Продукція > ON SEMICONDUCTOR / FAIRCHILD > MJD117TF
MJD117TF

MJD117TF ON Semiconductor / Fairchild

MJD117-1120890.pdf Виробник: ON Semiconductor / Fairchild
Darlington Transistors PNP Silicon Darl
на замовлення 18518 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD117TF ON Semiconductor / Fairchild

Description: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Darlington, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A, Current - Collector Cutoff (Max): 20µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V, Frequency - Transition: 25MHz, Supplier Device Package: DPAK, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 1.75 W.

Інші пропозиції MJD117TF за ціною від 24.1 грн до 24.1 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MJD117TF Виробник : ONSEMI FAIRS18080-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - MJD117TF - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 24317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+24.1 грн
Мінімальне замовлення: 2000
MJD117TF DS_488_MJD117.pdf
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD117TF MJD117TF Виробник : ON Semiconductor 3659832137589303mjd117.pdf Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
MJD117TF MJD117TF Виробник : onsemi DS_488_MJD117.pdf Description: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товар відсутній
MJD117TF MJD117TF Виробник : onsemi DS_488_MJD117.pdf Description: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товар відсутній