IKW50N65H5FKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 168.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKW50N65H5FKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT 650V 80A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 57 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, Td (on/off) @ 25°C: 21ns/180ns, Switching Energy: 520µJ (on), 180µJ (off), Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V, Gate Charge: 120 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Power - Max: 305 W.
Інші пропозиції IKW50N65H5FKSA1 за ціною від 143.14 грн до 379.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IKW50N65H5FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 2520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IKW50N65H5FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IKW50N65H5FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IKW50N65H5FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 2520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IKW50N65H5FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IKW50N65H5FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IKW50N65H5FKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; H5 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 305W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: H5 Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 54 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IKW50N65H5FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IKW50N65H5FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT 650V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 57 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Td (on/off) @ 25°C: 21ns/180ns Switching Energy: 520µJ (on), 180µJ (off) Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 305 W |
на замовлення 310 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IKW50N65H5FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS |
на замовлення 459 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IKW50N65H5FKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; H5 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 305W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: H5 Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 54 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IKW50N65H5FKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IKW50N65H5FKSA1 - IGBT, 50 A, 1.65 V, 305 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 305W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 286 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IKW50N65H5FKSA1 | Виробник : Infineon |
80A; 650V; 305W; IGBT w/ Diode IKW50N65H5 TIKW50n65h5 кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 101 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
IKW50N65H5FKSA1 Код товару: 125871 |
Транзистори > IGBT |
товар відсутній
|