IKW25T120FKSA1

IKW25T120FKSA1 Infineon Technologies


infineon-ikw25t120-datasheet-v02_03-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+204.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKW25T120FKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT NPT FS 1200V 50A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 200 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-1, IGBT Type: NPT, Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 50ns/560ns, Switching Energy: 4.2mJ, Test Condition: 600V, 25A, 22Ohm, 15V, Gate Charge: 155 nC, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A, Power - Max: 190 W.

Інші пропозиції IKW25T120FKSA1 за ціною від 191.45 грн до 794.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IKW25T120FKSA1 IKW25T120FKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikw25t120-datasheet-v02_03-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
48+258.96 грн
50+ 238.98 грн
52+ 204.38 грн
100+ 197.4 грн
250+ 191.45 грн
Мінімальне замовлення: 48
IKW25T120FKSA1 IKW25T120FKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IKW25T120_DataSheet_v02_03_EN-3361719.pdf IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 25A
на замовлення 2097 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+270.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW25T120FKSA1 IKW25T120FKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikw25t120-datasheet-v02_03-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+296.34 грн
10+ 276.58 грн
25+ 269.76 грн
50+ 257.5 грн
100+ 210.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW25T120FKSA1 IKW25T120FKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikw25t120-datasheet-v02_03-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
39+319.13 грн
42+ 297.85 грн
43+ 290.51 грн
50+ 277.31 грн
100+ 226.77 грн
Мінімальне замовлення: 39
IKW25T120FKSA1 IKW25T120FKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikw25t120-datasheet-v02_03-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+336.62 грн
10+ 305.07 грн
25+ 294.14 грн
50+ 280.79 грн
100+ 219.57 грн
480+ 208.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW25T120FKSA1 IKW25T120FKSA1 Виробник : INFINEON INFNS27302-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IKW25T120FKSA1 - IGBT, Universal, 50 A, 2.2 V, 190 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+402.77 грн
5+ 353.71 грн
10+ 303.86 грн
50+ 262.32 грн
100+ 223.15 грн
250+ 218.4 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW25T120FKSA1 IKW25T120FKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IKW25T120.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 190W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 190W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+495.36 грн
3+ 328.45 грн
8+ 310.08 грн
IKW25T120FKSA1 IKW25T120FKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IKW25T120.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 190W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 190W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+594.43 грн
3+ 409.3 грн
8+ 372.09 грн
120+ 368.57 грн
IKW25T120FKSA1 IKW25T120FKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikw25t120-datasheet-v02_03-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+794.24 грн
18+ 709 грн
50+ 613.35 грн
100+ 560.38 грн
200+ 497.52 грн
Мінімальне замовлення: 16
IKW25T120FKSA1 IKW25T120FKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikw25t120-datasheet-v02_03-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW25T120FKSA1 IKW25T120FKSA1 Виробник : Infineon Technologies IKW25T120_Rev2G_2.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42899373e31 Description: IGBT NPT FS 1200V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/560ns
Switching Energy: 4.2mJ
Test Condition: 600V, 25A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 155 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 190 W
товар відсутній