IKW50N60H3FKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 225.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKW50N60H3FKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 100A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 130 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-1, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 23ns/235ns, Switching Energy: 2.36mJ, Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V, Gate Charge: 315 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 333 W.
Інші пропозиції IKW50N60H3FKSA1 за ціною від 196.84 грн до 532.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IKW50N60H3FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IKW50N60H3FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IKW50N60H3FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IKW50N60H3FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 238 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IKW50N60H3FKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 3 Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 50A Power dissipation: 167W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Mounting: THT Gate charge: 315nC Kind of package: tube Manufacturer series: H3 Turn-on time: 54ns Turn-off time: 297ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 64 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IKW50N60H3FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IKW50N60H3FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 600V 100A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 130 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 23ns/235ns Switching Energy: 2.36mJ Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V Gate Charge: 315 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 333 W |
на замовлення 425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IKW50N60H3FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBTs HIGH SPEED SWITCHING |
на замовлення 171 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IKW50N60H3FKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 3 Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 50A Power dissipation: 167W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Mounting: THT Gate charge: 315nC Kind of package: tube Manufacturer series: H3 Turn-on time: 54ns Turn-off time: 297ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 64 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IKW50N60H3FKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IKW50N60H3FKSA1 - IGBT, 100 A, 1.85 V, 333 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 142 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IKW50N60H3FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |