Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IKW15N120H3FKSA1
IKW15N120H3FKSA1

IKW15N120H3FKSA1 Infineon Technologies

ikw15n120h3_rev1_2g.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+186.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKW15N120H3FKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 260 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-1, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 21ns/260ns, Switching Energy: 1.55mJ, Test Condition: 600V, 15A, 35Ohm, 15V, Gate Charge: 75 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A, Power - Max: 217 W.

Інші пропозиції IKW15N120H3FKSA1 за ціною від 164.28 грн до 465.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IKW15N120H3FKSA1 IKW15N120H3FKSA1 Виробник : Infineon Technologies ikw15n120h3_rev1_2g.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
240+272.71 грн
Мінімальне замовлення: 240
IKW15N120H3FKSA1 IKW15N120H3FKSA1 Виробник : Infineon Technologies ikw15n120h3_rev1_2g.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
44+282.92 грн
50+277.74 грн
Мінімальне замовлення: 44
IKW15N120H3FKSA1 IKW15N120H3FKSA1 Виробник : Infineon Technologies ikw15n120h3_rev1_2g.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+285.40 грн
10+281.43 грн
25+252.64 грн
100+223.99 грн
240+205.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW15N120H3FKSA1 IKW15N120H3FKSA1 Виробник : Infineon Technologies ikw15n120h3_rev1_2g.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+294.93 грн
10+290.62 грн
25+259.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW15N120H3FKSA1 IKW15N120H3FKSA1 Виробник : Infineon Technologies ikw15n120h3_rev1_2g.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
41+304.21 грн
42+299.98 грн
47+269.29 грн
100+238.75 грн
240+219.40 грн
Мінімальне замовлення: 41
IKW15N120H3FKSA1 IKW15N120H3FKSA1 Виробник : Infineon Technologies ikw15n120h3_rev1_2g.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+317.62 грн
Мінімальне замовлення: 40
IKW15N120H3FKSA1 IKW15N120H3FKSA1 Виробник : INFINEON 2333744.pdf Description: INFINEON - IKW15N120H3FKSA1 - IGBT, 30 A, 2.05 V, 217 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 217W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+373.98 грн
10+226.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW15N120H3FKSA1 IKW15N120H3FKSA1 Виробник : Infineon Technologies IKW15N120H3_Rev1_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d01258df9167d3741 Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 260 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/260ns
Switching Energy: 1.55mJ
Test Condition: 600V, 15A, 35Ohm, 15V
Gate Charge: 75 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 217 W
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+437.21 грн
30+239.08 грн
120+199.14 грн
IKW15N120H3FKSA1 IKW15N120H3FKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IKW15N120H3_DataSheet_v01_10_EN-3361843.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 628 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+465.93 грн
10+456.11 грн
25+220.65 грн
100+186.97 грн
240+186.28 грн
480+170.47 грн
1200+164.28 грн
IKW15N120H3FKSA1 Виробник : Infineon IKW15N120H3_Rev1_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d01258df9167d3741 Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 60A; 217W; 5,0V~6,5V; 75nC; -40°C~175°C; Replacement: IKW15N120H3FKSA1; IKW15N120H3; IKW15N120H3FKSA1 TIKW15n120h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+224.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKW15N120H3FKSA1 IKW15N120H3FKSA1 Виробник : Infineon Technologies ikw15n120h3_rev1_2g.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
IKW15N120H3FKSA1 IKW15N120H3FKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IKW15N120H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3
Mounting: THT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 60A
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 75nC
Manufacturer series: H3
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Case: TO247-3
Power dissipation: 217W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
IKW15N120H3FKSA1 IKW15N120H3FKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IKW15N120H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3
Mounting: THT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 60A
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 75nC
Manufacturer series: H3
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Case: TO247-3
Power dissipation: 217W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
товару немає в наявності