IKW30N65ET7XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 240+ | 193.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKW30N65ET7XKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 80 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 20ns/245ns, Switching Energy: 590µJ (on), 500µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 180 nC, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A, Power - Max: 188 W, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції IKW30N65ET7XKSA1 за ціною від 127.22 грн до 374.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IKW30N65ET7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 80 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 20ns/245ns Switching Energy: 590µJ (on), 500µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 180 nC Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 188 W Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 62 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IKW30N65ET7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBTs Y |
на замовлення 452 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IKW30N65ET7XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IKW30N65ET7XKSA1 - IGBT, 60 A, 1.35 V, 188 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 418 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IKW30N65ET7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT with Anti-parallel Diode |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IKW30N65ET7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IKW30N65ET7 |
товар відсутній |