IKW75N65EL5XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 314.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKW75N65EL5XKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT 650V 80A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 114 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, Td (on/off) @ 25°C: 40ns/275ns, Switching Energy: 1.61mJ (on), 3.2mJ (off), Test Condition: 400V, 75A, 4Ohm, 15V, Gate Charge: 436 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 536 W.
Інші пропозиції IKW75N65EL5XKSA1 за ціною від 299.79 грн до 623.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IKW75N65EL5XKSA1 | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - IKW75N65EL5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.1 V, 536 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.1V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 536W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 161 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IKW75N65EL5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT 650V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 114 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 75A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Td (on/off) @ 25°C: 40ns/275ns Switching Energy: 1.61mJ (on), 3.2mJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 4Ohm, 15V Gate Charge: 436 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 536 W |
на замовлення 287 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IKW75N65EL5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBTs 650V IGBT Trenchstop 5 |
на замовлення 601 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IKW75N65EL5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 536W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IKW75N65EL5XKSA1 Код товару: 190876 |
Транзистори > IGBT |
товар відсутній
|