Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MJD253T4G
MJD253T4G

MJD253T4G ON Semiconductor

mjd243-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 110000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+12.85 грн
5000+ 12.1 грн
25000+ 11.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD253T4G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJD253T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 4 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 4A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 12.5W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 40MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції MJD253T4G за ціною від 10.66 грн до 39.2 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MJD253T4G MJD253T4G Виробник : onsemi mjd243-d.pdf Description: TRANS PNP 100V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+13.21 грн
5000+ 12.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MJD253T4G MJD253T4G Виробник : ON Semiconductor mjd243-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
32+18.81 грн
33+ 18.35 грн
100+ 15.62 грн
250+ 14.33 грн
500+ 12.84 грн
1000+ 11.52 грн
Мінімальне замовлення: 32
MJD253T4G MJD253T4G Виробник : ON Semiconductor mjd243-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
612+19.76 грн
693+ 17.45 грн
700+ 17.28 грн
750+ 15.55 грн
1000+ 12.92 грн
Мінімальне замовлення: 612
MJD253T4G MJD253T4G Виробник : ONSEMI 2353897.pdf Description: ONSEMI - MJD253T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 4 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+20.95 грн
500+ 16.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
MJD253T4G MJD253T4G Виробник : onsemi MJD243_D-2315743.pdf Bipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W PNP
на замовлення 43208 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+29.51 грн
13+ 25.81 грн
100+ 17.35 грн
500+ 14.7 грн
1000+ 12.68 грн
2500+ 11.01 грн
10000+ 10.66 грн
Мінімальне замовлення: 12
MJD253T4G MJD253T4G Виробник : ONSEMI 2353897.pdf Description: ONSEMI - MJD253T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 4 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
22+36.67 грн
25+ 31.35 грн
100+ 20.95 грн
500+ 16.04 грн
Мінімальне замовлення: 22
MJD253T4G MJD253T4G Виробник : onsemi mjd243-d.pdf Description: TRANS PNP 100V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 11667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+39.2 грн
10+ 32.23 грн
100+ 22.43 грн
500+ 16.43 грн
1000+ 13.36 грн
Мінімальне замовлення: 8
MJD253T4G*************
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD253T4G
Код товару: 172039 		mjd243-d.pdf Транзистори > Біполярні PNP
товар відсутній
MJD253T4G MJD253T4G Виробник : ON Semiconductor mjd243-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
MJD253T4G MJD253T4G Виробник : ON Semiconductor mjd243-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній