IKW50N65ET7XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 31+ | 395.45 грн |
| 37+ | 334.3 грн |
| 50+ | 254.8 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKW50N65ET7XKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 50A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 93 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 26ns/350ns, Switching Energy: 1.2mJ (on), 850µJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 9Ohm, 15V, Gate Charge: 290 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Power - Max: 273 W, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції IKW50N65ET7XKSA1 за ціною від 174.23 грн до 406.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IKW50N65ET7XKSA1 | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - IKW50N65ET7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 273 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 273W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IKW50N65ET7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBTs Y |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IKW50N65ET7XKSA1 Код товару: 178408 |
Транзистори > IGBT |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
 |
IKW50N65ET7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 273000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IKW50N65ET7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 50A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 93 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 26ns/350ns Switching Energy: 1.2mJ (on), 850µJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 9Ohm, 15V Gate Charge: 290 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 273 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |