![MJD122T4 MJD122T4](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/74/9F/A0/00/0/719175_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=be3159cf110137946dcbc893185ba51f280afbb4)
MJD122T4 STMicroelectronics
![mjd122.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 100...1000
Mounting: SMD
на замовлення 3553 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 51.47 грн |
10+ | 41.93 грн |
48+ | 17.96 грн |
130+ | 16.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJD122T4 STMicroelectronics
Description: TRANS DARL NPN 8A 100V DPAK, Packaging: Cut Tape (CT), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Darlington, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 15mA, 4A, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V, Frequency - Transition: 4MHz, Supplier Device Package: DPAK, Current - Collector (Ic) (Max): 8 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 20 W.
Інші пропозиції MJD122T4 за ціною від 19.05 грн до 61.77 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MJD122T4 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 20 W |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MJD122T4 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 15186 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MJD122T4 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 8A Power dissipation: 20W Case: DPAK Current gain: 100...1000 Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3553 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
MJD122T4 | Виробник : STMicroelectronics NV |
![]() ![]() |
на замовлення 308 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
MJD122T4 (MJD122T4G) (транзистор біполярный NPN) Код товару: 30180 |
Виробник : ON |
![]() Корпус: D-Pak Uceo,V: 100 V Ucbo,V: 100 V Ic,A: 8 A h21: 5000 Примітка: Дарлінгтон |
товар відсутній
|
||||||||||||||||||
![]() |
MJD122T4 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
MJD122T4 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
MJD122T4 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
MJD122T4 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
MJD122T4 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
![]() |
MJD122T4 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 20 W |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
MJD122T4 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 15mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: DPAK Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 20 W |
товар відсутній |