IKW20N60H3FKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 96.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKW20N60H3FKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 112 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-1, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 17ns/194ns, Switching Energy: 800µJ, Test Condition: 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V, Gate Charge: 120 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A, Power - Max: 170 W.
Інші пропозиції IKW20N60H3FKSA1 за ціною від 89.97 грн до 333.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IKW20N60H3FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IKW20N60H3FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 167 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IKW20N60H3FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IKW20N60H3FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 112 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 17ns/194ns Switching Energy: 800µJ Test Condition: 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 170 W |
на замовлення 221 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IKW20N60H3FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBTs 600V 20A 170W |
на замовлення 1659 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IKW20N60H3FKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IKW20N60H3FKSA1 - IGBT, 20 A, 2.4 V, 170 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 185 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IKW20N60H3FKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 20A Power dissipation: 85W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 80A Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Turn-on time: 28ns Turn-off time: 205ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 28 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IKW20N60H3FKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 20A Power dissipation: 85W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 80A Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Turn-on time: 28ns Turn-off time: 205ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 28 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IKW20N60H3FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IKW20N60H3FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |