![MJD32CG MJD32CG](https://download.siliconexpert.com/pdfs2/2019/7/28/17/38/58/573305/ons_/manual/fcd260n65s3.jpg)
MJD32CG ON Semiconductor
на замовлення 1311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
18+ | 19.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJD32CG ON Semiconductor
Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 50µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V, Frequency - Transition: 3MHz, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 1.56 W.
Інші пропозиції MJD32CG за ціною від 15.63 грн до 62.78 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MJD32CG | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK Mounting: SMD Case: DPAK Kind of package: tube Power dissipation: 15W Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 3A Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar |
на замовлення 83 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MJD32CG | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1311 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MJD32CG | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1298 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MJD32CG | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK Mounting: SMD Case: DPAK Kind of package: tube Power dissipation: 15W Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 3A Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 83 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MJD32CG | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 595 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MJD32CG | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.56 W |
на замовлення 18554 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MJD32CG | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 5944 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MJD32CG | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 595 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MJD32CG | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: No Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1795 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MJD32CG Код товару: 117659 |
![]() |
товар відсутній
|