![IKW50N65EH5XKSA1 IKW50N65EH5XKSA1](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/3787ee7cbccbe2ed51175d2dd42eed34038e98d3/trenchstop_650v_to247.jpg)
IKW50N65EH5XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 307.16 грн |
10+ | 285.36 грн |
25+ | 272.34 грн |
100+ | 239.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKW50N65EH5XKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 81 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, IGBT Type: Trench, Td (on/off) @ 25°C: 25ns/172ns, Switching Energy: 1.5mJ (on), 500µJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 12Ohm, 15V, Gate Charge: 120 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 275 W.
Інші пропозиції IKW50N65EH5XKSA1 за ціною від 185.52 грн до 502.47 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IKW50N65EH5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 162 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IKW50N65EH5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 387 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IKW50N65EH5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 81 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 25ns/172ns Switching Energy: 1.5mJ (on), 500µJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 275 W |
на замовлення 133 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IKW50N65EH5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IKW50N65EH5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IKW50N65EH5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IKW50N65EH5XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 138W; TO247-3; H5 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 138W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Manufacturer series: H5 Turn-on time: 54ns Turn-off time: 207ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IKW50N65EH5XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 138W; TO247-3; H5 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 138W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Manufacturer series: H5 Turn-on time: 54ns Turn-off time: 207ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
товар відсутній |