Продукція > IKW

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

IKW03N120H

Infineon Technologies

Description: IGBT WITH ANTI-PARALLEL DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Td (on/off) @ 25°C: 9.2ns/281ns
Switching Energy: 140µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 800V, 3A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 22 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 9.6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 9.9 A
Power - Max: 62.5 W

на замовлення 683 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

226+	95.04 грн

Мінімальне замовлення: 226

IKW03N120H2

Infineon Technologies

Description: IGBT WITH ANTI-PARALLEL DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Td (on/off) @ 25°C: 9.2ns/281ns
Switching Energy: 290µJ
Test Condition: 800V, 3A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 22 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 9.6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 9.9 A
Power - Max: 62.5 W

товар відсутній

IKW03N120H2

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 9.6A 62500mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW03N120H2

TO-247

на замовлення 8640 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IKW03N120H2

Infineon Technologies

IGBT Transistors HIGH SPEED 2 TECH 1200V 3A

товар відсутній

IKW03N120H2

07+;

на замовлення 3145 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IKW03N120H2FKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Td (on/off) @ 25°C: 9.2ns/281ns
Switching Energy: 290µJ
Test Condition: 800V, 3A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 22 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 9.6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 9.9 A
Power - Max: 62.5 W

товар відсутній

IKW03N120H2FKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Td (on/off) @ 25°C: 9.2ns/281ns
Switching Energy: 290µJ
Test Condition: 800V, 3A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 22 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 9.6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 9.9 A
Power - Max: 62.5 W

на замовлення 3415 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

219+	100.44 грн

Мінімальне замовлення: 219

IKW03N120H2FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 9.6A 62.5mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW08N120

на замовлення 480 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IKW08N120CS7XKSA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors INDUSTRY 14

на замовлення 335 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	505.48 грн
10+	447.44 грн
25+	368.06 грн
100+	318.79 грн

IKW08N120CS7XKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 14A; 53W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 14A
Pulsed collector current: 24A
Turn-on time: 31ns
Turn-off time: 0.5µs
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 53W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 52nC
Technology: TRENCHSTOP™
Mounting: THT
Case: TO247-3

товар відсутній

IKW08N120CS7XKSA1

Infineon Technologies

Short Circuit Rugged IGBT 7 Technology

товар відсутній

IKW08N120CS7XKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 14A; 53W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 14A
Pulsed collector current: 24A
Turn-on time: 31ns
Turn-off time: 0.5µs
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 53W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 52nC
Technology: TRENCHSTOP™
Mounting: THT
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IKW08N120CS7XKSA1

Infineon Technologies

Description: INDUSTRY 14 PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 130 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/160ns
Switching Energy: 370µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 600V, 8A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 52 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 21 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 106 W

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	468.68 грн
10+	405.59 грн

IKW08N120CS7XKSA1

Description: INFINEON - IKW08N120CS7XKSA1 - IGBT, 21 A, 1.65 V, 106 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 106W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 21A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 74 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	390.95 грн
10+	278.78 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKW08T120

MODULE

на замовлення 100087 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IKW08T120

Infineon technologies

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IKW08T120
Код товару: 113720

Транзистори > IGBT

товар відсутній

IKW08T120

Infineon Technologies

IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 8A

на замовлення 823 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	270.49 грн
10+	224.13 грн
25+	184.03 грн
100+	157.95 грн
240+	133.31 грн
1200+	120.27 грн
2640+	113.03 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW08T120FKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 8A; 70W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Power dissipation: 70W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 53nC
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 8A
Pulsed collector current: 24A
Turn-on time: 63ns
Turn-off time: 520ns
Type of transistor: IGBT

на замовлення 35 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	180.44 грн
8+	123.77 грн
20+	116.98 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKW08T120FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 16A 70W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

54+	228.53 грн
59+	210.16 грн
67+	183.44 грн
240+	156.68 грн

Мінімальне замовлення: 54

IKW08T120FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 16A 70000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 972 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	98.9 грн

Мінімальне замовлення: 4

IKW08T120FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 16A 70W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 252 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	213.39 грн
10+	196.26 грн
25+	171.27 грн
240+	146.23 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKW08T120FKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 8A; 70W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Power dissipation: 70W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 53nC
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 8A
Pulsed collector current: 24A
Turn-on time: 63ns
Turn-off time: 520ns
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 35 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	216.52 грн
8+	154.24 грн
20+	140.38 грн
120+	136.76 грн
240+	134.94 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW08T120FKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT NPT FS 1200V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/450ns
Switching Energy: 1.37mJ
Test Condition: 600V, 8A, 81Ohm, 15V
Gate Charge: 53 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 70 W

товар відсутній

IKW08T120FKSA1
Код товару: 166948

Транзистори > IGBT

товар відсутній

IKW08T120FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 16A 70W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

42+	298.01 грн
55+	227.35 грн
63+	196.63 грн
100+	181.7 грн
200+	167.33 грн

Мінімальне замовлення: 42

IKW08T120FKSA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 8A

на замовлення 211 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	271.34 грн
10+	254.13 грн
25+	204.32 грн
240+	149.25 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW08T120FKSA1

Description: INFINEON - IKW08T120FKSA1 - IGBT, Universal, 16 A, 2.2 V, 70 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 16A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 225 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	291.79 грн
10+	156.87 грн
100+	133.3 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKW08T120FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 16A 70W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW08T120FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 16A 70W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 6480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	141.74 грн

Мінімальне замовлення: 240

IKW15N120BH6

Infineon Technologies

Infineon INDUSTRY 14

товар відсутній

IKW15N120BH6XKSA1
Код товару: 174089

Транзистори > IGBT

товар відсутній

IKW15N120BH6XKSA1

Description: INFINEON - IKW15N120BH6XKSA1 - IGBT, 30 A, 1.9 V, 200 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 74 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	273.09 грн
10+	192.63 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKW15N120BH6XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 367 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

41+	306.21 грн
53+	233.49 грн
61+	202.77 грн
100+	186.64 грн
200+	171.9 грн

Мінімальне замовлення: 41

IKW15N120BH6XKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 100W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 100W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 92nC
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 60A
Collector current: 15A

на замовлення 166 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	285.28 грн
8+	119.25 грн
21+	113.21 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW15N120BH6XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW15N120BH6XKSA1

Infineon Technologies

IGBTs Y

на замовлення 346 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	293.32 грн
10+	265.8 грн
25+	191.28 грн
100+	178.24 грн
240+	145.63 грн
480+	121 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW15N120BH6XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW15N120BH6XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 20880 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	138.05 грн

Мінімальне замовлення: 240

IKW15N120BH6XKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 100W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 100W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 92nC
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 60A
Collector current: 15A
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 166 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	342.34 грн
8+	148.6 грн
21+	135.85 грн

IKW15N120BH6XKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT 1200 V 15A TO247-3-46
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 340 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/240ns
Switching Energy: 700µJ (on), 550µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 92 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 200 W

товар відсутній

IKW15N120CS7XKSA1

Infineon Technologies

IGBT7 S7 with Anti-parallel Diode

товар відсутній

IKW15N120CS7XKSA1

Infineon Technologies

IGBT7 S7 with Anti-parallel Diode

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	375.7 грн
10+	369.02 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW15N120CS7XKSA1

Infineon Technologies

SP005419706

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	205.41 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW15N120CS7XKSA1

Infineon Technologies

IGBTs 1200 V, 15 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package

на замовлення 7 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	522.39 грн
10+	419.94 грн
25+	284.02 грн
100+	243.44 грн
240+	242.72 грн
480+	220.98 грн

IKW15N120CS7XKSA1

Infineon Technologies

IGBT7 S7 with Anti-parallel Diode

товар відсутній

IKW15N120CS7XKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 1200V 36A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 135 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/170ns
Switching Energy: 750µJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 36 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 176 W

на замовлення 210 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	463.98 грн
30+	255.35 грн
120+	213.17 грн

IKW15N120CS7XKSA1

Infineon Technologies

IGBT7 S7 with Anti-parallel Diode

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IKW15N120CS7XKSA1

Description: INFINEON - IKW15N120CS7XKSA1 - IGBT, 36 A, 1.65 V, 176 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 36A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 224 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	507.17 грн
10+	356.81 грн
100+	233.27 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW15N120CS7XKSA1

Infineon Technologies

IGBT7 S7 with Anti-parallel Diode

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	536.63 грн
30+	414.76 грн
50+	374.82 грн
100+	342.67 грн
200+	301.74 грн

Мінімальне замовлення: 23

IKW15N120H3

Infineon Technologies

Description: IKW15N120 - DISCRETE IGBT WITH A

товар відсутній

IKW15N120H3

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 140 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

34+	363.2 грн
36+	347.59 грн
50+	334.35 грн
100+	311.47 грн

Мінімальне замовлення: 34

IKW15N120H3
Код товару: 100561

Транзистори > IGBT

товар відсутній

IKW15N120H3

Infineon Technologies

IGBTs IGBT PRODUCTS

на замовлення 260 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	430.25 грн
10+	356.62 грн
25+	292.71 грн
100+	250.69 грн
240+	236.2 грн
480+	222.43 грн
1200+	189.83 грн

IKW15N120H3FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	269.49 грн

Мінімальне замовлення: 240

IKW15N120H3FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 88 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	291.45 грн
10+	287.19 грн
25+	256 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKW15N120H3FKSA1

Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 60A; 217W; 5,0V~6,5V; 75nC; -40°C~175°C; Replacement: IKW15N120H3FKSA1; IKW15N120H3; IKW15N120H3FKSA1 TIKW15n120h3

на замовлення 10 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

IKW15N120H3FKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Manufacturer series: H3
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 217W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 75nC
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 60A
Collector current: 30A

товар відсутній

IKW15N120H3FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 88 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

40+	313.87 грн

Мінімальне замовлення: 40

IKW15N120H3FKSA1

Description: INFINEON - IKW15N120H3FKSA1 - IGBT, 30 A, 2.05 V, 217 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 217W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	444.59 грн
10+	321.86 грн
100+	213.76 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW15N120H3FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

44+	279.58 грн
50+	274.46 грн

Мінімальне замовлення: 44

IKW15N120H3FKSA1

Infineon Technologies

IGBTs IGBT PRODUCTS

на замовлення 649 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	450.54 грн
10+	441.6 грн
25+	247.79 грн
100+	207.22 грн
240+	206.49 грн
480+	194.9 грн
1200+	178.96 грн

IKW15N120H3FKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Manufacturer series: H3
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 217W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 75nC
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 60A
Collector current: 30A
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IKW15N120H3FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 377 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

41+	300.62 грн
42+	296.43 грн
47+	266.1 грн
100+	235.92 грн
240+	216.8 грн

Мінімальне замовлення: 41

IKW15N120H3FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW15N120H3FKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 260 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/260ns
Switching Energy: 1.55mJ
Test Condition: 600V, 15A, 35Ohm, 15V
Gate Charge: 75 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 217 W

на замовлення 200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	449.87 грн
30+	246.95 грн
120+	205.93 грн

IKW15N120H3FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 377 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	282.03 грн
10+	278.1 грн
25+	249.65 грн
100+	221.34 грн
240+	203.39 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKW15N120H3FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 377 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	196.95 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW15N120T2

Infineon Technologies

IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 15A

на замовлення 211 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	567.19 грн
10+	505.76 грн
25+	391.25 грн
100+	366.61 грн
240+	184.76 грн

IKW15N120T2
Код товару: 126256

Транзистори > IGBT

товар відсутній

IKW15N120T2FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 235W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

44+	285.72 грн
46+	272.41 грн
50+	245.78 грн
200+	236.02 грн

Мінімальне замовлення: 44

IKW15N120T2FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 235W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 266 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	327.2 грн
10+	311.76 грн
25+	302.1 грн
50+	281.7 грн
100+	175.04 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW15N120T2FKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT 1200V 30A 235W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 300 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/362ns
Switching Energy: 2.05mJ
Test Condition: 600V, 15A, 41.8Ohm, 15V
Gate Charge: 93 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 235 W

товар відсутній

IKW15N120T2FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 235W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 266 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

59+	211.13 грн

Мінімальне замовлення: 59

IKW15N120T2FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 235000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 182 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	181.74 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW15N120T2FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 235W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 182 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	456.66 грн
30+	420.81 грн
31+	398.95 грн
50+	272.44 грн
100+	195.11 грн

Мінімальне замовлення: 27

IKW15N120T2FKSA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors INDUSTRY 14

товар відсутній

IKW15N120T2FKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 235W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-off time: 457ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 235W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 93nC
Turn-on time: 57ns
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 60A
Collector current: 30A
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 33 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	428.17 грн
3+	371.5 грн
4+	274.42 грн
11+	259.02 грн

IKW15N120T2FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 235W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW15N120T2FKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 235W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-off time: 457ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 235W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 93nC
Turn-on time: 57ns
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 60A
Collector current: 30A

на замовлення 33 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	356.81 грн
3+	298.12 грн
4+	228.68 грн
11+	215.85 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW15N120T2FKSA1

Description: INFINEON - IKW15N120T2FKSA1 - IGBT, 30 A, 1.7 V, 235 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 235W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TrenchStop® 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 519 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	609.58 грн
10+	313.73 грн
100+	234.08 грн
500+	206.79 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW15N120T2FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 235W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 182 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	428.43 грн
10+	394.8 грн
25+	374.29 грн
50+	255.59 грн
100+	183.05 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW15T120

Infineon Technologies

IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 15A

товар відсутній

IKW15T120
Код товару: 119901

Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 1200 V
Vce: 1,7 V
Ic 25: 30 A
Ic 100: 15 A
Pd 25: 110 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 50/520

у наявності 33 шт:

17 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
7 шт - РАДІОМАГ-Одеса
4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро

1+	155 грн
10+	144 грн

IKW15T120

Infineon Technologies

Description: IKW15T120 - DISCRETE IGBT WITH A
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/520ns
Switching Energy: 1.3mJ (on), 1.4mJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 56Ohm, 15V
Gate Charge: 85 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 110 W

товар відсутній

IKW15T120 E8161

Infineon Technologies

IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 15A

товар відсутній

IKW15T120FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 110000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW15T120FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 110W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 14730 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

37+	335.1 грн
3000+	331.65 грн
6000+	328.3 грн
9000+	313.25 грн

Мінімальне замовлення: 37

IKW15T120FKSA1

Infineon Technologies

IGBTs INDUSTRY 14

товар відсутній

IKW15T120FKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT 1200V 30A 110W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/520ns
Switching Energy: 2.7mJ
Test Condition: 600V, 15A, 56Ohm, 15V
Gate Charge: 85 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 110 W

товар відсутній

IKW15T120FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 110W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 14730 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	312.06 грн
3000+	308.85 грн
6000+	305.73 грн
9000+	291.72 грн

Мінімальне замовлення: 240

IKW15T120T2

MODULE

на замовлення 59 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IKW20N60H3

Infineon Technologies

IGBTs 600V 20A 170W

товар відсутній

IKW20N60H3

Infineon Technologies

Description: IKW20N60 - DISCRETE IGBT WITH AN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 112 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/194ns
Switching Energy: 560µJ (on), 240µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 170 W

товар відсутній

IKW20N60H3

Infineon technologies

на замовлення 140 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IKW20N60H3

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

29+	428.28 грн
46+	272.63 грн
56+	221.45 грн
100+	199.44 грн

Мінімальне замовлення: 29

IKW20N60H3FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW20N60H3FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 165 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

63+	195.35 грн
67+	184.46 грн
78+	159.21 грн
100+	134.37 грн

Мінімальне замовлення: 63

IKW20N60H3FKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 85W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 205ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

на замовлення 27 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	286.91 грн
3+	240 грн
5+	183.4 грн
14+	173.59 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW20N60H3FKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 85W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 205ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 27 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	344.29 грн
3+	299.08 грн
5+	220.08 грн
14+	208.3 грн

IKW20N60H3FKSA1

Description: INFINEON - IKW20N60H3FKSA1 - IGBT, 20 A, 2.4 V, 170 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 182 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	237.33 грн
10+	165.81 грн
100+	111.35 грн

Мінімальне замовлення: 4

IKW20N60H3FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW20N60H3FKSA1

Infineon Technologies

IGBTs 600V 20A 170W

на замовлення 1409 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	251.05 грн
10+	239.97 грн
25+	144.18 грн
100+	118.1 грн
240+	117.37 грн
480+	99.26 грн
1200+	92.74 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW20N60H3FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 167 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	99.74 грн

Мінімальне замовлення: 4

IKW20N60H3FKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 112 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/194ns
Switching Energy: 800µJ
Test Condition: 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 170 W

на замовлення 171 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	273.53 грн
30+	144.73 грн
120+	118.4 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW20N60H3FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 167 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	180.23 грн
10+	170.19 грн
25+	146.89 грн
100+	123.98 грн

Мінімальне замовлення: 4

IKW20N60H3FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

48+	256.02 грн
58+	215.06 грн
100+	184.34 грн
240+	167.88 грн

Мінімальне замовлення: 48

IKW20N60T

Infineon Technologies

IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 20A

на замовлення 610 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	283.17 грн
10+	234.13 грн
25+	192 грн
100+	165.19 грн
240+	155.05 грн
480+	146.36 грн
1200+	124.62 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW20N60T
Код товару: 187316

Транзистори > IGBT

товар відсутній

IKW20N60T E8161

Infineon Technologies

IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 20A

товар відсутній

IKW20N60TA

Infineon Technologies

Description: IKW20N60 - AUTOMOTIVE IGBT DISCR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 310µJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 166 W

товар відсутній

IKW20N60TA

Infineon Technologies

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop

товар відсутній

IKW20N60TAFKSA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

товар відсутній

IKW20N60TAFKSA1

ROCHESTER ELECTRONICS

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IKW20N60TAFKSA1 - IKW20N60 - AUTOMOTIVE IGBT DISCRETES
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 347 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

127+	194.25 грн

Мінімальне замовлення: 127

IKW20N60TAFKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW20N60TAFKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT 600V 40A 166W TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 770µJ
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 166 W

на замовлення 347 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

132+	160.5 грн

Мінімальне замовлення: 132

IKW20N60TAFKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW20N60TAFKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT 600V 40A 166W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 770µJ
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 166 W

товар відсутній

IKW20N60TFKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

на замовлення 33 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	282.85 грн
6+	160.76 грн
16+	152.45 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW20N60TFKSA1
Код товару: 188050

Транзистори > IGBT

товар відсутній

IKW20N60TFKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 41A 166W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 522 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

88+	139.69 грн

Мінімальне замовлення: 88

IKW20N60TFKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 770µJ
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 166 W

на замовлення 225 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	328.39 грн
30+	176.33 грн
120+	145.29 грн

IKW20N60TFKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 33 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	339.42 грн
6+	200.33 грн
16+	182.94 грн
60+	181.13 грн
120+	175.7 грн

IKW20N60TFKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 41A 166W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW20N60TFKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 41A 166W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 139 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

78+	157.71 грн
81+	152.59 грн
100+	149.52 грн

Мінімальне замовлення: 78

IKW20N60TFKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 41A 166W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 90 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	233.21 грн
10+	208.6 грн
25+	191.27 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKW20N60TFKSA1

Infineon Technologies

IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 20A

на замовлення 361 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	341.5 грн
10+	279.13 грн
25+	177.51 грн
100+	146.36 грн
240+	145.63 грн
480+	118.1 грн

IKW20N60TFKSA1

40A; 600V; 166W; IGBT w/ Diode IKW20N60T TIKW20n60t
кількість в упаковці: 5 шт

на замовлення 15 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

5+	171.68 грн

Мінімальне замовлення: 5

IKW20N60TFKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 41A 166W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 522 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	194.98 грн
10+	181.21 грн
25+	170.87 грн
100+	143.42 грн
240+	131.43 грн
480+	111.18 грн

Мінімальне замовлення: 4

IKW20N60TFKSA1

Description: INFINEON - IKW20N60TFKSA1 - IGBT, 40 A, 1.5 V, 166 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IKW20N60TFKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 360 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	129.33 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKW20N60TFKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 41A 166W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 88 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

49+	252.77 грн
55+	226.1 грн
60+	207.31 грн

Мінімальне замовлення: 49

IKW20N65ET7XKSA1

Infineon Technologies

IGBTs 650 V, 20 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package

на замовлення 4066 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	275.56 грн
10+	227.47 грн
25+	173.89 грн
100+	142.73 грн
240+	142.01 грн
480+	115.2 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW20N65ET7XKSA1

Infineon Technologies

IGBT with Anti-parallel Diode

на замовлення 11520 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	172.56 грн

Мінімальне замовлення: 240

IKW20N65ET7XKSA1

Description: INFINEON - IKW20N65ET7XKSA1 - IGBT, 40 A, 1.35 V, 136 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 197 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	298.29 грн
10+	211.32 грн
100+	140.61 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKW20N65ET7XKSA1

Infineon Technologies

SP005348286

товар відсутній

IKW20N65ET7XKSA1
Код товару: 178407

Транзистори > IGBT

товар відсутній

IKW20N65ET7XKSA1

Infineon Technologies

IGBT with Anti-parallel Diode

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

36+	344.1 грн
41+	300.06 грн
50+	283.68 грн
100+	234.04 грн
200+	203.91 грн
240+	184.34 грн

Мінімальне замовлення: 36

IKW20N65ET7XKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/210ns
Switching Energy: 360µJ (on), 360µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 128 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 136 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1432 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	326.04 грн
30+	174.34 грн
120+	143.56 грн
510+	113.49 грн
1020+	105.73 грн

IKW25N120CS7XKSA1

Infineon Technologies

IGBT7 S7 with Anti-parallel Diode

на замовлення 150000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	335.47 грн

Мінімальне замовлення: 240

IKW25N120CS7XKSA1

Infineon Technologies

SP005419560

на замовлення 1877 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	245.13 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW25N120CS7XKSA1

Infineon Technologies

IGBT7 S7 with Anti-parallel Diode

товар відсутній

IKW25N120CS7XKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 1200V 55A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/160ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 150 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 250 W

на замовлення 288 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	529.82 грн
30+	295.05 грн
120+	247.58 грн

IKW25N120CS7XKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 125W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 37A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 38ns
Turn-off time: 490ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IKW25N120CS7XKSA1

Infineon Technologies

IGBT7 S7 with Anti-parallel Diode

на замовлення 1946 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	485.94 грн
30+	412.8 грн
34+	364.7 грн
100+	346.45 грн
480+	286.12 грн
1200+	263.36 грн

Мінімальне замовлення: 26

IKW25N120CS7XKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 125W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 37A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 38ns
Turn-off time: 490ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

товар відсутній

IKW25N120CS7XKSA1

Infineon Technologies

IGBT7 S7 with Anti-parallel Diode

на замовлення 1947 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	452.2 грн
10+	384.14 грн
25+	339.38 грн
100+	322.39 грн
480+	266.26 грн
1200+	245.08 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW25N120CS7XKSA1

Infineon Technologies

IGBTs 1200 V, 25 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package

на замовлення 406 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	566.34 грн
10+	462.43 грн
25+	296.33 грн
100+	248.51 грн
240+	247.79 грн
480+	223.16 грн

IKW25N120CS7XKSA1

Infineon Technologies

IGBT7 S7 with Anti-parallel Diode

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	683.07 грн

Мінімальне замовлення: 18

IKW25N120CS7XKSA1

Infineon Technologies

IGBT7 S7 with Anti-parallel Diode

товар відсутній

IKW25N120CS7XKSA1

Description: INFINEON - IKW25N120CS7XKSA1 - IGBT, 55 A, 1.65 V, 250 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 55A

на замовлення 137 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	523.43 грн
5+	447.03 грн
10+	369.81 грн
50+	320 грн
100+	273.79 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW25N120H3
Код товару: 113551

Транзистори > IGBT

товар відсутній

IKW25N120H3

Infineon Technologies

IGBTs IGBT PRODUCTS

на замовлення 2056 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	484.35 грн
10+	409.11 грн
25+	322.42 грн
100+	296.33 грн
240+	278.22 грн
480+	260.83 грн
1200+	234.75 грн

IKW25N120H3

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 380 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

31+	401.64 грн
32+	384.38 грн
50+	369.74 грн
100+	344.44 грн
250+	309.25 грн

Мінімальне замовлення: 31

IKW25N120H3FKSA1

Infineon Technologies

IGBTs IGBT PRODUCTS

на замовлення 425 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	540.14 грн
10+	455.77 грн
25+	297.78 грн
100+	279.67 грн
240+	277.5 грн
480+	223.88 грн

IKW25N120H3FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW25N120H3FKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

товар відсутній

IKW25N120H3FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 203 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	546.87 грн
31+	398.37 грн
50+	353.31 грн
100+	319.96 грн
200+	279.8 грн

Мінімальне замовлення: 23

IKW25N120H3FKSA1

Description: INFINEON - IKW25N120H3FKSA1 - IGBT, 25 A, 2.4 V, 326 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 25A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 296 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	525.87 грн
5+	448.65 грн
10+	370.63 грн
50+	320.76 грн
100+	274.49 грн
250+	221.54 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW25N120H3FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW25N120H3FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW25N120H3FKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 290 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/277ns
Switching Energy: 2.65mJ
Test Condition: 600V, 25A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 115 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 326 W

на замовлення 303 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	532.17 грн
30+	296.56 грн
120+	248.88 грн

IKW25N120H3FKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IKW25N120H3XK

Infineon Technologies

IGBTs IGBT PRODUCTS

на замовлення 396 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	347.41 грн
10+	316.62 грн
25+	265.9 грн
240+	226.05 грн
1200+	224.61 грн
2640+	223.88 грн

IKW25N120T2

Infineon Technologies

IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 25A

на замовлення 1216 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	476.74 грн
10+	468.27 грн
25+	321.69 грн
100+	295.61 грн
240+	287.64 грн
480+	247.07 грн
1200+	231.85 грн

IKW25N120T2
Код товару: 39789

Транзистори > IGBT

товар відсутній

IKW25N120T2FKSA1

Транз. IGBT UltraFast TO247-3 Uces=1200V; Ic=50A; Pdmax=349W

на замовлення 25 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

1+	567.19 грн
10+	526.68 грн

IKW25N120T2FKSA1

Description: INFINEON - IKW25N120T2FKSA1 - IGBT, 25 A, 2.2 V, 349 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 349W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 25A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 972 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	492.54 грн
5+	423.46 грн
10+	353.56 грн
50+	317.74 грн
100+	283.54 грн
250+	234.08 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW25N120T2FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 978 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	458.61 грн

Мінімальне замовлення: 27

IKW25N120T2FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 349000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1248 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	243.44 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW25N120T2FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 238 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	214.84 грн
10+	213.55 грн
25+	199.32 грн
50+	180.68 грн
100+	173.32 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKW25N120T2FKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH 1200V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 195 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/265ns
Switching Energy: 2.9mJ
Test Condition: 600V, 25A, 16.4Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 349 W

на замовлення 125 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	544.71 грн
30+	303.83 грн
120+	255.21 грн

IKW25N120T2FKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 349W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 349W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 115 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	741.25 грн
3+	490 грн
7+	446.49 грн
90+	429.29 грн

IKW25N120T2FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

39+	316.45 грн

Мінімальне замовлення: 39

IKW25N120T2FKSA1

50A; 1200V; 349W; IGBT w/ Diode IKW25N120T2 TIKW25n120t2
кількість в упаковці: 5 шт

на замовлення 6 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

5+	286.25 грн

Мінімальне замовлення: 5

IKW25N120T2FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 978 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	283.12 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKW25N120T2FKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 349W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 349W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

на замовлення 115 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	617.71 грн
3+	393.21 грн
7+	372.08 грн
90+	357.74 грн

IKW25N120T2FKSA1

Infineon Technologies

IGBTs Y

товар відсутній

IKW25N120T2FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW25N120T2FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 238 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

45+	277.82 грн

Мінімальне замовлення: 45

IKW25N120T2XK

Infineon Technologies

Description: IGBT, 50A, 1200V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 195 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/265ns
Switching Energy: 1.55mJ (on), 1.35mJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 16.4Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 349 W

товар відсутній

IKW25T120
Код товару: 175269

Транзистори > IGBT

товар відсутній

IKW25T120

Infineon Technologies

IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 25A

на замовлення 1464 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	515.63 грн
10+	435.77 грн
25+	343.43 грн
100+	315.17 грн
240+	296.33 грн
480+	277.5 грн
1200+	263.01 грн

IKW25T120

Infineon Technologies

Description: IKW25T120 - DISCRETE IGBT WITH A
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/560ns
Switching Energy: 2mJ (on), 2.2mJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 155 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 190 W

товар відсутній

IKW25T120FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	798.06 грн
18+	712.4 грн
50+	616.3 грн
100+	563.07 грн
200+	499.91 грн

Мінімальне замовлення: 16

IKW25T120FKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT NPT FS 1200V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/560ns
Switching Energy: 4.2mJ
Test Condition: 600V, 25A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 155 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 190 W

товар відсутній

IKW25T120FKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 190W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 190W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 17 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	610.56 грн
3+	420.4 грн
8+	382.19 грн
120+	378.57 грн

IKW25T120FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 560 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	338.24 грн
10+	306.54 грн
25+	295.56 грн
50+	282.14 грн
100+	220.63 грн
480+	209.67 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW25T120FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW25T120FKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 190W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 190W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

на замовлення 17 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	508.8 грн
3+	337.36 грн
8+	318.49 грн

IKW25T120FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 108 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

39+	320.67 грн
42+	299.28 грн
43+	291.91 грн
50+	278.64 грн
100+	227.86 грн

Мінімальне замовлення: 39

IKW25T120FKSA1

Description: INFINEON - IKW25T120FKSA1 - IGBT, Universal, 50 A, 2.2 V, 190 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1878 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	413.7 грн
5+	363.31 грн
10+	312.11 грн
50+	269.44 грн
100+	229.2 грн
250+	224.33 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW25T120FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 558 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

48+	260.2 грн
50+	240.13 грн
52+	205.36 грн
100+	198.35 грн
250+	192.37 грн

Мінімальне замовлення: 48

IKW25T120FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 740 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	209.63 грн

Мінімальне замовлення: 240

IKW25T120FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 108 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	297.76 грн
10+	277.91 грн
25+	271.06 грн
50+	258.74 грн
100+	211.59 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKW25T120FKSA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 25A

на замовлення 2097 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	278.1 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW25T120T2

MODULE

на замовлення 59 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IKW30N60DTP

на замовлення 91440 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IKW30N60DTP

Infineon Technologies

IGBT Transistors INDUSTRY 14

товар відсутній

IKW30N60DTP

Infineon Technologies

Description: HIGH SPEED IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 76 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/179ns
Switching Energy: 710µJ (on), 420µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V
Gate Charge: 130 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 53 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 200 W

товар відсутній

IKW30N60DTPXKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 53A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 94 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IKW30N60DTPXKSA1

Infineon Technologies

IGBTs Y

на замовлення 124 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	206.25 грн
25+	161.64 грн
100+	121 грн
240+	120.27 грн
480+	92.74 грн
1200+	87.67 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW30N60DTPXKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 53A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW30N60DTPXKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 53A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 76 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/179ns
Switching Energy: 710µJ (on), 420µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V
Gate Charge: 130 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 53 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 200 W

на замовлення 1464 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	264.91 грн
30+	139.55 грн
120+	114.06 грн
510+	89.45 грн
1020+	83.02 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW30N60DTPXKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 53A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW30N60DTPXKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 53A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW30N60H3

60A; 600V; 187W; IGBT w/ Diode IKW30N60H3 TIKW30n60h3
кількість в упаковці: 5 шт

на замовлення 11 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

5+	121.78 грн

Мінімальне замовлення: 5

IKW30N60H3

60A; 600V; 187W; IGBT w/ Diode IKW30N60H3 TIKW30n60h3
кількість в упаковці: 5 шт

на замовлення 30 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

5+	121.78 грн

Мінімальне замовлення: 5

IKW30N60H3

Infineon Technologies

IGBTs 600V 30A 187W

на замовлення 3584 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	259.5 грн
10+	214.97 грн
25+	176.79 грн
100+	150.7 грн
240+	133.31 грн
1200+	114.48 грн
2640+	108.68 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW30N60H3
Код товару: 94542

Транзистори > IGBT

товар відсутній

IKW30N60H3FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 616 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	119.19 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKW30N60H3FKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 38 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/207ns
Switching Energy: 1.38mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 187 W

на замовлення 94 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	311.15 грн
30+	166.14 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW30N60H3FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 616 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	204.55 грн
10+	198.86 грн
25+	163.99 грн
100+	145.42 грн
240+	128.09 грн
480+	104.85 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKW30N60H3FKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 94W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 94W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 165nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 139 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	268.22 грн
6+	186.22 грн
17+	169.36 грн
30+	168.45 грн
120+	163.02 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW30N60H3FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 220 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	141.12 грн
10+	139.9 грн
25+	129.94 грн
100+	121.04 грн

Мінімальне замовлення: 5

IKW30N60H3FKSA1

Description: INFINEON - IKW30N60H3FKSA1 - IGBT, 30 A, 2.4 V, 187 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	262.53 грн
10+	180.44 грн
100+	131.67 грн

Мінімальне замовлення: 4

IKW30N60H3FKSA1

Infineon Technologies

IGBTs 600V 30A 187W

на замовлення 480 шт:

термін постачання 154-163 дні (днів)

2+	245.98 грн
10+	241.63 грн
25+	165.92 грн
100+	150.7 грн
240+	149.25 грн
480+	114.48 грн
1200+	108.68 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW30N60H3FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 616 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

57+	218.94 грн
58+	212.85 грн
71+	175.52 грн
100+	155.65 грн
240+	137.11 грн
480+	112.22 грн

Мінімальне замовлення: 57

IKW30N60H3FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 720 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

75+	164.88 грн
76+	161.81 грн

Мінімальне замовлення: 75

IKW30N60H3FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW30N60H3FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 220 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

91+	135.18 грн

Мінімальне замовлення: 91

IKW30N60H3FKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 94W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 94W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 165nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

на замовлення 139 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	223.51 грн
6+	149.44 грн
17+	141.13 грн
30+	140.38 грн
120+	135.85 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW30N60T

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

34+	368.87 грн
35+	353.02 грн
50+	339.58 грн
100+	316.33 грн

Мінімальне замовлення: 34

IKW30N60T
Код товару: 99658

Транзистори > IGBT

товар відсутній

IKW30N60T

Infineon Technologies

Description: IKW30N60 - DISCRETE IGBT WITH AN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns
Switching Energy: 690µJ (on), 770µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V
Gate Charge: 167 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 187 W

товар відсутній

IKW30N60T

Infineon Technologies

IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 30A

на замовлення 154 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	345.72 грн
10+	286.63 грн
25+	235.47 грн
100+	201.42 грн
240+	189.1 грн
480+	178.24 грн
1200+	152.88 грн

IKW30N60TA

Infineon Technologies

IGBT Transistors IGBT TrnchStp w/Soft Fast recovery

на замовлення 243 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IKW30N60TAFKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH/FS 600V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns
Switching Energy: 1.46mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V
Gate Charge: 167 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 187 W

товар відсутній

IKW30N60TAFKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW30N60TAFKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW30N60TAFKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 220 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	220.62 грн
6+	101.94 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKW30N60TFKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

35+	357.41 грн
50+	270.36 грн
100+	259.72 грн
200+	217.62 грн
240+	203.65 грн

Мінімальне замовлення: 35

IKW30N60TFKSA1

Infineon Technologies

IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 30A

на замовлення 1312 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	383.76 грн
10+	283.29 грн
25+	203.59 грн
100+	165.19 грн
240+	163.74 грн
480+	144.18 грн

IKW30N60TFKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW30N60TFKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 195 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	287.8 грн
10+	248.68 грн
25+	221.2 грн
100+	182.61 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKW30N60TFKSA1

45A; 600V; 187W; IGBT w/ Diode IKW30N60T TIKW30n60t
кількість в упаковці: 5 шт

на замовлення 25 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

5+	252.99 грн

Мінімальне замовлення: 5

IKW30N60TFKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 39A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 39A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 167nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 0.3µs
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

товар відсутній

IKW30N60TFKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 195 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

40+	309.46 грн
46+	267.4 грн
52+	237.85 грн
100+	196.36 грн

Мінімальне замовлення: 40

IKW30N60TFKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns
Switching Energy: 1.46mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V
Gate Charge: 167 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 187 W

на замовлення 4443 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	385.6 грн
30+	209.18 грн
120+	173.34 грн
510+	137.97 грн
1020+	130.61 грн

IKW30N60TFKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 39A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 39A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 167nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 0.3µs
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IKW30N60TFKSA1

Description: INFINEON - IKW30N60TFKSA1 - IGBT, Universal, 60 A, 2.05 V, 187 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 509 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	372.25 грн
10+	251.15 грн
100+	172.31 грн
500+	156.98 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKW30N65EL5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 570 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	525.42 грн
28+	444.99 грн
50+	338.44 грн
200+	306.21 грн

Мінімальне замовлення: 24

IKW30N65EL5XKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 62A; 114W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 62A
Power dissipation: 114W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 168nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 359ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 13 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	508.15 грн
3+	378.08 грн
8+	344.15 грн

IKW30N65EL5XKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 62A; 114W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 62A
Power dissipation: 114W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 168nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 359ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

на замовлення 13 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	423.46 грн
3+	303.4 грн
8+	286.79 грн

IKW30N65EL5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW30N65EL5XKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT 650V 85A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/308ns
Switching Energy: 470µJ (on), 1.35mJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 168 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 85 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 227 W

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	419.31 грн
10+	270.12 грн

IKW30N65EL5XKSA1

Description: INFINEON - IKW30N65EL5XKSA1 - IGBT, 85 A, 1.05 V, 227 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.05V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 85A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1174 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	285.28 грн
10+	201.57 грн
100+	199.94 грн
500+	184.15 грн
1000+	168.59 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKW30N65EL5XKSA1

Infineon Technologies

IGBTs 650V IGBT Trenchstop 5

на замовлення 3035 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	263.73 грн
25+	204.97 грн
100+	155.77 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW30N65EL5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW30N65EL5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW30N65ES5

Infineon Technologies

IGBTs Trenchstop 5 IGBT

на замовлення 1395 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	313.6 грн
10+	259.96 грн
25+	213.74 грн
100+	182.58 грн
240+	171.71 грн
480+	161.57 грн
1200+	139.11 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW30N65ES5

на замовлення 22080 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IKW30N65ES5XKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH 650V 62A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/124ns
Switching Energy: 560µJ (on), 320µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 13Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 62 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 188 W

на замовлення 843 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	287.64 грн
30+	219.5 грн
120+	188.15 грн
510+	156.95 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW30N65ES5XKSA1

Description: INFINEON - IKW30N65ES5XKSA1 - IGBT, 62 A, 1.35 V, 188 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP™ 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 62A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 124 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	322.67 грн
10+	224.33 грн
100+	200.76 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKW30N65ES5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 114 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

51+	245.29 грн
55+	223.5 грн
57+	216.13 грн
100+	190.55 грн

Мінімальне замовлення: 51

IKW30N65ES5XKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 39.5A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 39.5A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 29ns
Turn-off time: 154ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 16 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	439.88 грн
3+	381.84 грн
4+	283.47 грн
11+	268.08 грн

IKW30N65ES5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 720 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

30+	411.57 грн
36+	348.89 грн
50+	265.32 грн
100+	254.84 грн
200+	222.91 грн

Мінімальне замовлення: 30

IKW30N65ES5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1497 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	143.7 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKW30N65ES5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW30N65ES5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 114 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	227.77 грн
10+	207.54 грн
25+	200.69 грн
100+	176.94 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKW30N65ES5XKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 39.5A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 39.5A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 29ns
Turn-off time: 154ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	366.56 грн
3+	306.42 грн
4+	236.23 грн
11+	223.4 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW30N65ES5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1602 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

59+	208.74 грн
65+	191.72 грн
67+	185.85 грн
100+	164.92 грн
240+	147.67 грн
480+	128.22 грн
1200+	123.51 грн

Мінімальне замовлення: 59

IKW30N65ES5XKSA1

Infineon Technologies

IGBTs Y

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	298.39 грн
10+	288.29 грн
25+	199.25 грн
100+	174.61 грн
240+	173.89 грн
480+	134.76 грн
1200+	131.14 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW30N65ES5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1604 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	210.96 грн
10+	193.76 грн
25+	187.82 грн
100+	166.68 грн
240+	149.24 грн
480+	129.59 грн
1200+	124.82 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKW30N65ET7XKSA1

Infineon Technologies

IKW30N65ET7

товар відсутній

IKW30N65ET7XKSA1

Infineon Technologies

IGBT with Anti-parallel Diode

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

33+	376.87 грн
34+	369.7 грн
50+	299.04 грн
100+	247.87 грн
200+	216.71 грн

Мінімальне замовлення: 33

IKW30N65ET7XKSA1

Infineon Technologies

IGBTs 650 V, 30 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package

на замовлення 189 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	315.29 грн
10+	307.46 грн
25+	214.46 грн
100+	187.65 грн
480+	139.83 грн
1200+	131.14 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW30N65ET7XKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/245ns
Switching Energy: 590µJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 180 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 188 W
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 102 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	360.52 грн
30+	194.37 грн

IKW30N65ET7XKSA1

Description: INFINEON - IKW30N65ET7XKSA1 - IGBT, 60 A, 1.35 V, 188 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 418 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	340.55 грн
10+	241.4 грн
100+	157.68 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKW30N65ET7XKSA1

Infineon Technologies

IGBT with Anti-parallel Diode

на замовлення 1440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	197.71 грн

Мінімальне замовлення: 240

IKW30N65H5

Infineon Technologies

IGBT Transistors INDUSTRY 14

товар відсутній

IKW30N65H5

Infineon technologies

на замовлення 8 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IKW30N65H5XKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH 650V 55A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/190ns
Switching Energy: 280µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 188 W

на замовлення 62 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	285.28 грн
30+	217.84 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW30N65H5XKSA1

Description: INFINEON - IKW30N65H5XKSA1 - IGBT, 55 A, 1.65 V, 188 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 55A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 221 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	343.8 грн
10+	244.65 грн
100+	216.2 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKW30N65H5XKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 35A; 94W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 35A
Power dissipation: 94W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Turn-on time: 31ns
Turn-off time: 209ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

товар відсутній

IKW30N65H5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 55A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW30N65H5XKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 35A; 94W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 35A
Power dissipation: 94W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Turn-on time: 31ns
Turn-off time: 209ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IKW30N65H5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 55A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

28+	441.86 грн
32+	387.54 грн
50+	349.94 грн
100+	304.2 грн
200+	278.87 грн

Мінімальне замовлення: 28

IKW30N65H5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 55A 188000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW30N65H5XKSA1

Infineon Technologies

IGBTs Y

на замовлення 356 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	311.07 грн
10+	303.29 грн
25+	211.56 грн
100+	181.13 грн
240+	180.41 грн
480+	137.66 грн
1200+	129.69 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW30N65H5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 55A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW30N65NL5

Infineon Technologies

Description: IKW30N65 - DISCRETE IGBT WITH AN

товар відсутній

IKW30N65NL5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 7 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	227.03 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKW30N65NL5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW30N65NL5XKSA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors 650V IGBT Trenchstop 5

на замовлення 2403 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	441.24 грн
10+	369.95 грн
100+	278.95 грн
240+	264.45 грн

IKW30N65NL5XKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT 650V 85A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 59 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 59ns/283ns
Switching Energy: 560µJ (on), 1.35mJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 168 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 85 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 227 W

товар відсутній

IKW30N65NL5XKSA1

Description: INFINEON - IKW30N65NL5XKSA1 - IGBT, 85 A, 1.05 V, 227 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.05
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 227
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Kollektorstrom: 85
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

товар відсутній

IKW30N65WR5

Infineon Technologies

IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14

товар відсутній

IKW30N65WR5

Infineon technologies

на замовлення 9 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IKW30N65WR5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 185W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW30N65WR5XKSA1

Description: INFINEON - IKW30N65WR5XKSA1 - IGBT, 60 A, 1.4 V, 185 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 185W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A

на замовлення 180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	240.58 грн
10+	169.87 грн
100+	132.48 грн

Мінімальне замовлення: 4

IKW30N65WR5XKSA1

Infineon Technologies

IGBTs Y

на замовлення 13 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	219.78 грн
10+	209.97 грн
25+	149.25 грн
100+	102.16 грн
240+	101.43 грн
480+	94.91 грн
1200+	89.84 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW30N65WR5XKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 75W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 75W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 376ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 32 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	346.24 грн
3+	300.02 грн
5+	240 грн
13+	227.32 грн

IKW30N65WR5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 185W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW30N65WR5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 185000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW30N65WR5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 185W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

33+	373.8 грн
52+	238.62 грн
64+	193.55 грн
100+	174.79 грн
200+	160.93 грн

Мінімальне замовлення: 33

IKW30N65WR5XKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 75W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 75W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 376ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

на замовлення 32 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	288.54 грн
3+	240.76 грн
5+	200 грн
13+	189.44 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW30N65WR5XKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH 650V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 39ns/367ns
Switching Energy: 990µJ (on), 330µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 26Ohm, 15V
Gate Charge: 155 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 185 W

товар відсутній

IKW40N120CH7XKSA1

Description: INFINEON - IKW40N120CH7XKSA1 - IGBT, 82 A, 1.7 V, 330 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 82A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 97 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	628.28 грн
5+	538.06 грн
10+	447.84 грн
50+	387.17 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW40N120CH7XKSA1

Infineon Technologies

IGBTs 1200 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 3pin package

на замовлення 1043 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	697.36 грн
10+	484.93 грн
25+	408.64 грн
100+	351.4 грн
240+	330.39 грн
480+	306.48 грн
1200+	265.9 грн

IKW40N120CH7XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW40N120CH7XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW40N120CH7XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW40N120CH7XKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 1200V 82A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 120 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/336ns
Switching Energy: 1.69mJ (on), 920µJ (off)
Gate Charge: 290 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 82 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 330 W

на замовлення 1690 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	605.84 грн
30+	340.93 грн
120+	287.54 грн
510+	241.36 грн

IKW40N120CH7XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	838.74 грн
20+	614.46 грн
50+	558.13 грн
100+	474.01 грн
200+	419.7 грн
240+	388.87 грн

Мінімальне замовлення: 15

IKW40N120CS6

Infineon Technologies

IGBT Transistors INDUSTRY 14

товар відсутній

IKW40N120CS6XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1778 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	326.52 грн
10+	322.87 грн
25+	289.85 грн
50+	276.71 грн
100+	240.79 грн
480+	211.08 грн
720+	207.56 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW40N120CS6XKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 400 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/315ns
Switching Energy: 2.55mJ (on), 1.55mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 285 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 500 W

на замовлення 638 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	573.7 грн
30+	321.51 грн
120+	270.58 грн
510+	224.66 грн

IKW40N120CS6XKSA1
Код товару: 193315

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1

товар відсутній

IKW40N120CS6XKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IKW40N120CS6XKSA1

Infineon Technologies

IGBTs Y

на замовлення 768 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	504.64 грн
10+	494.93 грн
25+	349.23 грн
100+	313.72 грн
240+	313 грн
480+	252.86 грн
1200+	247.79 грн

IKW40N120CS6XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 384 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

39+	321.57 грн
50+	316.45 грн
200+	304.16 грн

Мінімальне замовлення: 39

IKW40N120CS6XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	283.15 грн
10+	281.41 грн
25+	264.44 грн
50+	252.5 грн
100+	226.26 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKW40N120CS6XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1838 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	323.4 грн
10+	319.95 грн
25+	288.29 грн
50+	275.19 грн
100+	240.11 грн
480+	211.03 грн
720+	207.61 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW40N120CS6XKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

товар відсутній

IKW40N120CS6XKSA1

Description: INFINEON - IKW40N120CS6XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.85 V, 500 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 220 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	536.43 грн
5+	462.47 грн
10+	387.7 грн
50+	339.62 грн
100+	293.99 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW40N120CS6XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1838 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

36+	341.54 грн
40+	307.74 грн
50+	293.76 грн
100+	256.32 грн
480+	225.27 грн
720+	221.62 грн

Мінімальне замовлення: 36

IKW40N120CS6XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1778 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

35+	351.63 грн
36+	347.7 грн
40+	312.15 грн
50+	298 грн
100+	259.32 грн
480+	227.32 грн
720+	223.52 грн

Мінімальне замовлення: 35

IKW40N120CS6XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

41+	304.94 грн

Мінімальне замовлення: 41

IKW40N120CS6XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1808 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	227.38 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW40N120CS7XKSA1

Infineon Technologies

IGBT7 S7 with Anti-parallel Diode

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	429.75 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW40N120CS7XKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 56A; 179W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 56A
Power dissipation: 179W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 0.5µs
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

товар відсутній

IKW40N120CS7XKSA1

Description: INFINEON - IKW40N120CS7XKSA1 - IGBT, 82 A, 1.65 V, 357 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 82A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	625.03 грн
5+	547.81 грн
10+	470.6 грн
50+	404.53 грн
100+	342.76 грн
250+	288.42 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW40N120CS7XKSA1

Infineon Technologies

IGBT7 S7 with Anti-parallel Diode

на замовлення 1107840 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	421.47 грн

Мінімальне замовлення: 240

IKW40N120CS7XKSA1

Infineon Technologies

IGBT7 S7 with Anti-parallel Diode

товар відсутній

IKW40N120CS7XKSA1

Infineon Technologies

SP005415716

товар відсутній

IKW40N120CS7XKSA1

Infineon Technologies

IGBT7 S7 with Anti-parallel Diode

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IKW40N120CS7XKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 1200V 82A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 175 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/190ns
Switching Energy: 2.55mJ (on), 1.75mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 4Ohm, 15V
Gate Charge: 230 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 82 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 357 W

на замовлення 138 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	630.14 грн
30+	355.65 грн
120+	300.39 грн

IKW40N120CS7XKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 56A; 179W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 56A
Power dissipation: 179W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 0.5µs
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IKW40N120CS7XKSA1

Infineon Technologies

IGBT7 S7 with Anti-parallel Diode

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	755.79 грн
21+	591.93 грн
50+	559.16 грн
100+	485.86 грн
200+	424.27 грн

Мінімальне замовлення: 17

IKW40N120CS7XKSA1

Infineon Technologies

IGBTs 1200 V, 40 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package

на замовлення 720 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	602.69 грн
25+	410.77 грн
100+	302.13 грн
240+	301.41 грн
480+	299.96 грн
1200+	279.67 грн

IKW40N120H3

80A; 1200V; 483W; IGBT w/ Diode IKW40N120H3 TIKW40n120h3
кількість в упаковці: 5 шт

на замовлення 45 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

5+	304.92 грн

Мінімальне замовлення: 5

IKW40N120H3

Infineon Technologies

High speed Trans IGBT Chip

на замовлення 290 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	527.69 грн
25+	505.02 грн
50+	485.78 грн
100+	452.54 грн
250+	406.3 грн

Мінімальне замовлення: 24

IKW40N120H3

Infineon Technologies

IGBTs IGBT PRODUCTS

на замовлення 1534 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	628.05 грн
10+	530.76 грн
25+	418.78 грн
100+	384.73 грн
240+	360.82 грн
480+	339.08 грн
1200+	330.39 грн

IKW40N120H3
Код товару: 153177

Транзистори > IGBT

товар відсутній

IKW40N120H3FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 483W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 2140 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	914.52 грн
20+	626.75 грн
50+	582.71 грн
100+	447.35 грн
200+	396.84 грн
960+	360.78 грн
1920+	320.4 грн

Мінімальне замовлення: 14

IKW40N120H3FKSA1

Infineon Technologies

IGBTs IGBT PRODUCTS

на замовлення 171 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	668.62 грн
10+	595.75 грн
25+	365.89 грн
100+	311.55 грн
240+	310.82 грн
480+	291.26 грн

IKW40N120H3FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 483000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW40N120H3FKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 355 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/290ns
Switching Energy: 4.4mJ
Test Condition: 600V, 40A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 185 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 483 W

на замовлення 6026 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	648.94 грн
30+	367.2 грн
120+	310.49 грн
510+	264.16 грн

IKW40N120H3FKSA1
Код товару: 144428

Транзистори > IGBT

товар відсутній

IKW40N120H3FKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 80A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 80A
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

товар відсутній

IKW40N120H3FKSA1

Description: INFINEON - IKW40N120H3FKSA1 - IGBT, 40 A, 2.4 V, 483 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 483W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 11771 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	657.54 грн
5+	571.38 грн
10+	485.23 грн
50+	421.89 грн
100+	362.27 грн
250+	305.84 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW40N120H3FKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 80A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 80A
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IKW40N120T2
Код товару: 150870

Транзистори > IGBT

товар відсутній

IKW40N120T2

Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 75A IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2 TIKW40n120t2
кількість в упаковці: 5 шт

на замовлення 25 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

5+	433.54 грн

Мінімальне замовлення: 5

IKW40N120T2

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 480W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 720 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	522.54 грн
25+	500.08 грн
50+	481.03 грн
100+	448.12 грн
250+	402.33 грн
500+	375.73 грн

Мінімальне замовлення: 24

IKW40N120T2

Infineon Technologies

IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 40A

на замовлення 2103 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	679.61 грн
10+	574.08 грн
25+	452.83 грн
100+	434.72 грн
240+	369.51 грн
480+	367.34 грн
1200+	330.39 грн

IKW40N120T2
Код товару: 73806

Транзистори > IGBT

товар відсутній

IKW40N120T2FKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 165A
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 32 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	700.29 грн
3+	517.28 грн
6+	470.95 грн
120+	452.83 грн

IKW40N120T2FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 480W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW40N120T2FKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 165A
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

на замовлення 32 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	583.57 грн
3+	415.1 грн
6+	392.46 грн

IKW40N120T2FKSA1

Infineon Technologies

IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 40A

на замовлення 1339 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	679.61 грн
25+	521.59 грн
100+	408.64 грн
240+	407.19 грн
480+	327.49 грн
1200+	315.9 грн

IKW40N120T2FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 480W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 404 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	619.26 грн
21+	610.49 грн
25+	507.53 грн
100+	442.7 грн
240+	405.06 грн

Мінімальне замовлення: 20

IKW40N120T2FKSA1

ROCHESTER ELECTRONICS

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IKW40N120T2FKSA1 - INDUSTRY 14
tariffCode: 85423190
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 64 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

56+	428.33 грн

Мінімальне замовлення: 56

IKW40N120T2FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 480W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 2721 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	850 грн
16+	815.18 грн
50+	677.95 грн
100+	584.61 грн
200+	518.45 грн
240+	496.83 грн
480+	394.13 грн
960+	377.45 грн
1920+	353.75 грн

Мінімальне замовлення: 15

IKW40N120T2FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 480000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 374 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	332.2 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW40N120T2FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 480W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW40N120T2FKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT 1200V 75A 480W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 258 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/314ns
Switching Energy: 5.25mJ
Test Condition: 600V, 40A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 192 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 480 W

на замовлення 1398 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	688.92 грн
30+	392.25 грн
120+	332.43 грн
510+	286.2 грн

IKW40N120T2FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 480W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 404 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	579.9 грн
10+	571.7 грн
25+	475.28 грн
100+	414.57 грн
240+	379.32 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW40N60DTP

на замовлення 21840 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IKW40N60DTP

Infineon Technologies

IGBT Transistors INDUSTRY 14

товар відсутній

IKW40N60DTPXKSA1

Description: INFINEON - IKW40N60DTPXKSA1 - IGBT, 67 A, 1.6 V, 246 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6
Verlustleistung Pd: 246
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TRENCHSTOP
DC-Kollektorstrom: 67
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

товар відсутній

IKW40N60DTPXKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 67A 246W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW40N60DTPXKSA1

Infineon Technologies

IKW40N60DT Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306mW TO-247

на замовлення 10 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

IKW40N60DTPXKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 58 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	88.76 грн

Мінімальне замовлення: 4

IKW40N60DTPXKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 67A 246W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 115 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

49+	251.44 грн
54+	229.94 грн
62+	200.41 грн
64+	187.63 грн
100+	153.79 грн

Мінімальне замовлення: 49

IKW40N60DTPXKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 67A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 87 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/222ns
Switching Energy: 1.06mJ (on), 610µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10.1Ohm, 15V
Gate Charge: 177 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 67 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 246 W

на замовлення 44 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	293.91 грн
30+	155.93 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW40N60DTPXKSA1

Infineon Technologies

IGBTs Y

товар відсутній

IKW40N60DTPXKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 67A 246W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 118 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	235.54 грн
10+	215.4 грн
25+	187.74 грн
30+	175.77 грн
100+	144.07 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKW40N60H3

Infineon Technologies

Description: IKW40N60 - DISCRETE IGBT WITH AN

товар відсутній

IKW40N60H3
Код товару: 128556

Транзистори > IGBT

товар відсутній

IKW40N60H3

Infineon Technologies

IGBTs 600V 40A 306W

на замовлення 461 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	316.14 грн
25+	198.3 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW40N60H3

Infineon technologies

на замовлення 243 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IKW40N60H3FKSA1

Infineon Technologies

IKW40N60H3 IGBT 600V 80A 306.0W TO247-3

на замовлення 50 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

IKW40N60H3FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 224 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

30+	409.64 грн
34+	368.68 грн
50+	306.21 грн
100+	294.28 грн
200+	261.51 грн

Мінімальне замовлення: 30

IKW40N60H3FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 355 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	264.54 грн
10+	263.84 грн
25+	217.37 грн
50+	209.3 грн
100+	169.94 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKW40N60H3FKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 153W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 153W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 223nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 218ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 54 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	441.83 грн
3+	383.72 грн
4+	282.57 грн
11+	267.17 грн

IKW40N60H3FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW40N60H3FKSA1

Description: INFINEON - IKW40N60H3FKSA1 - IGBT, 40 A, 2.4 V, 306 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 66 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	314.54 грн
10+	222.7 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKW40N60H3FKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 124 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/197ns
Switching Energy: 1.68mJ
Test Condition: 400V, 40A, 7.9Ohm, 15V
Gate Charge: 223 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 306 W

на замовлення 1234 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	306.45 грн
30+	167.65 грн
120+	166.68 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW40N60H3FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 354 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

34+	361.95 грн

Мінімальне замовлення: 34

IKW40N60H3FKSA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors INDUSTRY 14

товар відсутній

IKW40N60H3FKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 153W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 153W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 223nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 218ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

на замовлення 54 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	368.19 грн
3+	307.93 грн
4+	235.47 грн
11+	222.64 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW40N60H3FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW40N60H3FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW40N60H3FKSA1 (TO-247, Infineon) IGBT N-ch 600V/80A
Код товару: 160842

Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V

товар відсутній

IKW40N65ES5

Infineon Technologies

IGBTs Trenchstop 5 IGBT

на замовлення 117 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	371.08 грн
10+	306.62 грн
25+	252.14 грн
100+	216.64 грн
240+	203.59 грн
480+	191.28 грн
1200+	169.54 грн

IKW40N65ES5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1437 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

28+	443.44 грн
32+	389.16 грн
50+	351.27 грн
200+	290.33 грн
960+	228.59 грн

Мінімальне замовлення: 28

IKW40N65ES5XKSA1

Description: INFINEON - IKW40N65ES5XKSA1 - IGBT, 79 A, 1.7 V, 230 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 79A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 311 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	397.45 грн
10+	269.84 грн
100+	184.5 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKW40N65ES5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 80 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	355.34 грн
10+	351.89 грн
25+	265.79 грн
50+	248.83 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW40N65ES5XKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH 650V 79A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 73 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/130ns
Switching Energy: 860µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 79 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 230 W

на замовлення 516 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	402.85 грн
30+	219.07 грн
120+	181.91 грн
510+	145.1 грн

IKW40N65ES5XKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 115W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 115W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 37ns
Turn-off time: 153ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

товар відсутній

IKW40N65ES5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW40N65ES5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 80 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	169.9 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW40N65ES5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 78 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

32+	385.14 грн
33+	381.4 грн
43+	288.08 грн
50+	269.7 грн

Мінімальне замовлення: 32

IKW40N65ES5XKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 115W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 115W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 37ns
Turn-off time: 153ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IKW40N65ES5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW40N65ES5XKSA1

Infineon Technologies

IGBTs Y

на замовлення 316 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	408.27 грн
10+	401.61 грн
25+	220.26 грн
100+	183.31 грн
240+	182.58 грн
480+	154.33 грн

IKW40N65ET7XKSA1

Infineon Technologies

IGBT with Anti-parallel Diode

на замовлення 230 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

28+	443.44 грн
33+	372.77 грн
50+	352.29 грн
100+	290.33 грн
200+	252.37 грн

Мінімальне замовлення: 28

IKW40N65ET7XKSA1

Infineon Technologies

SP005403468

товар відсутній

IKW40N65ET7XKSA1

Infineon Technologies

IGBT with Anti-parallel Diode

товар відсутній

IKW40N65ET7XKSA1

Infineon Technologies

IGBTs 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package

на замовлення 8762 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	393.06 грн
10+	338.28 грн
25+	213.74 грн
100+	177.51 грн
240+	176.79 грн
480+	147.8 грн

IKW40N65ET7XKSA1

Infineon Technologies

IGBT with Anti-parallel Diode

на замовлення 34800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	223.34 грн

Мінімальне замовлення: 240

IKW40N65ET7XKSA1

Description: INFINEON - IKW40N65ET7XKSA1 - IGBT, 76 A, 1.35 V, 230.8 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230.8W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 76A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	306.42 грн
10+	211.32 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKW40N65ET7XKSA1

Infineon Technologies

IGBT with Anti-parallel Diode

товар відсутній

IKW40N65ET7XKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 650V 76A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/310ns
Switching Energy: 1.05mJ (on), 590µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 235 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 76 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 230.8 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 826 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	391.09 грн
30+	212.23 грн
120+	176.03 грн
510+	140.24 грн

IKW40N65F5

Infineon Technologies

IGBTs INDUSTRY 14

товар відсутній

IKW40N65F5AXKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT 650V 74A 255W PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 73 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/165ns
Switching Energy: 350µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 250 W
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

IKW40N65F5AXKSA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

на замовлення 190 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IKW40N65F5AXKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW40N65F5F

Infineon Technologies

Description: IGBT WITH ANTI-PARALLEL DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/160ns
Switching Energy: 360µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 255 W

товар відсутній

IKW40N65F5FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 255W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1449 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

37+	340.53 грн
39+	319.95 грн
44+	285.07 грн
50+	243.52 грн
100+	204.86 грн
480+	140.31 грн
720+	134.08 грн

Мінімальне замовлення: 37

IKW40N65F5FKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 74A; 250W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 74A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	292.6 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW40N65F5FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 255W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW40N65F5FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 255W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	209.29 грн
10+	203.88 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKW40N65F5FKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 74A; 250W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 74A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 2 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	351.12 грн
5+	241.71 грн
13+	220.08 грн
60+	219.17 грн
120+	211.93 грн

IKW40N65F5FKSA1

Infineon Technologies

IGBTs IGBT PRODUCTS

на замовлення 470 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	334.73 грн
25+	237.47 грн
100+	170.99 грн
240+	170.27 грн
480+	140.56 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW40N65F5FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 255000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 641 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	154.69 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKW40N65F5FKSA1

Description: INFINEON - IKW40N65F5FKSA1 - IGBT, 40 A, 1.6 V, 255 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 264 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	334.05 грн
10+	260.09 грн
100+	185.31 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKW40N65F5FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 255W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 246 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

58+	213.01 грн
59+	208.92 грн
100+	207.89 грн

Мінімальне замовлення: 58

IKW40N65F5FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 255W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1451 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	319 грн
10+	299.72 грн
25+	267.05 грн
50+	228.12 грн
100+	191.92 грн
480+	131.44 грн
720+	125.6 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW40N65F5FKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT 650V 74A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/160ns
Switching Energy: 360µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 255 W

на замовлення 1707 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	378.55 грн
30+	205.38 грн
120+	170.15 грн
510+	135.39 грн
1020+	129.26 грн

IKW40N65F5FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 255W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IKW40N65H5

Infineon Technologies

Description: IGBT 650V 74A 255W PG-TO247-3

товар відсутній

IKW40N65H5

IGBT Chip N-CH Trench Field Stop 650V 74A 255W IKW40N65H5FKSA1 TIKW40n65h5
кількість в упаковці: 5 шт

на замовлення 15 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

5+	221.76 грн

Мінімальне замовлення: 5

IKW40N65H5

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 720 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

43+	286.43 грн
45+	274.12 грн
50+	263.68 грн
100+	245.63 грн
250+	220.54 грн
500+	205.96 грн

Мінімальне замовлення: 43

IKW40N65H5

Infineon technologies

на замовлення 242 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IKW40N65H5

Infineon Technologies

IGBTs INDUSTRY 14

товар відсутній

IKW40N65H5AXKSA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors DISCRETE SWITCHES

на замовлення 58 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IKW40N65H5AXKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT 650V 74A 255W PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/153ns
Switching Energy: 380µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 92 nC
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 250 W
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

IKW40N65H5AXKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW40N65H5FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW40N65H5FKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 74A; 250W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 74A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 10 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	379.4 грн
5+	266.16 грн
12+	242.72 грн
120+	236.38 грн

IKW40N65H5FKSA1

Infineon Technologies

IGBTs IGBT PRODUCTS

на замовлення 735 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	387.99 грн
10+	374.95 грн
25+	220.98 грн
100+	184.03 грн
240+	183.31 грн
480+	155.77 грн

IKW40N65H5FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

39+	321.26 грн

Мінімальне замовлення: 39

IKW40N65H5FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW40N65H5FKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT 650V 74A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 62 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/165ns
Switching Energy: 390µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 255 W

на замовлення 952 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	404.42 грн
30+	220.15 грн
120+	182.84 грн
510+	145.86 грн

IKW40N65H5FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	170.75 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW40N65H5FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 170 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

33+	378.92 грн
35+	358.44 грн
50+	300.06 грн
100+	251.82 грн

Мінімальне замовлення: 33

IKW40N65H5FKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 74A; 250W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 74A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	316.17 грн
5+	213.59 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW40N65H5FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	311.55 грн
10+	294.89 грн
25+	232.58 грн
50+	223.74 грн
100+	177.9 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW40N65H5FKSA1

Description: INFINEON - IKW40N65H5FKSA1 - IGBT, 40 A, 1.65 V, 255 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 18338 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	399.89 грн
10+	285.28 грн
100+	186.13 грн
500+	164.53 грн
1000+	142.12 грн
2000+	135.15 грн
5000+	128.19 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKW40N65RH5XKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 650V 74A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/165ns
Switching Energy: 160µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 250 W

на замовлення 143 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	487.49 грн
30+	269.59 грн
120+	225.49 грн

IKW40N65RH5XKSA1

Infineon Technologies

SP004038146

товар відсутній

IKW40N65RH5XKSA1

Infineon Technologies

IGBT Discrete Chip

на замовлення 90 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	740.42 грн
24+	518.19 грн
50+	488.5 грн

Мінімальне замовлення: 17

IKW40N65RH5XKSA1

Infineon Technologies

IGBT Discrete Chip

товар відсутній

IKW40N65RH5XKSA1

Description: INFINEON - IKW40N65RH5XKSA1 - IGBT, 650V, 74A, 250W, To-247, 1.65Vsat
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 H5 CoolSiC Gen VI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 74A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 426 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	521.8 грн
5+	449.47 грн
10+	376.32 грн
50+	330.57 грн
100+	288.42 грн
250+	271 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW40N65RH5XKSA1

Infineon Technologies

IGBTs 650 V, 40 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode

на замовлення 561 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	478.43 грн
10+	444.1 грн
25+	270.98 грн
100+	226.05 грн
480+	199.97 грн

IKW40N65RH5XKSA1

Infineon Technologies

IGBT Discrete Chip

на замовлення 7440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	300.25 грн

Мінімальне замовлення: 240

IKW40N65WR5

Infineon Technologies

IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14

товар відсутній

IKW40N65WR5

Infineon technologies

на замовлення 30 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IKW40N65WR5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 252 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

50+	248.18 грн
53+	233.38 грн
69+	180.68 грн
100+	157.69 грн
240+	124.95 грн

Мінімальне замовлення: 50

IKW40N65WR5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 82 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	183.57 грн
10+	176.95 грн
25+	148.8 грн

Мінімальне замовлення: 4

IKW40N65WR5XKSA1

Description: INFINEON - IKW40N65WR5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 230 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 210 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	280.41 грн
10+	197.5 грн
100+	125.98 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKW40N65WR5XKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 115W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 115W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 448ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 17 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	276.02 грн
3+	239.83 грн
6+	177.51 грн
17+	167.55 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW40N65WR5XKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 115W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 115W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 448ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

на замовлення 17 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	230.02 грн
3+	192.45 грн
6+	147.93 грн
17+	139.62 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW40N65WR5XKSA1
Код товару: 200399

Транзистори > IGBT

товар відсутній

IKW40N65WR5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 82 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

63+	197.69 грн

Мінімальне замовлення: 63

IKW40N65WR5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

73+	168.98 грн
100+	165.9 грн
200+	158.99 грн

Мінімальне замовлення: 73

IKW40N65WR5XKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 112 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 42ns/432ns
Switching Energy: 770µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 193 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 230 W

товар відсутній

IKW40N65WR5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 253 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	114.11 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKW40N65WR5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW40N65WR5XKSA1

Infineon Technologies

IGBTs Y

на замовлення 284 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	287.4 грн
10+	264.96 грн
25+	199.97 грн
100+	187.65 грн
240+	136.21 грн
480+	119.55 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW40N65WR5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 253 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	232.5 грн
10+	218.63 грн
25+	169.26 грн
100+	147.72 грн
240+	117.06 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKW40T120

MODULE

на замовлення 500094 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IKW40T120

10+ TO-247

на замовлення 3240 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IKW40T120

Infineon Technologies

IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 40A

на замовлення 649 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	626.36 грн
10+	529.09 грн
25+	417.33 грн
100+	400.67 грн
240+	340.53 грн
480+	337.63 грн
1200+	303.58 грн

IKW40T120

Infineon technologies

на замовлення 240 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IKW40T120

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 270W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	578.01 грн
25+	553.18 грн
50+	532.11 грн
100+	495.69 грн

Мінімальне замовлення: 22

IKW40T120

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IKW40T120
Код товару: 48060

Транзистори > IGBT

товар відсутній

IKW40T120FKSA1

Infineon Technologies

IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 40A

на замовлення 989 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	615.37 грн
10+	528.26 грн
25+	343.43 грн
100+	289.81 грн

IKW40T120FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 270W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 270 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

37+	337.17 грн

Мінімальне замовлення: 37

IKW40T120FKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 270W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Mounting: THT
Gate charge: 203nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 92ns
Turn-off time: 700ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 22 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	491.57 грн
3+	395.01 грн
8+	358.64 грн
30+	354.12 грн
120+	345.06 грн

IKW40T120FKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT NPT FS 1200V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 240 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 48ns/480ns
Switching Energy: 6.5mJ
Test Condition: 600V, 40A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 203 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A
Power - Max: 270 W

на замовлення 155 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IKW40T120FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 270000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 280 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	254.43 грн

Мінімальне замовлення: 240

IKW40T120FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 270W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	590.5 грн
10+	517.77 грн
25+	408.83 грн
50+	381.98 грн
100+	282.77 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW40T120FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 270W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	635.93 грн
23+	557.6 грн
28+	440.28 грн
50+	411.36 грн
100+	304.52 грн

Мінімальне замовлення: 20

IKW40T120FKSA1
Код товару: 152618

Транзистори > IGBT

товар відсутній

IKW40T120FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 270W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 270 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	312.87 грн

Мінімальне замовлення: 240

IKW40T120FKSA1

ROCHESTER ELECTRONICS

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IKW40T120FKSA1 - IKW40T120 DISCRETE IGBT WITH ANTI-PARAL
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 385 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

61+	393.38 грн

Мінімальне замовлення: 61

IKW40T120FKSA1

IGBT NPT, Trench Field Stop 1200V 75A 270W IKW40T120FKSA1 IKW40T120 TIKW40t120
кількість в упаковці: 2 шт

на замовлення 20 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

2+	402.12 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW40T120FKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 270W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Mounting: THT
Gate charge: 203nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 92ns
Turn-off time: 700ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

на замовлення 22 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	409.64 грн
3+	316.98 грн
8+	298.87 грн

IKW40T120FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 270W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 230 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	716.87 грн
21+	612.41 грн
50+	542.77 грн
100+	493.76 грн
200+	437.07 грн

Мінімальне замовлення: 18

IKW40T120XK

Infineon Technologies

IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 40A

товар відсутній

IKW40TI20FKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT, 75A, 1200V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 240 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 48ns/480ns
Switching Energy: 3.3mJ (on), 3.2mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 203 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A
Power - Max: 270 W

товар відсутній

IKW50N120CH7XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 86A 398W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 230 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	825.42 грн
22+	569.4 грн
50+	526.39 грн
100+	477.96 грн
200+	441.64 грн

Мінімальне замовлення: 15

IKW50N120CH7XKSA1

Infineon Technologies

IGBTs Y

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	660.17 грн
10+	558.25 грн
25+	439.79 грн
100+	404.29 грн
240+	379.66 грн
480+	355.75 грн
1200+	320.24 грн

IKW50N120CH7XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 86A 398W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 210 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	479.13 грн
10+	440.86 грн
25+	412.03 грн
50+	393.35 грн
100+	340.17 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW50N120CH7XKSA1

Description: INFINEON - IKW50N120CH7XKSA1 - IGBT, 86 A, 1.7 V, 398 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 398W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 86A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 232 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	685.98 грн
5+	590.08 грн
10+	493.36 грн
50+	427.17 грн
100+	365.05 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW50N120CH7XKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 1200V 86A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 116 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 39ns/319ns
Switching Energy: 2.33mJ (on), 1.12mJ (off)
Gate Charge: 375 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 86 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 398 W

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	605.06 грн
30+	465.06 грн
120+	416.11 грн

IKW50N120CH7XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 86A 398W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW50N120CH7XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 86A 398W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 210 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	515.98 грн

Мінімальне замовлення: 24

IKW50N120CH7XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 86A 398W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW50N120CS7XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 155 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	589.85 грн
10+	565.39 грн
25+	489.09 грн
50+	465.73 грн
100+	393.5 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW50N120CS7XKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 1200V 82A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 165 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/170ns
Switching Energy: 2.8mJ (on), 2.2mJ (off)
Test Condition: 600V, 50A, 2.3Ohm, 15V
Gate Charge: 290 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 82 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 428 W

на замовлення 384 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	637.19 грн
30+	489.99 грн
120+	438.42 грн

IKW50N120CS7XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	652.35 грн
20+	634.94 грн
50+	569.4 грн
100+	491.79 грн
200+	450.79 грн

Мінімальне замовлення: 19

IKW50N120CS7XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW50N120CS7XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 154 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	636.11 грн
21+	609.74 грн
25+	527.45 грн
50+	502.26 грн
100+	424.37 грн

Мінімальне замовлення: 20

IKW50N120CS7XKSA1

Infineon Technologies

SP005419710

на замовлення 155 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	355.02 грн

IKW50N120CS7XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 655200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	485.07 грн

Мінімальне замовлення: 240

IKW50N120CS7XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 203 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	504.84 грн
10+	491.53 грн
25+	443.98 грн
50+	424.97 грн
100+	367.95 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW50N120CS7XKSA1

Infineon Technologies

IGBTs 1200 V, 50 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package

на замовлення 1512 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	694.83 грн
10+	655.74 грн
25+	400.67 грн
100+	340.53 грн
240+	339.81 грн
480+	324.59 грн
1200+	322.42 грн

IKW50N120CS7XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 203 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	543.67 грн

Мінімальне замовлення: 23

IKW50N120CS7XKSA1

Description: INFINEON - IKW50N120CS7XKSA1 - IGBT, 82 A, 1.65 V, 428 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 428W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 82A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 188 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	723.37 грн
5+	625.84 грн
10+	528.31 грн
50+	460.38 грн
100+	396.4 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW50N60DTP

Infineon technologies

на замовлення 239 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IKW50N60DTP

на замовлення 15600 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IKW50N60DTP

Infineon Technologies

IGBT Transistors INDUSTRY 14

товар відсутній

IKW50N60DTPXKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 319.2W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 25 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IKW50N60DTPXKSA1

Infineon Technologies

IGBTs Y

на замовлення 1073 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	254.43 грн
10+	249.13 грн
25+	168.82 грн
100+	156.5 грн
240+	140.56 грн
480+	120.27 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW50N60DTPXKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW50N60DTPXKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 319.2W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 25 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	151.92 грн
10+	150.48 грн
25+	130.01 грн

Мінімальне замовлення: 5

IKW50N60DTPXKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 61A; 159.6W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 61A
Power dissipation: 159.6W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 249nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 233ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

на замовлення 226 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	200.76 грн
7+	129.06 грн
19+	121.51 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKW50N60DTPXKSA1

ROCHESTER ELECTRONICS

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IKW50N60DTPXKSA1 - IKW50N60 DISCRETE IGBT WITH ANTI-PARALL
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IKW50N60DTPXKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 61A; 159.6W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 61A
Power dissipation: 159.6W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 249nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 233ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 226 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	240.91 грн
7+	160.83 грн
19+	145.81 грн
2010+	140.38 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW50N60DTPXKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 115 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/215ns
Switching Energy: 1.53mJ (on), 850µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 249 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 319.2 W

на замовлення 269 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	258.64 грн
30+	197.31 грн
120+	169.12 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW50N60DTPXKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 319.2W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW50N60H3
Код товару: 94376

Транзистори > IGBT

товар відсутній

IKW50N60H3

100A; 600V; 333W; IGBT w/ Diode IKW50N60H3 TIKW50n60h3
кількість в упаковці: 5 шт

на замовлення 30 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

5+	170.57 грн

Мінімальне замовлення: 5

IKW50N60H3

Infineon Technologies

Description: IKW50N60 - DISCRETE IGBT WITH AN

товар відсутній

IKW50N60H3

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 208 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

35+	352.22 грн
37+	337.09 грн
50+	324.25 грн
100+	302.06 грн

Мінімальне замовлення: 35

IKW50N60H3

Infineon Technologies

IGBTs HIGH SPEED SWITCHING

на замовлення 293 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	507.17 грн
10+	419.94 грн
25+	344.15 грн
100+	294.89 грн
240+	278.95 грн
480+	262.28 грн
1200+	224.61 грн

IKW50N60H3FKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 315nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 297ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

на замовлення 207 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	375.5 грн
4+	272.45 грн
9+	258.12 грн
120+	251.32 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW50N60H3FKSA1

Description: INFINEON - IKW50N60H3FKSA1 - IGBT, 100 A, 1.85 V, 333 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 97 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	537.25 грн
10+	384.44 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW50N60H3FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 870 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	413.67 грн
25+	303.45 грн
100+	261.75 грн
240+	223.82 грн
480+	204.58 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW50N60H3FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	343.64 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW50N60H3FKSA1

Infineon Technologies

IGBTs HIGH SPEED SWITCHING

на замовлення 448 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	540.98 грн
10+	527.42 грн
25+	284.02 грн
100+	237.65 грн
240+	236.92 грн
480+	210.84 грн

IKW50N60H3FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 238 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

34+	370.07 грн

Мінімальне замовлення: 34

IKW50N60H3FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 870 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

28+	443.52 грн
38+	325.34 грн
100+	280.64 грн
240+	239.97 грн
480+	219.35 грн

Мінімальне замовлення: 28

IKW50N60H3FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 870 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	232.45 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW50N60H3FKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 315nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 297ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 207 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	450.6 грн
4+	339.52 грн
9+	309.74 грн
120+	301.59 грн
480+	297.96 грн

IKW50N60H3FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW50N60H3FKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 100A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 130 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/235ns
Switching Energy: 2.36mJ
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 315 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 333 W

на замовлення 417 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	514.92 грн
30+	285.49 грн
120+	239.18 грн

IKW50N60H3FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 570 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	618.56 грн
26+	487.47 грн
50+	459.82 грн
100+	380.2 грн
200+	330.09 грн

Мінімальне замовлення: 20

IKW50N60T

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab)TO247 IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T TIKW50n60t
кількість в упаковці: 2 шт

на замовлення 10 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

2+	285.33 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW50N60T

Infineon Technologies

Description: IKW50N60 - DISCRETE IGBT WITH AN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 1.4mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 333 W

товар відсутній

IKW50N60T
Код товару: 145126

Транзистори > IGBT

товар відсутній

IKW50N60T

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	460.21 грн
28+	440.44 грн
50+	423.67 грн
100+	394.67 грн

Мінімальне замовлення: 27

IKW50N60T

Infineon Technologies

IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 50A

на замовлення 717 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	510.55 грн
10+	430.77 грн
25+	339.81 грн
100+	312.27 грн
240+	293.44 грн
480+	275.32 грн
1200+	247.79 грн

IKW50N60T

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab)TO247 IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T TIKW50n60t
кількість в упаковці: 2 шт

на замовлення 10 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

2+	285.33 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW50N60TA

Infineon Technologies

Description: IKW50N60 - AUTOMOTIVE IGBT DISCR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 1.4mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 333 W

товар відсутній

IKW50N60TA
Код товару: 139366

Транзистори > IGBT

товар відсутній

IKW50N60TAFKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH/FS 600V 80A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns
Switching Energy: 2.6mJ
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 333 W

на замовлення 9853 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

68+	311.15 грн

Мінімальне замовлення: 68

IKW50N60TAFKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW50N60TAFKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 232 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	616.9 грн
10+	565.24 грн
25+	533.14 грн
100+	498.11 грн

IKW50N60TAFKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH/FS 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns
Switching Energy: 2.6mJ
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 333 W

товар відсутній

IKW50N60TAFKSA1

ROCHESTER ELECTRONICS

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IKW50N60TAFKSA1 - IKW50N60 DISCRETE IGBT WITH ANTI-PARALL
tariffCode: 85412900
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 9853 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

66+	358.44 грн

Мінімальне замовлення: 66

IKW50N60TAFKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW50N60TFKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 167 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	436.58 грн
25+	333.72 грн
100+	288.66 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW50N60TFKSA1

Description: INFINEON - IKW50N60TFKSA1 - IGBT, Universal, 80 A, 2 V, 333 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 5074 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	539.68 грн
5+	460.84 грн
10+	381.19 грн
50+	327.55 грн
100+	258.46 грн
250+	219.45 грн
500+	209 грн
1250+	197.85 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW50N60TFKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 10274 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

44+	284.7 грн
240+	281.83 грн
480+	280.85 грн

Мінімальне замовлення: 44

IKW50N60TFKSA1

Infineon Technologies

IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 50A

на замовлення 707 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	540.14 грн
10+	531.59 грн
25+	311.55 грн
100+	262.28 грн
240+	261.56 грн
480+	236.2 грн

IKW50N60TFKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 10274 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	329.03 грн
25+	286.88 грн
100+	264.36 грн
240+	252.35 грн
480+	232.85 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW50N60TFKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 470 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

34+	364.58 грн
40+	309.28 грн
50+	287.77 грн
100+	267.62 грн
200+	238.65 грн

Мінімальне замовлення: 34

IKW50N60TFKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 183 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	525.7 грн
3+	424.17 грн
8+	386.72 грн
30+	371.32 грн

IKW50N60TFKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

на замовлення 183 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	438.09 грн
3+	340.38 грн
8+	322.27 грн
30+	309.44 грн

IKW50N60TFKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 166 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	468.09 грн
35+	357.8 грн
100+	309.49 грн

Мінімальне замовлення: 27

IKW50N60TFKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns
Switching Energy: 2.6mJ
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 333 W

на замовлення 1727 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	560.38 грн
30+	312.98 грн
120+	263.08 грн
510+	214.77 грн

IKW50N60TFKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 167 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	260.35 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW50N60TFKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW50N65EH5

Infineon Technologies

IGBTs INDUSTRY 14

товар відсутній

IKW50N65EH5

на замовлення 12360 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IKW50N65EH5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 275W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW50N65EH5XKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 138W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 138W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 207ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

товар відсутній

IKW50N65EH5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 275W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 162 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

55+	227.27 грн

Мінімальне замовлення: 55

IKW50N65EH5XKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 81 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/172ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 275 W

на замовлення 93 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	475.74 грн
30+	262.59 грн

IKW50N65EH5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 275000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW50N65EH5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 275W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 4800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	287.14 грн

Мінімальне замовлення: 240

IKW50N65EH5XKSA1

Infineon Technologies

IGBTs Y

на замовлення 271 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	490.27 грн
10+	436.6 грн
25+	261.56 грн
240+	251.41 грн
480+	190.55 грн

IKW50N65EH5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 275W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 162 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	254.63 грн
10+	242 грн
25+	225.34 грн
100+	203.5 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKW50N65EH5XKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 138W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 138W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 207ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IKW50N65EH5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 275W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

38+	326.69 грн
50+	318.5 грн

Мінімальне замовлення: 38

IKW50N65EH5XKSA1

Description: INFINEON - IKW50N65EH5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.65 V, 275 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 275
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Kollektorstrom: 80
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

товар відсутній

IKW50N65ES5

Infineon Technologies

IGBTs Trenchstop 5 IGBT

на замовлення 202 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	457.3 грн
10+	379.11 грн
25+	311.55 грн
100+	266.63 грн
240+	252.14 грн
480+	236.92 грн
1200+	202.87 грн

IKW50N65ES5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 274000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 254 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	210.48 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW50N65ES5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 274W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 210 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	571.45 грн
26+	480.3 грн
50+	373.8 грн
200+	337.73 грн

Мінімальне замовлення: 22

IKW50N65ES5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 274W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 254 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	304.62 грн
10+	278.42 грн
25+	244.23 грн
240+	235.2 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW50N65ES5XKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60.5A; 137W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60.5A
Power dissipation: 137W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 47ns
Turn-off time: 161ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IKW50N65ES5XKSA1

Description: INFINEON - IKW50N65ES5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 274 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 274W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP™ 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 198 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	487.67 грн
10+	293.41 грн
100+	228.39 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW50N65ES5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 274W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 252 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

38+	326.6 грн
42+	298.5 грн
47+	261.85 грн
240+	252.17 грн

Мінімальне замовлення: 38

IKW50N65ES5XKSA1

Infineon Technologies

IGBTs Y

на замовлення 236 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	457.3 грн
10+	379.11 грн
25+	251.41 грн
100+	249.96 грн
240+	249.24 грн
480+	202.87 грн
1200+	191.28 грн

IKW50N65ES5XKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60.5A; 137W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60.5A
Power dissipation: 137W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 47ns
Turn-off time: 161ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

товар відсутній

IKW50N65ES5XKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/127ns
Switching Energy: 1.23mJ (on), 550µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 8.2Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 274 W

на замовлення 231 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	410.68 грн
30+	313.26 грн
120+	268.51 грн

IKW50N65ET7XKSA1

Description: INFINEON - IKW50N65ET7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 273 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 273W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 14 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	416.14 грн
10+	308.04 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW50N65ET7XKSA1

Infineon Technologies

IGBTs 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package

на замовлення 376 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	475.9 грн
10+	387.44 грн
25+	248.51 грн
100+	207.22 грн
240+	206.49 грн
480+	178.96 грн

IKW50N65ET7XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 273W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	269.55 грн

Мінімальне замовлення: 240

IKW50N65ET7XKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 650V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 93 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/350ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 850µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 290 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 273 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 235 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	453.79 грн
30+	249.49 грн
120+	208.04 грн

IKW50N65ET7XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 273000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW50N65ET7XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 273W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 60 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

33+	376.87 грн
38+	330.78 грн
50+	263.19 грн

Мінімальне замовлення: 33

IKW50N65ET7XKSA1
Код товару: 178408

Транзистори > IGBT

товар відсутній

IKW50N65F5

Infineon Technologies

Description: IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3

товар відсутній

IKW50N65F5
Код товару: 187321

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1

товар відсутній

IKW50N65F5

на замовлення 960 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IKW50N65F5

Infineon Technologies

IGBTs INDUSTRY 14

товар відсутній

IKW50N65F5AXKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 270000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW50N65F5AXKSA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors DISCRETE SWITCHES

товар відсутній

IKW50N65F5AXKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 77 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/156ns
Switching Energy: 490µJ (on), 140µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 108 nC
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 270 W
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

IKW50N65F5FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW50N65F5FKSA1
Код товару: 162192

Транзистори > IGBT

товар відсутній

IKW50N65F5FKSA1

Infineon Technologies

IGBTs IGBT PRODUCTS

на замовлення 681 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	477.59 грн
10+	406.61 грн
25+	268.8 грн
100+	250.69 грн
240+	188.38 грн
480+	178.24 грн
1200+	159.4 грн

IKW50N65F5FKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 52 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/175ns
Switching Energy: 490µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 305 W

товар відсутній

IKW50N65F5FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 34 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	462.89 грн
32+	391.21 грн

Мінімальне замовлення: 27

IKW50N65F5FKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

на замовлення 44 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	418.58 грн
5+	199.25 грн
13+	188.68 грн

IKW50N65F5FKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 44 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	502.3 грн
5+	248.29 грн
13+	226.42 грн
120+	217.36 грн

IKW50N65F5FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 948 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

35+	354.03 грн
36+	349.16 грн
66+	186.28 грн
67+	177.84 грн
120+	163.02 грн
270+	146.58 грн
510+	145.15 грн

Мінімальне замовлення: 35

IKW50N65F5FKSA1

Description: INFINEON - IKW50N65F5FKSA1 - IGBT, 50 A, 1.6 V, 305 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 12595 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	464.91 грн
10+	315.36 грн
100+	208.88 грн
500+	184.15 грн
1000+	160.23 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW50N65F5FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW50N65F5FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	160.6 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKW50N65F5FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	330.2 грн
10+	325.67 грн
25+	173.75 грн
60+	165.88 грн
120+	152.06 грн
270+	136.72 грн
510+	135.38 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW50N65H5

Infineon Technologies

IGBTs INDUSTRY 14

товар відсутній

IKW50N65H5A

Infineon Technologies

IGBT Transistors DISCRETE SWITCHES

товар відсутній

IKW50N65H5AXKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 270000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW50N65H5AXKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 270000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW50N65H5AXKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 270000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW50N65H5AXKSA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors DISCRETE SWITCHES

товар відсутній

IKW50N65H5AXKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/173ns
Switching Energy: 450µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 116 nC
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 270 W
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

IKW50N65H5FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 175 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	174.13 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW50N65H5FKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

на замовлення 32 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	347.06 грн
5+	215.85 грн
12+	204.53 грн
30+	196.23 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW50N65H5FKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 32 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	416.47 грн
5+	268.98 грн
12+	245.44 грн
30+	235.47 грн

IKW50N65H5FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

53+	232.47 грн

Мінімальне замовлення: 53

IKW50N65H5FKSA1

Description: INFINEON - IKW50N65H5FKSA1 - IGBT, 50 A, 1.65 V, 305 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 391 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	417.77 грн
10+	256.84 грн
100+	232.45 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW50N65H5FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 2480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

30+	413.65 грн
39+	316 грн
46+	270.03 грн
63+	189.13 грн
100+	173.37 грн
480+	157.65 грн
720+	156.11 грн

Мінімальне замовлення: 30

IKW50N65H5FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

69+	179.34 грн

Мінімальне замовлення: 69

IKW50N65H5FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	166.53 грн
10+	156.94 грн
25+	150.71 грн
50+	131.83 грн
100+	120.84 грн

Мінімальне замовлення: 4

IKW50N65H5FKSA1

Infineon Technologies

IGBTs IGBT PRODUCTS

на замовлення 374 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	418.42 грн
10+	348.28 грн
25+	223.88 грн
100+	184.76 грн
240+	183.31 грн
480+	157.95 грн

IKW50N65H5FKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 57 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/180ns
Switching Energy: 520µJ (on), 180µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 305 W

на замовлення 781 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	413.82 грн
30+	225.71 грн
120+	187.56 грн
510+	149.71 грн

IKW50N65H5FKSA1
Код товару: 125871

Транзистори > IGBT

товар відсутній

IKW50N65H5FKSA1

80A; 650V; 305W; IGBT w/ Diode IKW50N65H5 TIKW50n65h5
кількість в упаковці: 2 шт

на замовлення 101 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

4+	255.95 грн

Мінімальне замовлення: 4

IKW50N65H5FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 2480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	384.11 грн
10+	293.43 грн
25+	250.75 грн
50+	175.62 грн
100+	160.98 грн
480+	146.39 грн
720+	144.96 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW50N65H5FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 174 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

35+	355.62 грн
43+	287.77 грн
49+	253.04 грн
64+	186.74 грн
100+	171.19 грн

Мінімальне замовлення: 35

IKW50N65H5FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 175 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	331.68 грн
10+	268.4 грн
25+	236.01 грн
50+	174.18 грн
100+	159.67 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW50N65RH5XKSA1

Infineon Technologies

IGBT Discrete Chip

товар відсутній

IKW50N65RH5XKSA1

Infineon Technologies

IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode

на замовлення 902 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	557.89 грн
10+	492.43 грн
25+	310.1 грн
240+	291.99 грн
480+	270.98 грн
1200+	235.47 грн

IKW50N65RH5XKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/180ns
Switching Energy: 230µJ (on), 180µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 305 W

на замовлення 70 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	464.76 грн
30+	357.46 грн

IKW50N65RH5XKSA1

Infineon Technologies

IGBT Discrete Chip

товар відсутній

IKW50N65RH5XKSA1

Infineon Technologies

SP004038142

товар відсутній

IKW50N65RH5XKSA1

Infineon Technologies

IGBT Discrete Chip

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	487.47 грн
50+	479.28 грн
100+	461.17 грн
200+	426.1 грн

Мінімальне замовлення: 26

IKW50N65RH5XKSA1

Description: INFINEON - IKW50N65RH5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, 305W, To-247, 1.65Vsat
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 H5 CoolSiC Gen VI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 627 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	537.25 грн
5+	459.22 грн
10+	380.38 грн
50+	329.06 грн
100+	281.45 грн
250+	264.04 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW50N65SS5XKSA1

Infineon Technologies

IGBT Discrete Chip

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	857.17 грн
16+	773.2 грн
50+	648.26 грн
200+	622.14 грн

Мінімальне замовлення: 15

IKW50N65SS5XKSA1

Infineon Technologies

SP001668430

товар відсутній

IKW50N65SS5XKSA1

Infineon Technologies

IGBT Discrete Chip

товар відсутній

IKW50N65SS5XKSA1

Infineon Technologies

IGBT Discrete Chip

на замовлення 18720 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	525.45 грн

Мінімальне замовлення: 240

IKW50N65SS5XKSA1

Description: INFINEON - IKW50N65SS5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, 274W, To-247, 1.35Vsat
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 274W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 S5 CoolSiC Gen VI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 171 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	781.08 грн
5+	673.79 грн
10+	565.69 грн
50+	489.81 грн
100+	418.7 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW50N65SS5XKSA1

Infineon Technologies

IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode

на замовлення 611 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	715.11 грн
10+	487.43 грн
25+	365.16 грн
100+	348.5 грн

IKW50N65SS5XKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/140ns
Switching Energy: 320µJ (on), 550µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 274 W

на замовлення 116 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	640.32 грн
30+	366.85 грн

IKW50N65SS5XKSA1

Infineon Technologies

IGBT Discrete Chip

товар відсутній

IKW50N65WR5

Infineon Technologies

IGBTs HOME APPLIANCES 14

товар відсутній

IKW50N65WR5XKSA1

Description: INFINEON - IKW50N65WR5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 282 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 282W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 34 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	320.23 грн
10+	225.95 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKW50N65WR5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 282W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

40+	307.23 грн
48+	258.07 грн
56+	223.25 грн
100+	212.32 грн

Мінімальне замовлення: 40

IKW50N65WR5XKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/417ns
Switching Energy: 840µJ (on), 220µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 16Ohm, 15V
Gate Charge: 230 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 282 W

на замовлення 236 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	344.07 грн
30+	184.96 грн
120+	152.62 грн

IKW50N65WR5XKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 79ns
Turn-off time: 420ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 102 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	476.94 грн
3+	413.82 грн
4+	305.21 грн
10+	288 грн

IKW50N65WR5XKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 79ns
Turn-off time: 420ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

на замовлення 102 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	397.45 грн
3+	332.08 грн
4+	254.34 грн
10+	240 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW50N65WR5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 282W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW50N65WR5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 282000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW50N65WR5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 282W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 21120 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	185.81 грн

Мінімальне замовлення: 240

IKW50N65WR5XKSA1

Infineon Technologies

IGBTs Y

на замовлення 375 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	335.58 грн
10+	283.29 грн
25+	184.03 грн
100+	152.15 грн
240+	151.43 грн
480+	123.17 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW60N60H3

Infineon Technologies

IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop

на замовлення 277 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	590.86 грн
10+	499.93 грн
25+	394.15 грн
100+	361.54 грн
240+	340.53 грн
480+	318.79 грн
1200+	301.41 грн

IKW60N60H3FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1920 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	425.25 грн

Мінімальне замовлення: 240

IKW60N60H3FKSA1

Infineon Technologies

IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop

товар відсутній

IKW60N60H3FKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 375nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 314ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	583.57 грн

IKW60N60H3FKSA1
Код товару: 198550

Транзистори > IGBT

товар відсутній

IKW60N60H3FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 160 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	301.77 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW60N60H3FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW60N60H3FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW60N60H3FKSA1

Description: INFINEON - IKW60N60H3FKSA1 - IGBT, 80 A, 1.85 V, 416 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 416W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: Produktreihe TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 174 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	676.23 грн
5+	581.14 грн
10+	485.23 грн
50+	412.08 грн
100+	344.15 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW60N60H3FKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/252ns
Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.13mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 375 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 416 W

на замовлення 216 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	619.16 грн
10+	408 грн

IKW60N60H3FKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 375nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 314ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 1 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	700.29 грн
3+	465.55 грн
7+	423.85 грн

IKW75N120CH7XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 92A 549W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 355 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	822.15 грн
10+	642.08 грн
100+	521.12 грн

IKW75N120CH7XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 92A 549W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW75N120CH7XKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 1200V 92A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 145 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 55ns/461ns
Switching Energy: 4.22mJ (on), 1.66mJ (off)
Gate Charge: 535 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 92 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 549 W

на замовлення 605 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	786.88 грн
30+	452.36 грн
120+	385.14 грн
510+	335.97 грн

IKW75N120CH7XKSA1

Infineon Technologies

IGBTs 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 3pin package

на замовлення 479 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	797.95 грн
10+	724.9 грн
25+	538.33 грн
100+	487.61 грн
240+	471.67 грн
480+	388.35 грн
1200+	386.9 грн

IKW75N120CH7XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 92A 549W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 355 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	885.4 грн
18+	691.47 грн
100+	561.21 грн

Мінімальне замовлення: 14

IKW75N120CH7XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 92A 549W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW75N60H3

Infineon Technologies

Description: IKW75N60 - DISCRETE IGBT WITH AN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 190 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/265ns
Switching Energy: 3mJ (on), 1.7mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 5.2Ohm, 15V
Gate Charge: 470 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 428 W

товар відсутній

IKW75N60H3

Infineon Technologies

IGBTs INDUSTRY 14

товар відсутній

IKW75N60H3

Infineon technologies

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IKW75N60H3FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	297.46 грн
10+	292.06 грн
25+	286.12 грн
100+	273.19 грн
240+	228.23 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKW75N60H3FKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 75A
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 332ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 22 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	867.07 грн
2+	640.48 грн
5+	582.34 грн

IKW75N60H3FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

39+	320.34 грн
40+	308.13 грн
100+	294.2 грн
240+	245.78 грн

Мінімальне замовлення: 39

IKW75N60H3FKSA1

Description: INFINEON - IKW75N60H3FKSA1 - IGBT, 80 A, 1.85 V, 428 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 428W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 72 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	616.9 грн
5+	543.75 грн
10+	469.79 грн
50+	419.63 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW75N60H3FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1680 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	450.1 грн

Мінімальне замовлення: 240

IKW75N60H3FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 210 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	329.66 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW75N60H3FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW75N60H3FKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT 600V 80A 428W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 190 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/265ns
Switching Energy: 3mJ (on), 1.7mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 5.2Ohm, 15V
Gate Charge: 470 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 428 W

товар відсутній

IKW75N60H3FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 263 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

32+	384.04 грн
33+	380.97 грн
50+	370.72 грн
100+	356.5 грн

Мінімальне замовлення: 32

IKW75N60H3FKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 75A
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 332ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

на замовлення 22 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	722.56 грн
2+	513.97 грн
5+	485.29 грн

IKW75N60H3FKSA1
Код товару: 138035

Транзистори > IGBT

товар відсутній

IKW75N60H3FKSA1

Infineon Technologies

IGBTs Y

на замовлення 689 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	586.63 грн
10+	540.76 грн
25+	438.34 грн
100+	431.82 грн
240+	355.75 грн
1200+	298.51 грн

IKW75N60T
Код товару: 40498

Транзистори > Польові N-канальні

товар відсутній

IKW75N60T

Infineon Technologies

IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 75A

на замовлення 836 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	655.94 грн
10+	554.09 грн
25+	437.62 грн
100+	401.39 грн
240+	377.48 грн
480+	353.57 грн
1200+	318.07 грн

IKW75N60T

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	566.4 грн
25+	542.07 грн
50+	521.41 грн
100+	485.73 грн
250+	436.11 грн
500+	407.28 грн
1000+	397.31 грн

Мінімальне замовлення: 22

IKW75N60TA

Infineon Technologies

IGBT Transistors 600V 75A 100nA

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IKW75N60TA

Infineon Technologies

Description: IKW75N60 - AUTOMOTIVE IGBT DISCR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 121 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/330ns
Switching Energy: 2mJ (on), 2.5mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 470 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 428 W

товар відсутній

IKW75N60TAFKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW75N60TAFKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW75N60TAFKSA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors 600V 75A 100nA

товар відсутній

IKW75N60TAFKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH/FS 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 121 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/330ns
Switching Energy: 4.5mJ
Test Condition: 400V, 75A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 470 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 428 W

товар відсутній

IKW75N60TFKSA1
Код товару: 169611

Транзистори > Польові N-канальні

товар відсутній

IKW75N60TFKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW75N60TFKSA1

Infineon Technologies

IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 75A

на замовлення 33 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	655.1 грн
10+	553.25 грн
25+	436.89 грн
100+	400.67 грн
240+	377.48 грн
480+	353.57 грн
1200+	318.07 грн

IKW75N60TFKSA1

80A; 600V; 428W; IGBT w/ Diode IKW75N60T TIKW75n60t
кількість в упаковці: 5 шт

на замовлення 23 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

5+	369.41 грн

Мінімальне замовлення: 5

IKW75N60TFKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW75N60TFKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 75A
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 401ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

товар відсутній

IKW75N60TFKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 121 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/330ns
Switching Energy: 4.5mJ
Test Condition: 400V, 75A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 470 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 428 W

на замовлення 3503 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	670.11 грн
30+	380.51 грн
120+	322.14 грн
510+	275.84 грн

IKW75N60TFKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 75A
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 401ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IKW75N60TFKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 14 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IKW75N60TFKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW75N60TFKSA1

Description: INFINEON - IKW75N60TFKSA1 - IGBT, Universal, 80 A, 2 V, 428 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 428W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 6661 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	711.99 грн
5+	607.14 грн
10+	501.48 грн
50+	438.49 грн
100+	378.99 грн
250+	319.77 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW75N60TFKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 499 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	686.15 грн
20+	643.13 грн
50+	487.47 грн
100+	441.42 грн
200+	384.95 грн

Мінімальне замовлення: 18

IKW75N60TXK

Infineon Technologies

Description: IKW75N60 - DISCRETE IGBT WITH AN
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товар відсутній

IKW75N65EH5

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	509.63 грн
26+	487.73 грн
50+	469.15 грн
100+	437.05 грн

Мінімальне замовлення: 25

IKW75N65EH5

Infineon Technologies

IGBTs INDUSTRY 14

товар відсутній

IKW75N65EH5

Infineon Technologies

IKW75N65EH5XKSA1 IGBT TRENCH 650V 90A TO247-3

на замовлення 56 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

IKW75N65EH5XKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 198W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 198W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 215ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

товар відсутній

IKW75N65EH5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 210 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	488.03 грн
10+	454.59 грн
25+	391.72 грн
50+	373.95 грн
100+	323.8 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW75N65EH5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW75N65EH5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 17 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IKW75N65EH5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 210 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	267.11 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW75N65EH5XKSA1

Description: INFINEON - IKW75N65EH5XKSA1 - IGBT, 90 A, 1.65 V, 395 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 90A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 14163 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	575.45 грн
5+	491.73 грн
10+	408.01 грн
50+	353.21 грн
100+	302.35 грн
250+	283.54 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW75N65EH5XKSA1

Infineon Technologies

IGBTs Y

на замовлення 391 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	564.65 грн
10+	533.26 грн
25+	318.07 грн
100+	267.35 грн
240+	266.63 грн
480+	242.72 грн

IKW75N65EH5XKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 198W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 198W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 215ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IKW75N65EH5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 210 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	527.55 грн
26+	491.41 грн
30+	423.44 грн
50+	404.24 грн
100+	350.03 грн

Мінімальне замовлення: 24

IKW75N65EH5XKSA1
Код товару: 177738

Транзистори > IGBT

товар відсутній

IKW75N65EH5XKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH 650V 90A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/174ns
Switching Energy: 2.3mJ (on), 900µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 8Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W

на замовлення 913 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	565.08 грн
30+	316.38 грн
120+	266.12 грн
510+	220.29 грн

IKW75N65EH5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 17 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	373.3 грн
10+	358.85 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW75N65EH5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 258 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

31+	400.42 грн
50+	392.23 грн
100+	377.23 грн

Мінімальне замовлення: 31

IKW75N65EL5

Infineon Technologies

IGBTs INDUSTRY 14

товар відсутній

IKW75N65EL5

Infineon technologies

на замовлення 7 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IKW75N65EL5XKSA1

Description: INFINEON - IKW75N65EL5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.1 V, 536 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.1V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 536W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 133 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	664.85 грн
5+	570.57 грн
10+	475.48 грн
50+	412.08 грн
100+	352.51 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW75N65EL5XKSA1
Код товару: 190876

Транзистори > IGBT

товар відсутній

IKW75N65EL5XKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 114 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/275ns
Switching Energy: 1.61mJ (on), 3.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 4Ohm, 15V
Gate Charge: 436 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 536 W

на замовлення 565 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	653.65 грн
30+	370.52 грн
120+	313.39 грн
510+	267.07 грн

IKW75N65EL5XKSA1

Infineon Technologies

IGBTs 650V IGBT Trenchstop 5

на замовлення 593 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	636.5 грн
10+	613.25 грн
25+	372.41 грн
100+	314.45 грн
240+	313.72 грн
480+	294.16 грн

IKW75N65EL5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 536W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	660.54 грн
20+	645.18 грн
50+	527.41 грн
100+	466.11 грн
200+	421.53 грн

Мінімальне замовлення: 19

IKW75N65EL5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 536000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 330 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	323.75 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW75N65ES5

Infineon Technologies

IGBTs Trenchstop 5 IGBT

на замовлення 2288 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	540.14 грн
10+	456.6 грн
25+	360.09 грн
100+	331.11 грн
240+	310.82 грн
480+	291.26 грн
1200+	262.28 грн

IKW75N65ES5

Infineon technologies

на замовлення 167 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IKW75N65ES5
Код товару: 169192

Транзистори > IGBT

товар відсутній

IKW75N65ES5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 6042 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	401.61 грн
10+	388.9 грн
25+	324.54 грн
100+	276.34 грн
240+	254.65 грн
480+	222.55 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW75N65ES5XKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 164nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 86ns
Turn-off time: 185ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IKW75N65ES5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 720 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

36+	350.24 грн

Мінімальне замовлення: 36

IKW75N65ES5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW75N65ES5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW75N65ES5XKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 164nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 86ns
Turn-off time: 185ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

товар відсутній

IKW75N65ES5XKSA1

Description: INFINEON - IKW75N65ES5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.42 V, 395 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.42
DC-Kollektorstrom: 80
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650
Verlustleistung Pd: 395
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: TRENCHSTOP™ 5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

товар відсутній

IKW75N65ES5XKSA1

Infineon Technologies

IGBTs Y

на замовлення 200 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	590.86 грн
10+	575.75 грн
25+	317.35 грн
100+	274.6 грн
480+	250.69 грн

IKW75N65ES5XKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/144ns
Switching Energy: 2.4mJ (on), 950µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 18Ohm, 15V
Gate Charge: 164 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W

на замовлення 14309 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	578.41 грн
30+	324.48 грн
120+	273.19 грн
510+	227.22 грн

IKW75N65ES5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 6042 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

29+	432.5 грн
30+	418.82 грн
36+	349.5 грн
100+	297.6 грн
240+	274.24 грн
480+	239.67 грн

Мінімальне замовлення: 29

IKW75N65ET7XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 333000mW Tube

товар відсутній

IKW75N65ET7XKSA1

Description: INFINEON - IKW75N65ET7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 333 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 201 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	599.02 грн
5+	512.86 грн
10+	426.71 грн
50+	369.81 грн
100+	316.29 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW75N65ET7XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 145 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	332.98 грн
10+	332.53 грн
25+	290.61 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW75N65ET7XKSA1

Infineon Technologies

IGBTs 650 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package

на замовлення 194 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	398.13 грн
25+	303.29 грн

IKW75N65ET7XKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/310ns
Switching Energy: 2.17mJ (on), 1.23mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 435 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 333 W
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 438 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	421.66 грн
30+	255.07 грн

IKW75N65ET7XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

33+	381.99 грн

Мінімальне замовлення: 33

IKW75N65ET7XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW75N65ET7XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 145 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

40+	312.96 грн

Мінімальне замовлення: 40

IKW75N65RH5XKSA1

Infineon Technologies

IGBTs 650 V, 75 A IGBT Discrete with CoolSiC diode

на замовлення 145 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	734.56 грн
10+	711.56 грн
25+	399.22 грн
100+	339.08 грн
240+	338.36 грн
480+	320.24 грн

IKW75N65RH5XKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/180ns
Switching Energy: 360µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 37.5A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 168 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W

на замовлення 254 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	698.32 грн
30+	397.59 грн
120+	337.1 грн

IKW75N65RH5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW75N65RH5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	719.94 грн
19+	675.91 грн
50+	570.42 грн
100+	545.11 грн

Мінімальне замовлення: 18

IKW75N65RH5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW75N65RH5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW75N65RH5XKSA1

Description: INFINEON - IKW75N65RH5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, 395W, To-247, 1.65Vsat
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 H5 CoolSiC Gen VI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 248 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	740.44 грн
5+	638.03 грн
10+	534.81 грн
50+	485.29 грн
100+	437.51 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW75N65RH5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 670 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	725.47 грн
25+	691.97 грн
50+	664.13 грн
100+	617.84 грн
250+	554.32 грн
500+	517.57 грн

Мінімальне замовлення: 17

IKW75N65SS5XKSA1

Infineon Technologies

IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode

на замовлення 153 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	624.05 грн
10+	603.97 грн
25+	595.9 грн
50+	563.03 грн
100+	520.92 грн

IKW75N65SS5XKSA1

Infineon Technologies

IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	1034.34 грн
13+	1017.96 грн
50+	950.99 грн
100+	876.89 грн

Мінімальне замовлення: 12

IKW75N65SS5XKSA1

Infineon Technologies

SP004038158

товар відсутній

IKW75N65SS5XKSA1

Infineon Technologies

IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode

на замовлення 239 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	1126.98 грн
25+	1074.94 грн
50+	1031.69 грн
100+	959.77 грн

Мінімальне замовлення: 11

IKW75N65SS5XKSA1

Description: INFINEON - IKW75N65SS5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, 395W, To-247, 1.35Vsat
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 S5 CoolSiC Gen VI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1172 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	809.53 грн
5+	747.76 грн
10+	685.17 грн
50+	572.83 грн
100+	525.98 грн
250+	525.29 грн
500+	524.59 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW75N65SS5XKSA1

Infineon Technologies

IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode

товар відсутній

IKW75N65SS5XKSA1

Infineon Technologies

IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode

на замовлення 153 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	641.74 грн
50+	628.8 грн
100+	628.31 грн

Мінімальне замовлення: 20

IKW75N65SS5XKSA1

Infineon Technologies

IGBTs 650 V, 75 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode

на замовлення 583 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	713.42 грн
10+	672.4 грн
25+	568.76 грн
50+	552.09 грн
100+	550.65 грн
240+	498.48 грн

IKW75N65SS5XKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/145ns
Switching Energy: 450µJ (on), 750µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 5.6Ohm, 15V
Gate Charge: 164 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W

товар відсутній

IKW75N65SS5XKSA1

Infineon Technologies

IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode

на замовлення 9360 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	750.64 грн

Мінімальне замовлення: 240

IKWH100N65EH7XKSA1

Description: INFINEON - IKWH100N65EH7XKSA1 - IGBT, 140 A, 1.4 V, 427 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 427W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 140A
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 220 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	790.02 грн
5+	685.17 грн
10+	596.58 грн
50+	519.25 грн
100+	431.93 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKWH100N65EH7XKSA1

Infineon Technologies

IGBTs INDUSTRY 14

на замовлення 296 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	719.34 грн
10+	608.25 грн
25+	479.64 грн
100+	440.52 грн
240+	413.71 грн
480+	388.35 грн
1200+	349.23 грн

IKWH100N65EH7XKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 650V 140A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 106 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-32
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/240ns
Switching Energy: 3.58mJ (on), 2.37mJ (off)
Test Condition: 400V, 100A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 199 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 140 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A
Power - Max: 427 W

на замовлення 150 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	659.92 грн
30+	507.15 грн
120+	453.76 грн

IKWH100N65EH7XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 140A 427W

товар відсутній

IKWH20N65WR6XKSA1

Infineon Technologies

SP005545963

товар відсутній

IKWH20N65WR6XKSA1

Description: INFINEON - IKWH20N65WR6XKSA1 - IGBT, 40 A, 1.35 V, 140 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 WR6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 55 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	232.45 грн
10+	165.81 грн

Мінімальне замовлення: 4

IKWH20N65WR6XKSA1

Infineon Technologies

IGBTs Y

на замовлення 153 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	242.6 грн
10+	149.98 грн
100+	106.51 грн
240+	105.78 грн
480+	81.87 грн
1200+	79.7 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKWH20N65WR6XKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 650V 55A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-32
IGBT Type: Trench Field Stop
Gate Charge: 97 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 136 W

на замовлення 208 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	249.23 грн
30+	130.99 грн
120+	106.79 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKWH30N65WR5XKSA1

Infineon Technologies

SP005430891

товар відсутній

IKWH30N65WR5XKSA1

Description: INFINEON - IKWH30N65WR5XKSA1 - IGBT, 60 A, 1.4 V, 190 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 190
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 WR5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

товар відсутній

IKWH30N65WR5XKSA1

Infineon Technologies

IGBTs Y

на замовлення 76 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	184.27 грн
25+	120.82 грн
100+	94.91 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKWH30N65WR5XKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 650V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-32
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 41ns/398ns
Switching Energy: 870µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 27Ohm, 15V
Gate Charge: 133 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 190 W

на замовлення 157 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	198.29 грн
30+	105.33 грн
120+	91.64 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKWH30N65WR6XKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 650V 67A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-32
IGBT Type: Trench Field Stop
Gate Charge: 97 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 67 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 136 W

на замовлення 180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	260.99 грн
30+	137.54 грн
120+	112.32 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKWH30N65WR6XKSA1

Infineon Technologies

SP005430886

товар відсутній

IKWH30N65WR6XKSA1

Description: INFINEON - IKWH30N65WR6XKSA1 - IGBT, 60 A, 1.45 V, 165 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 165
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 WR6
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

товар відсутній

IKWH30N65WR6XKSA1

Infineon Technologies

IGBTs Y

на замовлення 901 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	227.38 грн
10+	157.48 грн
100+	111.58 грн
240+	92.02 грн
480+	90.57 грн
1200+	84.77 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKWH40N65EH7XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 208W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKWH40N65EH7XKSA1

Description: INFINEON - IKWH40N65EH7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 208 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 215 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	449.47 грн
10+	385.26 грн
100+	333.24 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKWH40N65EH7XKSA1

Infineon Technologies

IGBTs 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247-3 HCC package

на замовлення 107 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	455.61 грн
10+	330.79 грн
25+	286.92 грн
100+	264.45 грн
240+	187.65 грн
480+	175.34 грн

IKWH40N65EH7XKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: PG-TO247-3-32
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 74 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 40A
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/141ns
Switching Energy: 970µJ (on), 420µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 12.5Ohm, 15V
Gate Charge: 81 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 208 W

на замовлення 204 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	442.04 грн
10+	286.19 грн

IKWH40N65WR6XKSA1

Infineon Technologies

IGBTs Y

на замовлення 576 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	235.84 грн
10+	221.63 грн
25+	153.6 грн
100+	126.07 грн
240+	97.81 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKWH40N65WR6XKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH 650V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 79 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-32
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/353ns
Switching Energy: 1.09mJ (on), 570µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 27Ohm, 15V
Gate Charge: 117 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 175 W

на замовлення 181 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	287.64 грн
30+	152.68 грн
120+	125.2 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKWH40N65WR6XKSA1

Infineon Technologies

SP005542785

товар відсутній

IKWH40N65WR6XKSA1

Description: INFINEON - IKWH40N65WR6XKSA1 - IGBT, 75 A, 1.55 V, 175 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 175W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 WR6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 75A

на замовлення 266 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	263.34 грн
10+	186.13 грн
100+	140.61 грн

Мінімальне замовлення: 4

IKWH50N65EH7XKSA1

Infineon Technologies

INDUSTRY 14

товар відсутній

IKWH50N65EH7XKSA1

Description: INFINEON - IKWH50N65EH7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 249 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 249W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 168 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	514.49 грн
10+	441.34 грн
100+	381.19 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKWH50N65EH7XKSA1

Infineon Technologies

IGBTs 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247-3 HCC package

на замовлення 172 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	469.98 грн
10+	313.29 грн
100+	212.29 грн
240+	200.7 грн

IKWH50N65EH7XKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 50A
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/147ns
Switching Energy: 1.27mJ (on), 650µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 102 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 249 W
Package / Case: TO-247-3
Supplier Device Package: PG-TO247-3-32
Reverse Recovery Time (trr): 76 ns

на замовлення 176 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	420.87 грн
10+	273.66 грн

IKWH50N65WR6XKSA1

Infineon Technologies

SP005542787

товар відсутній

IKWH50N65WR6XKSA1

Infineon Technologies

IGBTs Y

на замовлення 593 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	293.32 грн
10+	282.46 грн
25+	182.58 грн
100+	150.7 грн
240+	122.45 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKWH50N65WR6XKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 650V 85A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-32
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/351ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 730µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 144 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 85 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 205 W

на замовлення 198 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	341.72 грн
30+	183.35 грн
120+	151.23 грн

IKWH60N65WR6XKSA1

Description: INFINEON - IKWH60N65WR6XKSA1 - IGBT, 100 A, 1.55 V, 240 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 WR6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	325.11 грн
10+	230.83 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKWH60N65WR6XKSA1

Infineon Technologies

SP005430894

товар відсутній

IKWH60N65WR6XKSA1

Infineon Technologies

IGBTs Y

на замовлення 238 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	351.64 грн
10+	344.95 грн
25+	202.87 грн
100+	168.09 грн
240+	167.37 грн
480+	139.11 грн

IKWH60N65WR6XKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 650V 100A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-32
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/311ns
Switching Energy: 1.82mJ (on), 850µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 174 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 240 W

на замовлення 106 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	373.06 грн
30+	201.86 грн

IKWH70N65WR6XKSA1

Infineon Technologies

SP005430896

товар відсутній

IKWH70N65WR6XKSA1

Infineon Technologies

IGBTs Y

на замовлення 234 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	376.15 грн
10+	311.62 грн
25+	255.04 грн
100+	218.81 грн
240+	207.22 грн
480+	194.9 грн
1200+	166.64 грн

IKWH70N65WR6XKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 650V 122A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 70A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-32
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 42ns/378ns
Switching Energy: 2.2mJ (on), 1.07mJ (off)
Test Condition: 400V, 70A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 269 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 122 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 210 A
Power - Max: 290 W

на замовлення 26 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	345.63 грн

IKWH75N65EH7XKSA1

Infineon Technologies

IGBTs 650 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247-3 HCC package

на замовлення 270 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	599.31 грн
10+	444.94 грн
25+	375.31 грн
100+	358.64 грн
240+	257.93 грн
480+	254.31 грн

IKWH75N65EH7XKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 89 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-32
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/45ns
Switching Energy: 2.42mJ (on), 1.4mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 150 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 341 W

на замовлення 255 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	591.73 грн
10+	388.76 грн
240+	259.79 грн

IKWH75N65EH7XKSA1

Description: INFINEON - IKWH75N65EH7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 341 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 186 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	640.47 грн
5+	548.62 грн
10+	474.66 грн
50+	414.34 грн
100+	340.67 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKWH75N65EH7XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 341W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній