD253-1G onsemi
Description: TRANS PNP 100V 4A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V, Frequency - Transition: 40MHz, Supplier Device Package: I-PAK, Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 1.4 W.
Інші пропозиції MJD253-1G за ціною від 29.67 грн до 51.26 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MJD253-1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: I-PAK Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.4 W |
на замовлення 464 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
MJD253-1G Код товару: 133001 |
![]() |
товар відсутній
|
|||||||||||
![]() |
MJD253-1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |