![IKW25N120T2FKSA1 IKW25N120T2FKSA1](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2014/7/6/0/23/36/647/smn_/manual/3to-247.jpg)
IKW25N120T2FKSA1 Infineon Technologies
![infineon-ikw25n120t2-datasheet-v02_02-en.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 349000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 236.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKW25N120T2FKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 1200V 50A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 195 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-1, IGBT Type: Trench, Td (on/off) @ 25°C: 27ns/265ns, Switching Energy: 2.9mJ, Test Condition: 600V, 25A, 16.4Ohm, 15V, Gate Charge: 120 nC, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A, Power - Max: 349 W.
Інші пропозиції IKW25N120T2FKSA1 за ціною від 233.84 грн до 719.08 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IKW25N120T2FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 109 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IKW25N120T2FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 238 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IKW25N120T2FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 238 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IKW25N120T2FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IKW25N120T2FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 195 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 27ns/265ns Switching Energy: 2.9mJ Test Condition: 600V, 25A, 16.4Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A Power - Max: 349 W |
на замовлення 456 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IKW25N120T2FKSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 349W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 25A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1068 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IKW25N120T2FKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 349W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 50A Power dissipation: 349W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 100A Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 128 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IKW25N120T2FKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 349W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 50A Power dissipation: 349W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 100A Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 128 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IKW25N120T2FKSA1 | Виробник : Infineon |
![]() кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 6 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKW25N120T2FKSA1 | Виробник : Infineon |
![]() |
на замовлення 25 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IKW25N120T2FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
IKW25N120T2FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |