![IKW30N60TFKSA1 IKW30N60TFKSA1](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2014/7/6/0/23/36/647/smn_/manual/3to-247.jpg)
IKW30N60TFKSA1 Infineon Technologies
![infineon-ikw30n60t-datasheet-v02_06-en.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 153.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKW30N60TFKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 143 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-1, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns, Switching Energy: 1.46mJ, Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V, Gate Charge: 167 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A, Power - Max: 187 W.
Інші пропозиції IKW30N60TFKSA1 за ціною від 137.6 грн до 362.42 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IKW30N60TFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 395 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IKW30N60TFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 393 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IKW30N60TFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 143 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns Switching Energy: 1.46mJ Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V Gate Charge: 167 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 187 W |
на замовлення 4459 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IKW30N60TFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1374 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IKW30N60TFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IKW30N60TFKSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 187W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 523 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IKW30N60TFKSA1 | Виробник : Infineon |
![]() кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
IKW30N60TFKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 39A; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 39A Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 90A Mounting: THT Gate charge: 167nC Kind of package: tube Turn-on time: 44ns Turn-off time: 0.3µs Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IKW30N60TFKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 39A; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 39A Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 90A Mounting: THT Gate charge: 167nC Kind of package: tube Turn-on time: 44ns Turn-off time: 0.3µs Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
товар відсутній |