![IKW40N65ES5XKSA1 IKW40N65ES5XKSA1](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2015/11/17/6/45/24/468/smn_/manual/to-247.jpg)
IKW40N65ES5XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 164.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKW40N65ES5XKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 650V 79A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 73 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, IGBT Type: Trench, Td (on/off) @ 25°C: 19ns/130ns, Switching Energy: 860µJ (on), 400µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 95 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 79 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 230 W.
Інші пропозиції IKW40N65ES5XKSA1 за ціною від 149.71 грн до 487.18 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IKW40N65ES5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 73 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 19ns/130ns Switching Energy: 860µJ (on), 400µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 95 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 79 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 230 W |
на замовлення 516 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IKW40N65ES5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IKW40N65ES5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 320 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IKW40N65ES5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 78 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IKW40N65ES5XKSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 79A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 311 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IKW40N65ES5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1437 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IKW40N65ES5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IKW40N65ES5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IKW40N65ES5XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 115W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 115W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 95nC Kind of package: tube Turn-on time: 37ns Turn-off time: 153ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IKW40N65ES5XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 115W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 115W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 95nC Kind of package: tube Turn-on time: 37ns Turn-off time: 153ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
товар відсутній |