Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MJD31CG
MJD31CG

MJD31CG ON Semiconductor

mjd31-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 7192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+24.96 грн
Мінімальне замовлення: 14
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD31CG ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJD31CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 3A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції MJD31CG за ціною від 22.44 грн до 70.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MJD31CG MJD31CG Виробник : ONSEMI MJD31_MJD32.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Mounting: SMD
Case: DPAK
Kind of package: tube
Power dissipation: 15W
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+51.83 грн
10+ 42.76 грн
26+ 33.39 грн
70+ 31.58 грн
Мінімальне замовлення: 8
MJD31CG MJD31CG Виробник : ON Semiconductor mjd31-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 2244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
209+57.89 грн
305+ 39.67 грн
525+ 34.36 грн
1050+ 27.97 грн
Мінімальне замовлення: 209
MJD31CG MJD31CG Виробник : onsemi mjd31-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+61.06 грн
75+ 47.57 грн
150+ 37.7 грн
Мінімальне замовлення: 5
MJD31CG MJD31CG Виробник : ONSEMI MJD31_MJD32.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Mounting: SMD
Case: DPAK
Kind of package: tube
Power dissipation: 15W
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 155 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+62.2 грн
10+ 53.28 грн
26+ 40.07 грн
70+ 37.89 грн
750+ 36.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
MJD31CG MJD31CG Виробник : ON Semiconductor mjd31-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 2256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+62.74 грн
11+ 54.44 грн
75+ 37.3 грн
525+ 31.16 грн
1050+ 24.36 грн
Мінімальне замовлення: 10
MJD31CG MJD31CG Виробник : onsemi MJD31_D-2315971.pdf Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W NPN
на замовлення 8370 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+62.77 грн
10+ 56.02 грн
75+ 33.8 грн
525+ 29.62 грн
1050+ 24.74 грн
2550+ 23.83 грн
3375+ 22.44 грн
Мінімальне замовлення: 6
MJD31CG MJD31CG Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013299202-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJD31CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+70.67 грн
21+ 38.78 грн
100+ 36.43 грн
500+ 31.65 грн
1000+ 26.47 грн
Мінімальне замовлення: 12
MJD31CG MJD31CG
Код товару: 117657 		mjd31-d.pdf Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товар відсутній
MJD31CG MJD31CG Виробник : ON Semiconductor mjd31-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товар відсутній
MJD31CG MJD31CG Виробник : ON Semiconductor mjd31-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товар відсутній
MJD31CG MJD31CG Виробник : ON Semiconductor mjd31-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товар відсутній