MJD31CT4 STMicroelectronics
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 9.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJD31CT4 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - MJD31CT4 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 3A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції MJD31CT4 за ціною від 11.91 грн до 76.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MJD31CT4 | Виробник : STMicroelectronics |
 Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 3A Power dissipation: 15W Case: DPAK Current gain: 10...50 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape |
на замовлення 1757 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJD31CT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 17500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD31CT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 3A Power dissipation: 15W Case: DPAK Current gain: 10...50 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1757 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD31CT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 17500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJD31CT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 15 W |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD31CT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 15 W |
на замовлення 11043 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJD31CT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch |
на замовлення 1284 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJD31CT4 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - MJD31CT4 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: -MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3214 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| MJD31CT4 | Виробник : STMicroelectronics NV |
Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch |
на замовлення 100 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
MJD31CT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
MJD31CT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| MJD31CT4 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| MJD31CT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
MJD31CT4 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |