![IKW20N60TFKSA1 IKW20N60TFKSA1](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2017/3/9/6/13/19/813/smn_/manual/ikw50n65es5.jpg)
IKW20N60TFKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 125.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKW20N60TFKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IKW20N60TFKSA1 - IGBT, 40 A, 1.5 V, 166 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 166W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IKW20N60TFKSA1 за ціною від 107.66 грн до 356.09 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IKW20N60TFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 403 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IKW20N60TFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IKW20N60TFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 508 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IKW20N60TFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 41 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns Switching Energy: 770µJ Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 166 W |
на замовлення 165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IKW20N60TFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 480 шт: термін постачання 154-163 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IKW20N60TFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 508 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IKW20N60TFKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 20A Power dissipation: 166W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Turn-on time: 36ns Turn-off time: 299ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 48 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IKW20N60TFKSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 166W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IKW20N60TFKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 20A Power dissipation: 166W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Turn-on time: 36ns Turn-off time: 299ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 48 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IKW20N60TFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
IKW20N60TFKSA1 | Виробник : Infineon |
![]() кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 15 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IKW20N60TFKSA1 Код товару: 188050 |
![]() |
товар відсутній
|