![MJD117G MJD117G](https://download.siliconexpert.com/pdfs2/2019/7/28/17/38/58/573305/ons_/manual/fcd260n65s3.jpg)
MJD117G ON Semiconductor
на замовлення 2534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
14+ | 24.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJD117G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJD117G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 4 Pin(s), tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 20W, euEccn: NLR, Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK), Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 2A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції MJD117G за ціною від 21.51 грн до 72.63 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MJD117G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2534 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MJD117G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2533 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MJD117G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 20µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V Frequency - Transition: 25MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.75 W |
на замовлення 1926 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MJD117G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 1625 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MJD117G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 20W euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 2A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 2200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MJD117G Код товару: 79758 |
Виробник : ON |
![]() Корпус: TO-252 Uке, В: 100 V Uкб, В: 100 V Iк, А: 2 A |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
![]() |
MJD117G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |