MJD122G ON Semiconductor
на замовлення 12525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1650+ | 29.29 грн |
| 2700+ | 29 грн |
| 5400+ | 28.19 грн |
| 10800+ | 26.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJD122G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJD122G - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 1.75 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 12hFE, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.75W, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK), Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 8A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції MJD122G за ціною від 24.96 грн до 77.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MJD122G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
на замовлення 4022 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD122G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
на замовлення 4018 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD122G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
на замовлення 4022 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJD122G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD Darlington transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.75W; DPAK Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 8A Power dissipation: 1.75W Case: DPAK Current gain: 300 Mounting: SMD Kind of package: tube Frequency: 4MHz |
на замовлення 159 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD122G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
на замовлення 1495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD122G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
на замовлення 1495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJD122G | Виробник : onsemi |
Darlington Transistors 8A 100V Bipolar Power NPN |
на замовлення 16952 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD122G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD Darlington transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.75W; DPAK Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 8A Power dissipation: 1.75W Case: DPAK Current gain: 300 Mounting: SMD Kind of package: tube Frequency: 4MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 159 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJD122G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 20 W |
на замовлення 2775 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJD122G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD122G - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 1.75 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 12hFE Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.75W euEccn: NLR Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 8A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2208 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| MJD122G | Виробник : ON-Semicoductor |
darl.NPN 5A 100V 20W MJD122G, MJD122T4G, MJD122T4, MJD122TF, MJE122-TP MJD122T4 smd TMJD122t4 кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 299 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| MJD122G | Виробник : ONS |
Транз. Бипол. ММ NPN TO-252-3 (DPAK) Uceo=100V; Ic=8A; Pdmax=20W; |
на замовлення 394 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| MJD122G | Виробник : On Semiconductor |
NPN Darl. DPAK |
на замовлення 500 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
MJD122G Код товару: 165785 |
Транзистори > Біполярні NPN |
товар відсутній
|