IKW50N60TFKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 252.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKW50N60TFKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 143 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-1, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns, Switching Energy: 2.6mJ, Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V, Gate Charge: 310 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Power - Max: 333 W.
Інші пропозиції IKW50N60TFKSA1 за ціною від 211.3 грн до 546.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IKW50N60TFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 209 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IKW50N60TFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 209 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IKW50N60TFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IKW50N60TFKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 50A Power dissipation: 333W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IKW50N60TFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 267 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IKW50N60TFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 143 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns Switching Energy: 2.6mJ Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V Gate Charge: 310 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 333 W |
на замовлення 1910 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IKW50N60TFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 267 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IKW50N60TFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 10065 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IKW50N60TFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 50A |
на замовлення 32 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IKW50N60TFKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 50A Power dissipation: 333W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IKW50N60TFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 10065 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IKW50N60TFKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IKW50N60TFKSA1 - IGBT, Universal, 80 A, 2 V, 333 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 5106 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|