MJD112-1G

MJD112-1G ON Semiconductor


2477mjd112-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 24750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
75+29.28 грн
Мінімальне замовлення: 75
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD112-1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJD112-1G - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 12000hFE, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 20W, euEccn: NLR, Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK), Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 2A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

Інші пропозиції MJD112-1G за ціною від 25.93 грн до 73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MJD112-1G MJD112-1G Виробник : ON Semiconductor mjd112-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 2065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
347+34.84 грн
525+ 34.54 грн
1050+ 33.36 грн
Мінімальне замовлення: 347
MJD112-1G MJD112-1G Виробник : ON Semiconductor mjd112-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 2065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+44.38 грн
75+ 32.35 грн
525+ 30.93 грн
1050+ 27.66 грн
Мінімальне замовлення: 14
MJD112-1G MJD112-1G Виробник : ONSEMI mjd112-d.pdf Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; IPAK
Mounting: THT
Current gain: 100...12000
Collector current: 2A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 1.75W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Case: IPAK
Collector-emitter voltage: 100V
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+60.83 грн
8+ 50.84 грн
21+ 41.64 грн
57+ 39.32 грн
Мінімальне замовлення: 7
MJD112-1G MJD112-1G Виробник : onsemi MJD112_D-2315625.pdf Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+68.62 грн
10+ 54.85 грн
75+ 34.34 грн
525+ 33.09 грн
1050+ 27.04 грн
2475+ 26.49 грн
4950+ 25.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
MJD112-1G MJD112-1G Виробник : onsemi mjd112-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+71.44 грн
75+ 55.31 грн
150+ 43.83 грн
525+ 34.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
MJD112-1G MJD112-1G Виробник : ONSEMI mjd112-d.pdf Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; IPAK
Mounting: THT
Current gain: 100...12000
Collector current: 2A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 1.75W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Case: IPAK
Collector-emitter voltage: 100V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 136 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+73 грн
5+ 63.35 грн
21+ 49.97 грн
57+ 47.19 грн
300+ 45.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
MJD112-1G MJD112-1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013276751-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJD112-1G - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 12000hFE
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MJD112-1G Виробник : ON Semiconductor mjd112-d.pdf
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD112-1G MJD112-1G Виробник : ON Semiconductor mjd112-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товар відсутній