Продукція > FDM

Description: MOSFET N-CH 55V 100A I4-PAC-5

товар відсутній

FDM15-06KC5

MOSFET Standard Rectifier Bridge

товар відсутній

FDM15-06KC5

Description: MOSFET N-CH 600V 15A I4PAC
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUSi5-Pak™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 790µA
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 100 V

товар відсутній

FDM15-06KC5

Littelfuse

Trans MOSFET N-CH Si 600V 15A 5-Pin(5+Tab) ISOPLUS I4

товар відсутній

FDM21-05QC

Description: MOSFET N-CH 500V 21A I4PAC
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V

товар відсутній

FDM2452NZ

05+

на замовлення 250 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDM2502

FAIRCHIL

09+

на замовлення 1782 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDM2509NZ

Description: MOSFET 2N-CH 20V 8.7A MICRO2X2
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: MicroFET 2x2 Thin

на замовлення 4849 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

807+	27.15 грн

Мінімальне замовлення: 807

FDM2509NZ

QFN 0642+

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDM2509NZ

Description: MOSFET 2N-CH 20V 8.7A MICRO2X2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: MicroFET 2x2 Thin

товар відсутній

FDM3300NZ

Description: MOSFET 2N-CH 20V 10A MCRFET

товар відсутній

FDM3300NZ

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDM3622

Description: MOSFET N-CH 100V 4.4A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 25 V

товар відсутній

FDM3622

Trans MOSFET N-CH 100V 4.4A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	47.67 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDM3622

FDM3622 SMD N channel transistors

товар відсутній

FDM3622

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 25 V

товар відсутній

FDM3622

MOSFET 100V N-Ch PowerTrench MOSFET

на замовлення 4158 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	125.95 грн
10+	101.65 грн
100+	68.76 грн
500+	58.25 грн
1000+	47.46 грн
3000+	44.63 грн
6000+	42.53 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDM3622

Description: MOSFET N-CH 100V 4.4A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 25 V

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	131.67 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDM44528S9J

N/A

на замовлення 70 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDM47-06KC5

Description: MOSFET N-CH 600V 47A I4PAC
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUSi5-Pak™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 100 V

товар відсутній

FDM47-06KC5

Littelfuse

Trans MOSFET N-CH Si 600V 47A 5-Pin(5+Tab) ISOPLUS I4

товар відсутній

FDM47-06KC5

MOSFET CoolMOS Power MOSFET w/ HiPerDyn FRED

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDM47-06KC5

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; HiPerDynFRED; unipolar; 600V; 32A
Mounting: THT
Semiconductor structure: diode/transistor
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 32A
On-state resistance: 45mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Gate charge: 150nC
Technology: HiPerDynFRED
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Topology: buck chopper
Case: ISOPLUS i4-pac™ x024a
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 25 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	2175.97 грн
2+	1984.46 грн
3+	1910.05 грн

FDM47-06KC5

на замовлення 25 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1813.31 грн
2+	1592.46 грн
3+	1591.71 грн

FDM606P

0440+ VSSOP-8

на замовлення 561 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDM606P

Description: MOSFET P-CH 20V 6.8A 8MLP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.92W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP, MicroFET (3x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 10 V

на замовлення 9587 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

468+	45.05 грн

Мінімальне замовлення: 468

FDM606P

VSSOP-8 0440+

на замовлення 561 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDM6269

FAI

08+PB

на замовлення 1578 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDM6296

05+ QFN

на замовлення 157 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDM6296

Description: MOSFET N-CH 30V 11.5A POWER33

товар відсутній

FDM6296

Description: MOSFET N-CH 30V 11.5A POWER33

товар відсутній

FDM6296

FAI

09+

на замовлення 882 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDM6296

Description: MOSFET N-CH 30V 11.5A POWER33

товар відсутній

FDM7W2SPM-K1468

FCT Group

FCT D-Sub, 7W2 Receptacle/7W2 Plug

товар відсутній

FDMA008P20LZ

MOSFET CSP

на замовлення 4347 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDMA008P20LZ

Description: SINGLE P-CHANNEL POWERTRENCH MOS
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4383 pF @ 10 V

на замовлення 97900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1056+	20.77 грн

Мінімальне замовлення: 1056

FDMA008P20LZ

Description: ONSEMI - FDMA008P20LZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.01 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 97904 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

87+	9.35 грн

Мінімальне замовлення: 87

FDMA008P20LZ

Description: ONSEMI - FDMA008P20LZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.01 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 97904 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	9.35 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDMA0104

Trans MOSFET N-CH 20V 9.4A 6-Pin MicroFET T/R

товар відсутній

FDMA0104

Description: TRANS MOSFET N-CH 20V 9.4A 6PIN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 10 V

на замовлення 11154 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

888+	26.65 грн

Мінімальне замовлення: 888

FDMA0104

Description: ONSEMI - FDMA0104 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 11154 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1069+	29.18 грн

Мінімальне замовлення: 1069

FDMA037N08LC

Trans MOSFET N-CH 80V 6A 6-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMA037N08LC

на замовлення 2985 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDMA037N08LC

Description: MOSFET N-CH 80V 6A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36.5mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 40 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	44.97 грн
6000+	43.09 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMA037N08LC

Description: ONSEMI - FDMA037N08LC - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 117501 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	63.48 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMA037N08LC

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 6A; Idm: 55A; 2.4W; WDFN6
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 6A
On-state resistance: 61mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 9nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 55A
Case: WDFN6

товар відсутній

FDMA037N08LC

MOSFETs FET 80V 3.7 MOHM MLP33

на замовлення 1846 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	122.57 грн
10+	93.32 грн
100+	63.76 грн
250+	63.4 грн
500+	52.75 грн
1000+	47.6 грн
3000+	44.56 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDMA037N08LC

товар відсутній

FDMA037N08LC

Description: MOSFET N-CH 80V 6A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36.5mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 40 V

на замовлення 14653 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	157.53 грн
10+	97.59 грн
100+	66.43 грн
500+	49.81 грн
1000+	45.77 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDMA1023PZ

Description: ONSEMI - FDMA1023PZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.7 A, 3.7 A, 0.06 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: FET
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.06ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2887 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	73.72 грн
14+	61.61 грн
100+	40.56 грн
500+	31.4 грн
1000+	23.69 грн

Мінімальне замовлення: 12

FDMA1023PZ

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -3.7A; 1.5W; MicroFET
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.195Ω
Drain current: -3.7A
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: -20V
Case: MicroFET
Type of transistor: P-MOSFET x2
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 12nC

товар відсутній

FDMA1023PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMA1023PZ

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active

на замовлення 31445 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	63.48 грн
10+	53.13 грн
100+	36.79 грн
500+	28.85 грн
1000+	24.55 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDMA1023PZ

MOSFETs -20V Dual P-Ch PowerTrench MOSFET

на замовлення 6952 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	66.86 грн
10+	57.66 грн
100+	36.01 грн
500+	30.07 грн
1000+	25.65 грн
3000+	22.61 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDMA1023PZ

товар відсутній

FDMA1023PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	24.49 грн
6000+	23.83 грн
9000+	22.66 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMA1023PZ

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	24.2 грн
6000+	22.07 грн
9000+	20.44 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMA1023PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMA1023PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 54000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	23.67 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMA1023PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	26.38 грн
6000+	25.67 грн
9000+	24.41 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMA1023PZ-F106

Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMA1023PZ-F106

MOSFET DualP-ch powertrench mosfets

товар відсутній

FDMA1024NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 5A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	97.77 грн
10+	80.14 грн
25+	74.91 грн
100+	58.59 грн
250+	53.02 грн
500+	43.34 грн
1000+	34.27 грн

Мінімальне замовлення: 7

FDMA1024NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 5A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

286+	43.06 грн

Мінімальне замовлення: 286

FDMA1024NZ

Description: ONSEMI - FDMA1024NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5 A, 5 A, 0.037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 700mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: FET
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 700mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1413 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	62.99 грн
500+	49.51 грн
1000+	35.04 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDMA1024NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 5A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	74.92 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMA1024NZ

Description: MOSFET 2N-CH 20V 5A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active

на замовлення 6769 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	92.48 грн
10+	72.38 грн
100+	56.3 грн
500+	44.79 грн
1000+	36.48 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDMA1024NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 5A 6-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMA1024NZ

MOSFETs 20V Dual N-Channel PowerTrench

на замовлення 8525 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	103.13 грн
10+	82.9 грн
100+	55.93 грн
500+	47.38 грн
1000+	38.62 грн
3000+	36.3 грн
6000+	34.63 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDMA1024NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 5A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	43.59 грн
6000+	41.79 грн
9000+	39.56 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMA1024NZ

на замовлення 1413 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	112.98 грн
10+	86.15 грн
100+	62.99 грн
500+	49.51 грн
1000+	35.04 грн

Мінімальне замовлення: 8

FDMA1024NZ

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5A; Idm: 6A; 1.4W; WDFN6
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 7.3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 6A
Case: WDFN6
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: N-MOSFET

товар відсутній

FDMA1024NZ

Description: MOSFET 2N-CH 20V 5A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	38.01 грн
6000+	34.86 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMA1024NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 5A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	40.16 грн
6000+	38.5 грн
9000+	36.45 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMA1024NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 5A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	38.88 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMA1024NZ

товар відсутній

FDMA1025P

MOSFET -20V Dual P-CH PowerTrench MOSFET

на замовлення 5488 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDMA1025P

Description: ONSEMI - FDMA1025P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.1 A
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.088ohm
Verlustleistung Pd: 1.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.088ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 92860 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	53.48 грн
25+	34.95 грн
100+	25.11 грн
250+	18.72 грн
1000+	16.79 грн

Мінімальне замовлення: 16

FDMA1025P

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 3.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active

на замовлення 92860 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1128+	19.79 грн

Мінімальне замовлення: 1128

FDMA1027P

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3A MICROFET

товар відсутній

FDMA1027P

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDMA1027P

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -3A; Idm: -6A; MicroFET
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -6A
Case: MicroFET
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

FDMA1027P

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3A MICROFET

товар відсутній

FDMA1027P

Trans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	21.13 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMA1027P

FAI

07+

на замовлення 112300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDMA1027P

MOSFETs MLP 2X2 DUAL PCH POWER TRENCH

на замовлення 2069 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	62.89 грн
10+	54.91 грн
100+	32.53 грн
500+	27.24 грн
1000+	23.19 грн
3000+	20.94 грн
6000+	19.49 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDMA1027P

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3A MICROFET

товар відсутній

FDMA1027P

товар відсутній

FDMA1027PT

Trans MOSFET P-CH 20V 3A 6-Pin MicroFET T/R

товар відсутній

FDMA1027PT

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3A MICROFET

товар відсутній

FDMA1027PT

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3A MICROFET

товар відсутній

FDMA1027PT

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3A MICROFET

товар відсутній

FDMA1028NZ

Description: ONSEMI - FDMA1028NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.7 A, 0.068 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: FET
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.068ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 13213 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	72.01 грн
15+	55.35 грн
100+	42.83 грн
500+	28.91 грн
1000+	20.97 грн
5000+	19.72 грн
10000+	19.65 грн

Мінімальне замовлення: 12

FDMA1028NZ

Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 3.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	26.7 грн
6000+	24.49 грн
9000+	23.36 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMA1028NZ

MOSFET 20V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 23983 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	71.51 грн
10+	58.07 грн
100+	39.27 грн
500+	33.26 грн
1000+	27.1 грн
3000+	25.5 грн
6000+	24.34 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDMA1028NZ

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 3.7A; 1.4W; MicroFET
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 1.4W
Case: MicroFET
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт

товар відсутній

FDMA1028NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMA1028NZ

Description: ONSEMI - FDMA1028NZ - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 8270 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	39.66 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMA1028NZ

на замовлення 13213 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	42.83 грн
500+	28.91 грн
1000+	20.97 грн
5000+	19.72 грн
10000+	19.65 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDMA1028NZ

Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 3.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)

на замовлення 15790 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	65.05 грн
10+	50.87 грн
100+	39.55 грн
500+	31.46 грн
1000+	25.63 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDMA1028NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 54000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	27.3 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMA1028NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 28 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDMA1028NZ

товар відсутній

FDMA1028NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 28 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	41.26 грн
17+	36.88 грн
25+	26.84 грн

Мінімальне замовлення: 15

FDMA1028NZ-F021

Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A MICROFET

товар відсутній

FDMA1028NZ-F021

Trans MOSFET N-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMA1028NZ-F021

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 3.7A; Idm: 6A; 1.4W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 3.7A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: MicroFET
On-state resistance: 90mΩ
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 1.4W
Gate charge: 6nC
Polarisation: unipolar

товар відсутній

FDMA1028NZ-F021

Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A MICROFET

товар відсутній

FDMA1028NZ-F021

MOSFET NCh 80V 171A 68mOhm PowerTrench MOSFET

товар відсутній

FDMA1028NZ_F021

Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A MICROFET

на замовлення 87000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDMA1028NZ_F021

Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A MICROFET

на замовлення 294887000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDMA1028NZ_F021

Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A MICROFET

на замовлення 294887000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDMA1029PZ

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -3.1A; Idm: -6A; 1.4W
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.1A
Pulsed drain current: -6A
Power dissipation: 1.4W
Case: MicroFET
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 141mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

FDMA1029PZ

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.1A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	23.21 грн
6000+	21.17 грн
9000+	19.6 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMA1029PZ

Description: ONSEMI - FDMA1029PZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.1 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: FET
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 830 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	72.01 грн
14+	61.45 грн
100+	38.36 грн
500+	29.81 грн

Мінімальне замовлення: 12

FDMA1029PZ

MOSFET -20V Dual P-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 11785 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	66.02 грн
10+	56.66 грн
100+	34.2 грн
500+	28.55 грн
1000+	24.27 грн
3000+	21.59 грн
6000+	20.43 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDMA1029PZ

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.1A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active

на замовлення 14373 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	61.13 грн
10+	50.94 грн
100+	35.28 грн
500+	27.67 грн
1000+	23.55 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDMA1029PZ

на замовлення 830 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	38.36 грн
500+	29.81 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDMA1029PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	22.15 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMA1029PZ

товар відсутній

FDMA1032CZ

MOSFET 20V Complementary PowerTrench MOSFET

на замовлення 15918 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	78.61 грн
10+	63.16 грн
100+	42.75 грн
500+	36.15 грн
1000+	29.49 грн
3000+	27.68 грн
6000+	26.45 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDMA1032CZ

Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.7A/3.1A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 2999 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	74.63 грн
11+	60.55 грн
25+	59.96 грн
100+	44.76 грн
250+	41.02 грн
500+	33.16 грн
1000+	26.79 грн

Мінімальне замовлення: 9

FDMA1032CZ

Description: MOSFET N/P-CH 20V 3.7A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A, 3.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 3.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)

на замовлення 48000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	29 грн
6000+	26.6 грн
9000+	25.37 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMA1032CZ

Description: ONSEMI - FDMA1032CZ - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.7 A, 3.7 A, 0.037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: FET
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 3215 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	67.14 грн
50+	57.63 грн
100+	48.12 грн
500+	30.87 грн
1500+	27.94 грн

Мінімальне замовлення: 13

FDMA1032CZ

Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.7A/3.1A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	29.67 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMA1032CZ

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDMA1032CZ

Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.7A/3.1A 6-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMA1032CZ

Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.7A/3.1A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 2999 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

189+	65.21 грн
191+	64.57 грн
246+	49.98 грн
250+	47.71 грн
500+	37.2 грн
1000+	28.85 грн

Мінімальне замовлення: 189

FDMA1032CZ

Description: MOSFET N/P-CH 20V 3.7A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A, 3.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 3.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)

на замовлення 48693 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	70.54 грн
10+	55.25 грн
100+	42.97 грн
500+	34.17 грн
1000+	27.84 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDMA1032CZ

Description: ONSEMI - FDMA1032CZ - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.7 A, 3.7 A, 0.037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: FET
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 3215 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	48.12 грн
500+	30.87 грн
1500+	27.94 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDMA1430JP

Description: FET/BJT NPN/P CH 30V 2.9A MICROF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 30V
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Current Rating (Amps): 2.9A
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN, P-Channel
Applications: Load Switch
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)

товар відсутній

FDMA1430JP

MOSFET P-Chan -30V -2.9A

на замовлення 2983 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDMA2002NZ

Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	19.95 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMA2002NZ

FDMA2002NZ Multi channel transistors

товар відсутній

FDMA2002NZ

Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 650mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)

на замовлення 19000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	20.34 грн
6000+	18.56 грн
9000+	17.19 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMA2002NZ

MOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 28238 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDMA2002NZ

Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 825 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

199+	61.78 грн
201+	61.16 грн
258+	47.75 грн
260+	45.58 грн
500+	33.86 грн

Мінімальне замовлення: 199

FDMA2002NZ

Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 825 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	65.03 грн
11+	57.37 грн
25+	56.79 грн
100+	42.75 грн
250+	39.19 грн
500+	30.18 грн

Мінімальне замовлення: 10

FDMA2002NZ

Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 650mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)

на замовлення 21244 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	53.3 грн
10+	44.68 грн
100+	30.93 грн
500+	24.26 грн
1000+	20.64 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDMA2002NZ

MOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 58151 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	67.62 грн
10+	54.83 грн
100+	37.46 грн
500+	31.81 грн
1000+	25.94 грн
3000+	23.33 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDMA2002NZ

Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 6-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMA291P

Description: ONSEMI - FDMA291P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.6 A, 0.036 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: FET
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 700mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 3177 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	48.2 грн
50+	39.66 грн
100+	31.13 грн
500+	20.83 грн
1500+	18.81 грн

Мінімальне замовлення: 17

FDMA291P

Description: MOSFET P-CH 20V 6.6A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 6.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V

товар відсутній

FDMA291P

MOSFET -20V Single P-Ch. PowerTrench MOSFET

на замовлення 1852 шт:

термін постачання 601-610 дні (днів)

7+	54.27 грн
10+	47.33 грн
100+	30.5 грн
500+	25 грн
1000+	20 грн
3000+	18.04 грн
6000+	16.81 грн

Мінімальне замовлення: 7

FDMA291P

Description: ONSEMI - FDMA291P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.6 A, 0.036 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: FET
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 700mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 3177 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	31.13 грн
500+	20.83 грн
1500+	18.81 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDMA291P

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6.6A; 2.4W; MicroFET
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.4W
Gate charge: 14nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: -6.6A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Case: MicroFET
On-state resistance: 98mΩ

товар відсутній

FDMA291P

Trans MOSFET P-CH 20V 6.6A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	18.17 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMA291P

товар відсутній

FDMA291P

Description: MOSFET P-CH 20V 6.6A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 6.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V

на замовлення 340 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	50.94 грн
10+	43.62 грн
100+	33.46 грн

Мінімальне замовлення: 7

FDMA3023PZ

Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active

на замовлення 14285 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	59.56 грн
10+	50.19 грн
100+	34.71 грн
500+	27.21 грн
1000+	23.16 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDMA3023PZ

Trans MOSFET P-CH 30V 2.9A 6-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMA3023PZ

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.9A; 1.4W; WDFN6
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: WDFN6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.9A
On-state resistance: 0.14Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.4W

товар відсутній

FDMA3023PZ

Trans MOSFET P-CH 30V 2.9A 6-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMA3023PZ

товар відсутній

FDMA3023PZ

Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	22.83 грн
6000+	20.82 грн
9000+	19.28 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMA3023PZ

Trans MOSFET P-CH 30V 2.9A 6-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMA3023PZ

MOSFETs 30V 2.9A Dual P Ch PowerTrench

на замовлення 30368 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	66.02 грн
10+	58.16 грн
100+	34.42 грн
500+	28.76 грн
1000+	24.56 грн
3000+	22.17 грн
6000+	20.65 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDMA3027PZ

Description: MOSFET 2P-CH 30V 3.3A 6MICROFET

на замовлення 3254 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDMA3027PZ

MOSFET -30V Dual P-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 4317 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDMA3027PZ

Description: MOSFET 2P-CH 30V 3.3A 6MICROFET

товар відсутній

FDMA3027PZ-F130

Description: ONSEMI - FDMA3027PZ-F130 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1318836 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	54.13 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMA3028N

MOSFET 30V Dual N-Channel

на замовлення 11953 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDMA3028N

Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.8A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Obsolete

товар відсутній

FDMA3028N

Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.8A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Obsolete

товар відсутній

FDMA410NZ

Description: MOSFET N-CH 20V 9.5A 6MICROFET

товар відсутній

FDMA410NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMA410NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	29.25 грн
6000+	28.32 грн
9000+	27.94 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMA410NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	52.85 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMA410NZ

Description: ONSEMI - FDMA410NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9.5 A, 0.017 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 2640 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	79.81 грн
14+	59.33 грн
100+	44.13 грн
500+	35.4 грн
1000+	24.59 грн

Мінімальне замовлення: 11

FDMA410NZ

MOSFET 20V Single N-Ch 1.5V Specified PowerTrnch

на замовлення 290950 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	73.12 грн
10+	61.32 грн
100+	39.92 грн
500+	33.91 грн
1000+	27.6 грн
3000+	25.5 грн
6000+	24.71 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDMA410NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 1860 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	67.63 грн
12+	52.87 грн
25+	52.34 грн
100+	41.04 грн
250+	37.93 грн
500+	32.14 грн
1000+	21.35 грн

Мінімальне замовлення: 9

FDMA410NZ

Description: MOSFET N-CH 20V 9.5A 6MICROFET

на замовлення 2051 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDMA410NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 1860 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

216+	56.94 грн
219+	56.37 грн
269+	44.11 грн
500+	36.06 грн
1000+	22.99 грн

Мінімальне замовлення: 216

FDMA410NZ

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 9.5A; 2.4W; WDFN6
Kind of package: reel; tape
Case: WDFN6
Mounting: SMD
On-state resistance: 32mΩ
Drain current: 9.5A
Drain-source voltage: 20V
Power dissipation: 2.4W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET

товар відсутній

FDMA410NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	23.5 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMA410NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	28.4 грн
6000+	27.33 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMA410NZ

товар відсутній

FDMA410NZ

MOSFET 20V Single N-Ch 1.5V Specified PowerTrnch

на замовлення 5984 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDMA410NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	26.95 грн
6000+	26.09 грн
9000+	25.74 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMA410NZ

на замовлення 2640 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	44.13 грн
500+	35.4 грн
1000+	24.59 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDMA410NZT

MOSFET Single PT4 Nch 20/8V zener in MLP2x2

на замовлення 1294 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDMA410NZT

Description: MOSFET N-CH 20V 9.5A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 9.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2.05x2.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 10 V

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	23.91 грн
6000+	21.81 грн
9000+	20.19 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMA410NZT

Description: MOSFET N-CH 20V 9.5A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 9.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2.05x2.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 10 V

на замовлення 23378 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	62.7 грн
10+	52.45 грн
100+	36.35 грн
500+	28.5 грн
1000+	24.26 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDMA410NZT-F130

Description: PT4 NCH 20/8V ZENER IN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 9.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2.05x2.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 10 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	62.7 грн
10+	52.45 грн
100+	36.35 грн
500+	28.5 грн
1000+	24.26 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDMA410NZT-F130

Description: PT4 NCH 20/8V ZENER IN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 9.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2.05x2.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 10 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	23.91 грн
6000+	21.81 грн
9000+	20.19 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMA410NZT-F130

MOSFET 20 V Ultra Thin N-Channel 1.5 V PowerTrench MOSFET

товар відсутній

FDMA420NZ

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.7A; Idm: 24A; 2.4W; WDFN6
Mounting: SMD
Case: WDFN6
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.7A
On-state resistance: 44mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.4W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 24A
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDMA420NZ

Description: ONSEMI - FDMA420NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.7 A, 0.0168 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 830mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: FET
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0168ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 4722 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	35.11 грн
500+	27.17 грн
1000+	19.37 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDMA420NZ

Description: MOSFET N-CH 20V 5.7A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 935 pF @ 10 V

на замовлення 10775 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	81.51 грн
10+	49.28 грн
100+	32.42 грн
500+	23.62 грн
1000+	21.42 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDMA420NZ

MOSFETs 20V 5.7A 30OHM SINGLE NCH 2.5V

на замовлення 5226 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	69.14 грн
10+	53.83 грн
100+	31.66 грн
500+	25.07 грн
1000+	22.46 грн
3000+	19.71 грн
6000+	18.19 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDMA420NZ

товар відсутній

FDMA420NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 5.7A 6-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMA420NZ

на замовлення 2080 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDMA420NZ

на замовлення 4722 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	66 грн
15+	56.41 грн
100+	35.11 грн
500+	27.17 грн
1000+	19.37 грн

Мінімальне замовлення: 13

FDMA420NZ

Description: MOSFET N-CH 20V 5.7A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 935 pF @ 10 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	20.62 грн
6000+	18.35 грн
9000+	17.59 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMA430NZ

Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	23.84 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMA430NZ

Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	26.79 грн
6000+	25.96 грн
9000+	25.55 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMA430NZ

Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMA430NZ

Description: ONSEMI - FDMA430NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.0236 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 810mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: FET
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0236ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 29505 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	41.45 грн
500+	28.91 грн
1000+	20.62 грн
5000+	18.46 грн
10000+	17.49 грн
25000+	17.35 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDMA430NZ

Description: MOSFET N-CH 30V 5A 6MICROFET

на замовлення 11980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	74.46 грн
10+	63.55 грн
100+	48.74 грн
500+	36.16 грн
1000+	28.93 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDMA430NZ

MOSFET 2.5V SINGLE NCH SPECIFIED POWER

на замовлення 101341 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	73.03 грн
10+	59.16 грн
100+	40.57 грн
500+	33.33 грн
1000+	26.59 грн
3000+	21.59 грн
6000+	20.79 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDMA430NZ

Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	45.64 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMA430NZ

Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMA430NZ

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 2.4W; MicroFET
Kind of package: reel; tape
Case: MicroFET
Mounting: SMD
On-state resistance: 61mΩ
Drain current: 5A
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 2.4W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт

товар відсутній

FDMA430NZ

на замовлення 29505 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	78.03 грн
13+	66 грн
100+	41.45 грн
500+	28.91 грн
1000+	20.62 грн
5000+	18.46 грн
10000+	17.49 грн
25000+	17.35 грн

Мінімальне замовлення: 11

FDMA430NZ

Description: MOSFET N-CH 30V 5A 6MICROFET

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	29.01 грн
6000+	26.01 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMA430NZ

MOSFET 2.5V SINGLE NCH SPECIFIED POWER

на замовлення 18773 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDMA430NZ

товар відсутній

FDMA507PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 7.8A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2015 pF @ 10 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	31.91 грн
6000+	29.27 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMA507PZ

MOSFET 20V Single P Channel PowerTrench Mosfet

на замовлення 9506 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDMA507PZ

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -7.8A; 2.4W; MicroFET
Case: MicroFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: -7.8A
On-state resistance: 35mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.4W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 42nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: -20V
кількість в упаковці: 3000 шт

товар відсутній

FDMA507PZ

Description: ONSEMI - FDMA507PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 7.8 A, 0.019 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: FET
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 934 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	46.08 грн
500+	31.85 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDMA507PZ

товар відсутній

FDMA507PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 7.8A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2015 pF @ 10 V

на замовлення 6130 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	76.81 грн
10+	60.76 грн
100+	47.27 грн
500+	37.61 грн
1000+	30.63 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDMA507PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 7.8A 6-Pin MLP EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	31.87 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMA507PZ

MOSFET 20V Single P Channel PowerTrench Mosfet

на замовлення 4522 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	73.88 грн
10+	59.57 грн
100+	39.7 грн
500+	29.42 грн
1000+	29.13 грн
3000+	28.4 грн
6000+	28.33 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDMA507PZ

на замовлення 934 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	65.43 грн
50+	55.76 грн
100+	46.08 грн
500+	31.85 грн

Мінімальне замовлення: 13

FDMA510PZ

Description: ONSEMI - FDMA510PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 7.8 A, 0.027 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: FET
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2955 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	59.41 грн
50+	48.28 грн
100+	37.06 грн
500+	24.45 грн
1500+	22.15 грн

Мінімальне замовлення: 14

FDMA510PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 7.8A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 10 V

товар відсутній

FDMA510PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 7.8A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDMA510PZ

MOSFET -20V Single P-Chan PowerTrench

на замовлення 26065 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	67.54 грн
10+	58.91 грн
100+	39.27 грн
500+	31.08 грн
1000+	24.85 грн
3000+	22.46 грн
6000+	22.1 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDMA510PZ

Description: ONSEMI - FDMA510PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 7.8 A, 0.027 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: FET
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2955 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	37.06 грн
500+	24.45 грн
1500+	22.15 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDMA510PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 7.8A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 10 V

на замовлення 24 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	58.78 грн
10+	49.81 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDMA510PZ

Fairchil

10+ SOT153

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDMA520PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 7.3A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1645 pF @ 10 V

товар відсутній

FDMA520PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 7.3A 6-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMA520PZ

MOSFET -20V P-CH PowerTrench MOSFET

товар відсутній

FDMA520PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 7.3A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1645 pF @ 10 V

товар відсутній

FDMA530PZ

Trans MOSFET P-CH 30V 6.8A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	35.67 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMA530PZ

Description: MOSFET P-CH 30V 6.8A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 15 V

на замовлення 21205 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	60.35 грн
10+	47.77 грн
100+	37.15 грн
500+	29.55 грн
1000+	24.08 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDMA530PZ

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6.8A; 2.4W; MicroFET
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.8A
Power dissipation: 2.4W
Case: MicroFET
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

на замовлення 57 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	83.72 грн
9+	43.02 грн
25+	38.19 грн
27+	32.91 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDMA530PZ

Trans MOSFET P-CH 30V 6.8A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	28.27 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMA530PZ

Description: ONSEMI - FDMA530PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.8 A, 0.03 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: FET
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 25V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 7688 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	38.12 грн
500+	32.23 грн
1000+	25.78 грн
5000+	25.71 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDMA530PZ

Trans MOSFET P-CH 30V 6.8A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	25.61 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMA530PZ

MOSFETs -30V P-Ch PowerTrench MOSFET

на замовлення 16917 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	66.86 грн
10+	50.66 грн
100+	33.84 грн
500+	30.79 грн
1000+	25.5 грн
3000+	23.55 грн
6000+	22.82 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDMA530PZ

Trans MOSFET P-CH 30V 6.8A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	26.47 грн
6000+	25.64 грн
9000+	24.03 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMA530PZ

на замовлення 57 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

3+	100.46 грн
6+	53.61 грн
25+	45.83 грн
27+	39.49 грн
74+	37.31 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDMA530PZ

Description: MOSFET P-CH 30V 6.8A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 15 V

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	25.08 грн
6000+	23 грн
9000+	21.94 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMA530PZ

Trans MOSFET P-CH 30V 6.8A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	28.5 грн
6000+	27.61 грн
9000+	25.88 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMA530PZ

Trans MOSFET P-CH 30V 6.8A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	26.15 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMA530PZ

Trans MOSFET P-CH 30V 6.8A 6-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMA530PZ

на замовлення 7688 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	73.72 грн
15+	54.54 грн
100+	38.12 грн
500+	32.23 грн
1000+	25.78 грн
5000+	25.71 грн

Мінімальне замовлення: 12

FDMA6023PZT

Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-Pin MicroFET T/R

товар відсутній

FDMA6023PZT

Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-Pin MicroFET T/R

товар відсутній

FDMA6023PZT

MOSFET Dual P-Ch, -20V PowerTrench

на замовлення 213 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	74.39 грн
10+	65.24 грн
100+	43.83 грн
250+	43.76 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDMA6023PZT

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -3.6A; 1.4W; MicroFET
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 1.4W
Case: MicroFET
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 338 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

4+	85.83 грн
7+	46.46 грн
25+	40.39 грн
31+	34.78 грн
83+	32.88 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDMA6023PZT

Description: ONSEMI - FDMA6023PZT - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.6 A
tariffCode: 85412900
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.04ohm
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
hazardous: false
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Produktpalette: -
Bauform - Transistor: µFET
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Verlustleistung, n-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04ohm
usEccn: EAR99
Transistormontage: Oberflächenmontage
Verlustleistung Pd: 1.4W
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 375297 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	71.69 грн
14+	61.61 грн
100+	43.97 грн
500+	26.64 грн
3000+	24.1 грн

Мінімальне замовлення: 12

FDMA6023PZT

Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-Pin MicroFET T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	18.16 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMA6023PZT

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 885pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)

на замовлення 9995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	60.35 грн
10+	47.55 грн
100+	36.95 грн
500+	29.39 грн
1000+	23.95 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDMA6023PZT

Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-Pin MicroFET T/R

на замовлення 232 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	66.14 грн
11+	59.06 грн
25+	57.91 грн
100+	43.43 грн

Мінімальне замовлення: 10

FDMA6023PZT

Description: ONSEMI - FDMA6023PZT - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.6 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.04ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 375297 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	43.97 грн
500+	26.64 грн
3000+	24.1 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDMA6023PZT

Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-Pin MicroFET T/R

на замовлення 232 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

194+	63.6 грн
198+	62.36 грн

Мінімальне замовлення: 194

FDMA6023PZT

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 885pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	24.94 грн
6000+	22.88 грн
9000+	21.82 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMA6023PZT

на замовлення 338 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	71.52 грн
11+	37.28 грн
25+	33.66 грн
31+	28.98 грн
83+	27.4 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDMA6023PZT

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 6MICROFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 885pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)

на замовлення 88530 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

792+	27.5 грн

Мінімальне замовлення: 792

FDMA6676PZ

Description: MOSFET P-CH 30V 11A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 15 V

товар відсутній

FDMA6676PZ

Description: MOSFET P-CH 30V 11A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 15 V

товар відсутній

FDMA6676PZ

Trans MOSFET P-CH 30V 11A 6-Pin MicroFET EP T/R

товар відсутній

FDMA6676PZ

Sensor Cables / Actuator Cables SACC-DSI-M12FS- 4P-M16/0,5-0,25

товар відсутній

FDMA710PZ

Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDMA7628

Trans MOSFET N-CH 20V 9.4A 6-Pin MicroFET T/R

товар відсутній

FDMA7628

MOSFET Snlg PT4, N 20/8V in MLP 2.05x2.05

на замовлення 4864 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDMA7628

Description: FDMA7628 - SINGLE N-CHANNEL 1.5
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 10 V

на замовлення 89038 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

962+	22.66 грн

Мінімальне замовлення: 962

FDMA7628

Description: ONSEMI - FDMA7628 - FDMA7628, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 89038 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

250+	26.98 грн

Мінімальне замовлення: 250

FDMA7630

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11A; Idm: 24A; 2.4W; MicroFET
Kind of package: reel; tape
Case: MicroFET
Mounting: SMD
On-state resistance: 18mΩ
Drain current: 11A
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 2.4W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 22nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 24A
Type of transistor: N-MOSFET

товар відсутній

FDMA7630

Description: MOSFET N-CH 30V 11A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 15 V

на замовлення 8124 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	105.02 грн
10+	82.79 грн
100+	64.39 грн
500+	51.22 грн
1000+	41.72 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDMA7630

товар відсутній

FDMA7630

Trans MOSFET N-CH 30V 11A 6-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMA7630

MOSFETs 30V Single N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 28931 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	114.11 грн
10+	92.49 грн
100+	58.4 грн
500+	46.44 грн
1000+	42.6 грн
3000+	38.18 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDMA7630

Description: MOSFET N-CH 30V 11A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	43.46 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMA7632

Description: MOSFET N-CH 30V 9A 6MICROFET

товар відсутній

FDMA7632

Trans MOSFET N-CH 30V 9A 6-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMA7632

MOSFET 30V Single N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 10311 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDMA7632

Description: MOSFET N-CH 30V 9A 6MICROFET

товар відсутній

FDMA7670

Trans MOSFET N-CH 30V 11A 6-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMA7670

MOSFET 30V Single N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 178 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDMA7670

Description: ONSEMI - FDMA7670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.015 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

на замовлення 208870 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	19.51 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMA7670

Description: MOSFET N-CH 30V 11A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 15 V

товар відсутній

FDMA7670

Description: MOSFET N-CH 30V 11A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 15 V

на замовлення 7 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	64.27 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDMA7672

Description: MOSFET N-CH 30V 9A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 15 V

на замовлення 4478 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	115.21 грн
10+	70.49 грн
100+	47.19 грн
500+	34.9 грн
1000+	31.87 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDMA7672

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9A; Idm: 24A; 2.4W; MicroFET
Kind of package: reel; tape
Case: MicroFET
Mounting: SMD
On-state resistance: 32mΩ
Drain current: 9A
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 2.4W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 24A
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDMA7672

Trans MOSFET N-CH 30V 9A 6-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMA7672

Description: MOSFET N-CH 30V 9A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	31.01 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMA7672

Trans MOSFET N-CH 30V 9A 6-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMA7672

Trans MOSFET N-CH 30V 9A 6-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMA7672

MOSFET 30V Single N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 745-754 дні (днів)

4+	86.22 грн
10+	76.16 грн
100+	51.66 грн
500+	42.75 грн
1000+	33.69 грн
3000+	31.44 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDMA7672

Trans MOSFET N-CH 30V 9A 6-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMA7672

товар відсутній

FDMA7672

Trans MOSFET N-CH 30V 9A 6-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMA8051L

Trans MOSFET N-CH 40V 10A 6-Pin MLP EP T/R

товар відсутній

FDMA8051L

MOSFET FET 40V 14.0 MOHM MLP22

на замовлення 4056 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDMA8051L

Description: MOSFET N-CH 40V 10A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 20 V

на замовлення 15666 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	115.21 грн
10+	70.57 грн
100+	47.19 грн
500+	34.86 грн
1000+	31.82 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDMA8051L

Description: ONSEMI - FDMA8051L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 10 A, 0.011 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 8379 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	66.16 грн
50+	57.38 грн
100+	48.6 грн
500+	32.98 грн
1500+	29.82 грн

Мінімальне замовлення: 13

FDMA8051L

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 10A; Idm: 80A; 2.4W; MicroFET
Kind of package: reel; tape
Case: MicroFET
Mounting: SMD
On-state resistance: 19mΩ
Drain current: 10A
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 2.4W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Type of transistor: N-MOSFET

товар відсутній

FDMA8051L

Description: MOSFET N-CH 40V 10A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 20 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	30.94 грн
6000+	27.77 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMA8051L

MOSFET FET 40V 14.0 MOHM MLP22

на замовлення 14806 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	84.11 грн
10+	68.99 грн
100+	48.62 грн
500+	40.14 грн
1000+	32.39 грн
3000+	29.13 грн
6000+	28.91 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDMA8051L

товар відсутній

FDMA8051L

Description: ONSEMI - FDMA8051L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 10 A, 0.011 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: WDFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 8379 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	51.2 грн
500+	34.49 грн
1500+	31.21 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDMA86108LZ

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.2A; Idm: 6A; 2.4W; MicroFET
Kind of package: reel; tape
Case: MicroFET
Mounting: SMD
On-state resistance: 446mΩ
Drain current: 2.2A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 2.4W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 6A
Type of transistor: N-MOSFET

товар відсутній

FDMA86108LZ

MOSFET FET 100V 243.0 MOHM MLP

на замовлення 4247 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDMA86108LZ

товар відсутній

FDMA86108LZ

Description: MOSFET N-CH 100V 2.2A 6MICROFET

на замовлення 11455 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	94.83 грн
10+	81.51 грн
100+	63.53 грн
500+	49.25 грн
1000+	38.88 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDMA86108LZ

Trans MOSFET N-CH 100V 2.2A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	34.99 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMA86108LZ

Description: MOSFET N-CH 100V 2.2A 6MICROFET

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	40.16 грн
6000+	36.74 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMA86151L

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.3A; Idm: 20A; 2.4W; MicroFET
Kind of package: reel; tape
Case: MicroFET
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.15Ω
Drain current: 3.3A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 2.4W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 7.3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 20A
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDMA86151L

Description: ONSEMI - FDMA86151L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.3 A, 0.06 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 1753 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	102.41 грн
11+	77.13 грн
100+	55.68 грн
500+	40.98 грн
1000+	34.48 грн

Мінімальне замовлення: 8

FDMA86151L

Description: MOSFET N-CH 100V 3.3A 6MICROFET

товар відсутній

FDMA86151L

Trans MOSFET N-CH 100V 3.3A 6-Pin MicroFET EP T/R

товар відсутній

FDMA86151L

MOSFETs 100 V Single N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 2837 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	92.98 грн
10+	74.16 грн
100+	49.41 грн
500+	39.12 грн
1000+	34.92 грн
3000+	31.44 грн
6000+	31.01 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDMA86151L

Description: ONSEMI - FDMA86151L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.3 A, 0.06 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 1753 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	56.24 грн
500+	44.83 грн
1000+	31.35 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDMA86151L

Description: MOSFET N-CH 100V 3.3A 6MICROFET

на замовлення 3001 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	95.62 грн
10+	81.74 грн
100+	63.69 грн
500+	49.38 грн
1000+	38.98 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDMA86151L

товар відсутній

FDMA86151L

MOSFET FET 100V 88.0 MOHM MLP22

на замовлення 12428 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDMA86251

MOSFET FET 150V 175.0 MOHM MLP22

на замовлення 62927 шт:

термін постачання 570-579 дні (днів)

5+	73.12 грн
10+	59.16 грн
100+	39.99 грн
500+	33.91 грн
1000+	27.6 грн
3000+	25.94 грн
6000+	24.71 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDMA86251

Trans MOSFET N-CH 150V 2.4A 6-Pin MicroFET EP T/R

товар відсутній

FDMA86251

Description: MOSFET N-CH 150V 2.4A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 75 V

на замовлення 16995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	27.63 грн
6000+	25.34 грн
9000+	24.17 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMA86251

Trans MOSFET N-CH 150V 2.4A 6-Pin MicroFET EP T/R

товар відсутній

FDMA86251

Description: MOSFET N-CH 150V 2.4A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 75 V

на замовлення 16995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	66.62 грн
10+	52.6 грн
100+	40.94 грн
500+	32.56 грн
1000+	26.53 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDMA86251

Trans MOSFET N-CH 150V 2.4A 6-Pin MicroFET EP T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	27.73 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMA86265P

Description: MOSFET P-CH 150V 1A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 75 V

на замовлення 5500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	76.02 грн
10+	59.62 грн
100+	46.42 грн
500+	36.92 грн
1000+	30.07 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDMA86265P

Description: ONSEMI - FDMA86265P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 1 A, 0.86 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 1611 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	52.99 грн
500+	33.96 грн
1500+	30.72 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDMA86265P

Description: MOSFET P-CH 150V 1A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 75 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	31.33 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMA86265P

Trans MOSFET P-CH Si 150V 1A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	32.04 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMA86265P

MOSFET FET -150V 1.2 MOHM MLP

на замовлення 8237 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	84.53 грн
10+	68.16 грн
100+	46.15 грн
500+	39.12 грн
1000+	31.88 грн
3000+	30 грн
6000+	28.47 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDMA86265P

на замовлення 1611 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	73.48 грн
50+	63.23 грн
100+	52.99 грн
500+	33.96 грн
1500+	30.72 грн

Мінімальне замовлення: 12

FDMA86551L

Description: ONSEMI - FDMA86551L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7.5 A, 0.019 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 2867 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	71.44 грн
50+	62.18 грн
100+	52.91 грн
500+	37.36 грн
1500+	34.42 грн

Мінімальне замовлення: 12

FDMA86551L

Trans MOSFET N-CH 60V 7.5A 6-Pin MLP EP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	34.23 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMA86551L

Description: MOSFET N-CH 60V 7.5A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 30 V

на замовлення 41265 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	83.08 грн
10+	65.66 грн
100+	51.04 грн
500+	40.6 грн
1000+	33.07 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDMA86551L

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.5A; 2.4W; WDFN6
Kind of package: reel; tape
Case: WDFN6
Mounting: SMD
On-state resistance: 33mΩ
Drain current: 7.5A
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 2.4W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET

товар відсутній

FDMA86551L

MOSFET FET 60V 23.0 MOHM MLP22

на замовлення 63647 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	99.74 грн
10+	88.32 грн
100+	59.56 грн
500+	49.2 грн
1000+	39.27 грн
3000+	36.15 грн
6000+	34.05 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDMA86551L

на замовлення 2867 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	52.91 грн
500+	37.36 грн
1500+	34.42 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDMA86551L

Description: MOSFET N-CH 60V 7.5A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 30 V

на замовлення 39000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	34.45 грн
6000+	31.6 грн
9000+	30.14 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMA86551L

товар відсутній

FDMA8878

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 10A; Idm: 40A; 2.4W; WDFN6
Kind of package: reel; tape
Case: WDFN6
Mounting: SMD
On-state resistance: 21mΩ
Drain current: 10A
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 2.4W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDMA8878

Description: MOSFET N-CH 30V 9A/10A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V

на замовлення 12603 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	151.26 грн
10+	93.21 грн
100+	63.29 грн
500+	47.36 грн
1000+	43.49 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDMA8878

MOSFET N-CHAN 30V 9A 2.4W

на замовлення 6506 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	117.5 грн
10+	95.82 грн
100+	65.43 грн
500+	56.15 грн
1000+	46.66 грн
3000+	45.36 грн
6000+	43.18 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDMA8878

Description: ONSEMI - FDMA8878 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.013 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 11447 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

32+	25.52 грн
36+	23.16 грн
38+	21.86 грн
100+	19.62 грн
250+	16.65 грн
500+	15.47 грн
1000+	14.28 грн
3000+	13.45 грн

Мінімальне замовлення: 32

FDMA8878

Description: MOSFET N-CH 30V 9A/10A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	42.67 грн
6000+	40.55 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMA8878

товар відсутній

FDMA8878

MOSFET N-CHAN 30V 9A 2.4W

на замовлення 4358 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDMA8878-F130

Description: ONSEMI - FDMA8878-F130 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 289315 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	59.74 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMA8878-F130

Description: 30V SINGLE N-CHANNEL POWER TRENC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V

на замовлення 1337705 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

926+	42.32 грн

Мінімальне замовлення: 926

FDMA8884

MOSFET 30V Single N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 932 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDMA8884

Description: MOSFET N-CH 30V 6.5/8A 6MICROFET

товар відсутній

FDMA8884

Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDMA8884

Description: MOSFET N-CH 30V 6.5/8A 6MICROFET

на замовлення 234000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDMA8884

Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 6-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMA8884

Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

на замовлення 527023 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDMA905P

Trans MOSFET P-CH 12V 10A 6-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMA905P

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -10A; 2.4W; WDFN6
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.4W
Polarisation: unipolar
Drain current: -10A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -12V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Case: WDFN6
On-state resistance: 21mΩ

товар відсутній

FDMA905P

Description: MOSFET P-CH 12V 10A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3405 pF @ 6 V

на замовлення 34315 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	92.48 грн
10+	72.83 грн
100+	56.63 грн
500+	45.05 грн
1000+	36.7 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDMA905P

MOSFET -12V Single P-Chan PowerTrench MOSFET

на замовлення 700 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	98.05 грн
10+	87.49 грн
100+	58.9 грн
500+	48.69 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDMA905P

товар відсутній

FDMA905P

Description: MOSFET P-CH 12V 10A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3405 pF @ 6 V

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	38.23 грн
6000+	35.06 грн
9000+	33.44 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMA905P-SN00294

Description: MOSFET P-CH 12V 10A
Packaging: Bulk

товар відсутній

FDMA908PZ

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -12A; Idm: -40A; 2.4W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 2.4W
Gate charge: 34nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Drain current: -12A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -12V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Case: MicroFET
On-state resistance: 16mΩ

товар відсутній

FDMA908PZ

MOSFET Single P-Channel PowerTrench MOSFET -12V, -12A, 12.5mohm

на замовлення 86094 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	63.9 грн
10+	53.33 грн
100+	36.73 грн
500+	29.34 грн
1000+	23.47 грн
3000+	19.56 грн
6000+	18.91 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDMA908PZ

Description: MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3957 pF @ 6 V

на замовлення 31790 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	61.13 грн
10+	50.94 грн
100+	35.26 грн
500+	27.65 грн
1000+	23.53 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDMA908PZ

Description: ONSEMI - FDMA908PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 A, 0.01 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 20277 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	61.36 грн
50+	49.9 грн
100+	38.36 грн
500+	25.28 грн
1500+	22.85 грн

Мінімальне замовлення: 14

FDMA908PZ

товар відсутній

FDMA908PZ

Description: MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3957 pF @ 6 V

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	23.19 грн
6000+	21.16 грн
9000+	19.59 грн
30000+	18.2 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMA908PZ

на замовлення 20277 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	38.36 грн
500+	25.28 грн
1500+	22.85 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDMA908PZ

Trans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin Micro FET EP T/R

товар відсутній

FDMA910PZ

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -9.4A; Idm: -45A; 2.4W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -9.4A
Pulsed drain current: -45A
Power dissipation: 2.4W
Case: MicroFET
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDMA910PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 9.4A 6-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMA910PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 9.4A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2805 pF @ 10 V

на замовлення 23434 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	106.59 грн
10+	64.68 грн
100+	43.03 грн
500+	31.67 грн
1000+	28.85 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDMA910PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 9.4A 6-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMA910PZ

товар відсутній

FDMA910PZ

MOSFET P-CHAN -20V -9.4A

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	73.88 грн
10+	59.66 грн
100+	40.28 грн
500+	34.2 грн
1000+	27.89 грн
3000+	24.71 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDMA910PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 9.4A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2805 pF @ 10 V

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	27.98 грн
6000+	25.02 грн
9000+	24.04 грн
15000+	22.44 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMA910PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 9.4A 6-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMB2307NZ

Description: MOSFET 2N-CH 6MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Supplier Device Package: 6-MLP (2x3)

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	28.34 грн
6000+	25.92 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMB2307NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 9.7A 6-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMB2307NZ

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 9.7A; Idm: 40A; 2.2W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 9.7A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 2.2W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: common drain

товар відсутній

FDMB2307NZ

MOSFET 20V 2xCommon Drn Nch PowerTrench MOSFET

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	70.75 грн
10+	56.99 грн
100+	38.55 грн
500+	32.68 грн
1000+	26.59 грн
3000+	23.62 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDMB2307NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 9.7A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

160+	76.86 грн

Мінімальне замовлення: 160

FDMB2307NZ

товар відсутній

FDMB2307NZ

Description: MOSFET 2N-CH 6MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Supplier Device Package: 6-MLP (2x3)

на замовлення 8975 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	66.62 грн
10+	57.51 грн
100+	44.83 грн
500+	34.76 грн
1000+	27.44 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDMB2307NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 9.7A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	71.37 грн

Мінімальне замовлення: 9

FDMB2308PZ

MOSFET Dual Com Drain -20V P-Channel Pwr Trench

на замовлення 5426 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	158.91 грн
10+	131.65 грн
100+	90.57 грн
250+	83.32 грн
500+	75.35 грн
1000+	64.56 грн
3000+	59.34 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDMB2308PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 7A 6-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMB2308PZ

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -7A; Idm: -30A; 2.2W; WDFN6
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 2.2W
Gate charge: 30nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -7A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: common drain
Case: WDFN6
Gate-source voltage: ±12V
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDMB2308PZ

Description: MOSFET 2P-CH 6MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MLP (2x3)
Part Status: Active

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	68.62 грн
6000+	63.63 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMB2308PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 7A 6-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMB2308PZ

Description: ONSEMI - FDMB2308PZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 7 A, 7 A, 0.027 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.027ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.027ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 2800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	93.47 грн
500+	67.25 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDMB2308PZ

товар відсутній

FDMB2308PZ

Description: MOSFET 2P-CH 6MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MLP (2x3)
Part Status: Active

на замовлення 17977 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	150.48 грн
10+	129.74 грн
100+	104.26 грн
500+	80.39 грн
1000+	66.61 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDMB2308PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 7A 6-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMB2308PZ

на замовлення 2800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	173.12 грн
10+	130.04 грн
100+	93.47 грн
500+	67.25 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDMB3800N

Description: MOSFET 2N-CH 30V 8MLP MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 750mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP, MicroFET (3x1.9)
Part Status: Active

на замовлення 4125 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	90.13 грн
10+	70.94 грн
100+	55.17 грн
500+	43.88 грн
1000+	35.75 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDMB3800N

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 4.8A; Idm: 9A; 1.6W
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 9A
Power dissipation: 1.6W
Gate charge: 5.6nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 4.8A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±20V
Case: MicroFET
On-state resistance: 61mΩ
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDMB3800N

товар відсутній

FDMB3800N

Description: MOSFET 2N-CH 30V 8MLP MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 750mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP, MicroFET (3x1.9)
Part Status: Active

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	37.24 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMB3800N

MOSFET 30V Dual N-Channel PwrTrch MOSFET

на замовлення 16494 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	97.21 грн
10+	83.32 грн
100+	56.44 грн
500+	47.6 грн
1000+	38.47 грн
3000+	36.08 грн
6000+	34.2 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDMB3800N

Trans MOSFET N-CH 30V 4.8A 8-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMB3800N

на замовлення 129 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDMB3900AN

Trans MOSFET N-CH 25V 7A 8-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMB3900AN

Description: MOSFET 2N-CH 25V 7A 8-MLP

на замовлення 3427 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDMB3900AN

MOSFET 25V Dual N-Chanenl

на замовлення 4929 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	85.37 грн
10+	73.91 грн
100+	49.27 грн
500+	38.98 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDMB3900AN

Trans MOSFET N-CH 25V 7A 8-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMB3900AN

Trans MOSFET N-CH 25V 7A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 1900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	75.16 грн
10+	65.98 грн
100+	50.61 грн
500+	38.57 грн
1000+	28.58 грн

Мінімальне замовлення: 9

FDMB3900AN

FDMB3900AN Multi channel transistors

товар відсутній

FDMB3900AN

Description: MOSFET 2N-CH 25V 7A 8-MLP

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDMB3900AN

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDMB506P

Description: MOSFET P-CH 20V 6.8A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP, MicroFET (3x1.9)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2960 pF @ 10 V

товар відсутній

FDMB506P

Description: MOSFET P-CH 20V 6.8A 8MLP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP, MicroFET (3x1.9)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2960 pF @ 10 V

на замовлення 5237 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

452+	46.46 грн

Мінімальне замовлення: 452

FDMB668P

Description: SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET

на замовлення 11730 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDMC007N08LC

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 42A; Idm: 330A; 57W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 330A
Power dissipation: 57W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

FDMC007N08LC

товар відсутній

FDMC007N08LC

Description: MOSFET N-CHANNEL 80V 66A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 120µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940 pF @ 40 V

на замовлення 8337 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	206.13 грн
10+	128.83 грн
100+	89.09 грн
500+	67.61 грн
1000+	62.45 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDMC007N08LC

Description: MOSFET N-CHANNEL 80V 66A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 120µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940 pF @ 40 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	64.54 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMC007N08LC

MOSFET 80V/20V N-Channel PTNG MOSFET

на замовлення 15492 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	172.44 грн
10+	140.81 грн
100+	97.81 грн
250+	95.64 грн
500+	81.87 грн
1000+	70.06 грн
3000+	66.37 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDMC007N08LC

Trans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin PQFN EP T/R

товар відсутній

FDMC007N08LCDC

Description: ONSEMI - FDMC007N08LCDC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 64 A, 0.0068 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 2179 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	136.55 грн
500+	123.02 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDMC007N08LCDC

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 41A; Idm: 339A; 57W; PQFN8
Gate charge: 44nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 339A
Mounting: SMD
Case: PQFN8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 41A
On-state resistance: 12.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 57W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDMC007N08LCDC

Description: MOSFET N-CH 80V 64A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 130µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 40 V

на замовлення 4924 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	287.64 грн
10+	182.42 грн
100+	128.56 грн
500+	99.03 грн
1000+	92.08 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDMC007N08LCDC

MOSFETs FET 80V 64A 6.8 mOhm

на замовлення 8697 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	200.33 грн
10+	168.31 грн
25+	144.91 грн
100+	119.55 грн
500+	105.06 грн
1000+	100.71 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDMC007N08LCDC

Trans MOSFET N-CH 80V 15A 8-Pin PQFN EP T/R

товар відсутній

FDMC007N08LCDC

товар відсутній

FDMC007N08LCDC

на замовлення 2950 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDMC007N08LCDC

на замовлення 2179 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	208.88 грн
10+	161.74 грн
100+	136.55 грн
500+	123.02 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDMC007N08LCDC

Description: MOSFET N-CH 80V 64A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 130µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 40 V

товар відсутній

FDMC007N30D

Description: MOSFET 2N-CH 30V 46A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W, 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110pF @ 15V, 2360pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	27.58 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMC007N30D

MOSFET Dual N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 1753 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	73.12 грн
10+	59.07 грн
100+	39.92 грн
500+	33.84 грн
1000+	26.45 грн
3000+	25.94 грн
6000+	24.63 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDMC007N30D

Trans MOSFET N-CH 30V 10A/16A 8-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMC007N30D

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 18/29A; 1.9/2.5W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 18/29A
Power dissipation: 1.9/2.5W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±12/±12V
On-state resistance: 16.3/9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17/34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

FDMC007N30D

Description: MOSFET 2N-CH 30V 46A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W, 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110pF @ 15V, 2360pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active

на замовлення 5796 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	66.62 грн
10+	52.53 грн
100+	40.87 грн
500+	32.51 грн
1000+	26.48 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDMC007N30D

Trans MOSFET N-CH 30V 10A/16A 8-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMC007N30D

товар відсутній

FDMC008N08C

Description: MOSFET N-CHANNEL 80V 60A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 40 V

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	55.53 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMC008N08C

Trans MOSFET N-CH 80V 12A 8-Pin PQFN EP T/R

товар відсутній

FDMC008N08C

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 38A; Idm: 273A; 57W; Power33
Case: Power33
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 273A
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 38A
On-state resistance: 13.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 57W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 29nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDMC008N08C

MOSFET 80V/20V N-Channel PTNG MOSFET

на замовлення 3808 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	147.93 грн
10+	121.65 грн
100+	84.05 грн
250+	77.53 грн
500+	70.79 грн
1000+	60.14 грн
3000+	55.28 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDMC008N08C

Trans MOSFET N-CH 80V 12A 8-Pin PQFN EP T/R

товар відсутній

FDMC008N08C

Description: MOSFET N-CHANNEL 80V 60A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 40 V

на замовлення 21789 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	184.96 грн
10+	114.87 грн
100+	78.94 грн
500+	59.61 грн
1000+	54.95 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDMC008N08C

товар відсутній

FDMC010N08C

на замовлення 2705 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDMC010N08C

MOSFET PTNG 80/20V IN 51A 10 mOhm

на замовлення 5974 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	232.45 грн
10+	193.31 грн
25+	154.33 грн
100+	135.49 грн
250+	128.24 грн
500+	120.27 грн
1000+	102.88 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDMC010N08C

Trans MOSFET N-CH 80V 11A 8-Pin PQFN EP T/R

товар відсутній

FDMC010N08C

Description: ONSEMI - FDMC010N08C - FET 80V 10.0 MOHM IN 3X3CLIP / REEL 65AC4694
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDMC010N08C

Description: MOSFET N-CH 80V 11A/51A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 40 V

на замовлення 8400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	217.1 грн
10+	175.62 грн
100+	142.04 грн
500+	118.48 грн
1000+	101.45 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDMC010N08C

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 32A; Idm: 206A; 52W; Power33
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 206A
Power dissipation: 52W
Case: Power33
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

FDMC010N08C

товар відсутній

FDMC010N08C

Description: MOSFET N-CH 80V 11A/51A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 40 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	105.71 грн
6000+	97.66 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMC010N08LC

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 32A; Idm: 200A; 52W; Power33
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 52W
Case: Power33
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

FDMC010N08LC

товар відсутній

FDMC010N08LC

Description: N-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE

товар відсутній

FDMC010N08LC

MOSFET FET 80V 51A 10.9 mOhm

товар відсутній

FDMC010N08LC

Trans MOSFET N-CH 80V 11A 8-Pin PQFN EP T/R

товар відсутній

FDMC012N03

Description: MOSFET N-CH 30V 35A/185A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.23mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8183 pF @ 15 V

товар відсутній

FDMC012N03

MOSFETs PT9 N-ch 30V/12V Power Trench MOSFET

на замовлення 2866 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	221.47 грн
10+	174.14 грн
100+	119.55 грн
500+	97.81 грн
1000+	92.74 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDMC012N03

Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin Power 33 EP T/R

товар відсутній

FDMC012N03

Description: ONSEMI - FDMC012N03 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 185 A, 960 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 64W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 960µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 2204 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	137.36 грн
500+	98.11 грн
1000+	80.12 грн
2000+	75.94 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDMC012N03

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 117A; Idm: 688A; 64W; Power33
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 117A
Pulsed drain current: 688A
Power dissipation: 64W
Case: Power33
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 1.77mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

FDMC012N03

Description: MOSFET N-CH 30V 35A/185A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.23mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8183 pF @ 15 V

на замовлення 1308 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	269.61 грн
10+	170.34 грн
100+	119.59 грн
500+	91.85 грн
1000+	85.3 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDMC012N03

товар відсутній

FDMC012N03

на замовлення 2204 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	214.57 грн
10+	164.18 грн
100+	137.36 грн
500+	98.11 грн
1000+	80.12 грн
2000+	75.94 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDMC013P030Z

MOSFET P-Channel PowerTrench MOSFET -30V, -54A, 7.0m

на замовлення 2037 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDMC013P030Z

Trans MOSFET P-CH 30V 14A 8-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMC013P030Z

Description: P-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET -30
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5785 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

194+	121.48 грн

Мінімальне замовлення: 194

FDMC0202S

Description: ONSEMI - FDMC0202S - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 15629 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1456+	27.63 грн

Мінімальне замовлення: 1456

FDMC0202S

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.15mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2705 pF @ 13 V

на замовлення 14629 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1211+	17.6 грн

Мінімальне замовлення: 1211

FDMC0205

Description: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk

на замовлення 188630 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1480+	14.29 грн

Мінімальне замовлення: 1480

FDMC0205

Description: ONSEMI - FDMC0205 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 188630 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1780+	21.94 грн

Мінімальне замовлення: 1780

FDMC0208

Description: N-CHANNEL POWER TRENCH MOSFET

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDMC0208

Description: ONSEMI - FDMC0208 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1456+	27.63 грн

Мінімальне замовлення: 1456

FDMC0222

Description: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2049+	10.72 грн

Мінімальне замовлення: 2049

FDMC0222

Description: ONSEMI - FDMC0222 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2465+	16.09 грн

Мінімальне замовлення: 2465

FDMC0223

Description: RF MOSFET
Packaging: Bulk

на замовлення 6940 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1664+	12.86 грн

Мінімальне замовлення: 1664

FDMC0225

Description: ONSEMI - FDMC0225 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 200580 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2465+	16.09 грн

Мінімальне замовлення: 2465

FDMC0225

Description: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk

на замовлення 200580 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2049+	10.72 грн

Мінімальне замовлення: 2049

FDMC0228

Description: ONSEMI - FDMC0228 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 69000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2465+	16.09 грн

Мінімальне замовлення: 2465

FDMC0228

Description: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk

на замовлення 69000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2049+	10.72 грн

Мінімальне замовлення: 2049

FDMC0310AS

Description: MOSFET N-CH 30V 19A 8QFN

товар відсутній

FDMC0310AS

Description: MOSFET N-CH 30V 19A 8QFN

на замовлення 1567 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDMC0310AS

MOSFET PT8 NCH 30V/20V S ML

на замовлення 1962 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDMC0310AS

Description: MOSFET N-CH 30V 19A 8QFN

на замовлення 1567 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDMC0310AS-F127

MOSFETs Computing MOSFET

на замовлення 10319 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	71.51 грн
10+	57.66 грн
100+	38.98 грн
500+	33.11 грн
1000+	26.95 грн
3000+	25.36 грн
6000+	24.13 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDMC0310AS-F127

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; Idm: 100A; 36W; MLP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 36W
Polarisation: unipolar
Case: MLP8
Gate charge: 52nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 100A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
On-state resistance: 5.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET

товар відсутній

FDMC0310AS-F127

Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3165 pF @ 15 V

на замовлення 5967 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	66.62 грн
10+	52.38 грн
100+	40.75 грн
500+	32.42 грн
1000+	26.41 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDMC0310AS-F127

товар відсутній

FDMC0310AS-F127

Trans MOSFET N-CH 30V 19A T/R

товар відсутній

FDMC0310AS-F127

Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3165 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	27.51 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMC0310AS-F127-L701

Description: PT8 NCH 30V/20V S ML
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3165 pF @ 15 V

товар відсутній

FDMC0310AS-F127-L701

FDMC0310AS-F127-L701

товар відсутній

FDMC0310AS-F127-L701

Description: PT8 NCH 30V/20V S ML
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3165 pF @ 15 V

на замовлення 2575 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	72.89 грн
10+	57.59 грн
100+	44.78 грн
500+	35.62 грн
1000+	29.02 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDMC035N10X1

Description: N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET 100
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2675 pF @ 50 V

товар відсутній

FDMC15N06

Description: MOSFET N-CH 55V 2.4A/15A 8MLP

товар відсутній

FDMC15N06

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 9A; Idm: 60A; 35W; Power33
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 35W
Case: Power33
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDMC15N06

Description: MOSFET N-CH 55V 2.4A/15A 8MLP

товар відсутній

FDMC15N06

Description: MOSFET N-CH 55V 2.4A/15A 8MLP

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

394+	56.13 грн

Мінімальне замовлення: 394

FDMC15N06

Description: ONSEMI - FDMC15N06 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1217 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

459+	86.15 грн

Мінімальне замовлення: 459

FDMC15N06

MOSFET UltraFET 55V, 15A

на замовлення 46 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	148.77 грн
10+	132.48 грн
25+	108.68 грн
100+	92.74 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDMC15N06

товар відсутній

FDMC15N06

Description: MOSFET N-CH 55V 2.4A/15A 8MLP

товар відсутній

FDMC15N06

Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.4A 8-Pin Power 33 T/R

товар відсутній

FDMC2512SDC

Description: MOSFET N-CH 25V 32A 8PQFN

на замовлення 394 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDMC2512SDC

MOSFET N-Channel Dual CoolTM 33 PowerTrench SyncFETTM 25V, 40A, 2.0m

на замовлення 1529 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDMC2514SDC

MOSFET 25V NChan Dual Cool PowerTrench SyncFET

на замовлення 1741 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDMC2514SDC

Description: MOSFET N-CH 25V 40A POWER33

на замовлення 770 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDMC2514SDC

Description: MOSFET N-CH 25V 40A POWER33

товар відсутній

FDMC2523P

Description: MOSFET P-CH 150V 3A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	48.89 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMC2523P

On Semiconductor

MOSFET P-CH 150V 3A MLP 3.3SQ

на замовлення 945 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

FDMC2523P

Trans MOSFET P-CH 150V 3A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	51.31 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMC2523P

MOSFETs -150V P-Channel QFET

на замовлення 21499 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	106.51 грн
10+	89.15 грн
100+	63.4 грн
250+	63.03 грн
500+	54.27 грн
1000+	46.37 грн
3000+	45.36 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDMC2523P

Fairchild/ON Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 150V 3A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V

на замовлення 3416 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	108.16 грн
10+	86.72 грн
100+	69.02 грн
500+	54.81 грн
1000+	46.51 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDMC2523P

P-канальний ПТ; Udss, В = 150; Id = 3 А; Ptot, Вт = 42; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 270 @ 25; Qg, нКл = 9 @ 10 В; Rds = 1,5 Ом @ 1,5 А, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА; PowerVDFN-8

на замовлення 5 шт:

термін постачання 3-4 дні (днів)

5+	124.8 грн
10+	62.4 грн
100+	26.75 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDMC2610

MOSFET 200V N-Ch UltraFET PowerTrench MOSFET

на замовлення 1847 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	185.96 грн
10+	152.48 грн
100+	115.93 грн
250+	110.85 грн
500+	97.09 грн
1000+	80.42 грн
3000+	71.44 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDMC2610

Description: MOSFET N-CH 200V 2.2A/9.5A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 100 V

товар відсутній

FDMC2610

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 42W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 42W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 397mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

FDMC2610

Trans MOSFET N-CH Si 200V 2.2A 8-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMC2610

Description: MOSFET N-CH 200V 2.2A/9.5A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 100 V

на замовлення 560 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	171.64 грн
10+	137.06 грн
100+	109.13 грн
500+	86.66 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDMC2610

Trans MOSFET N-CH Si 200V 2.2A 8-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMC2610

товар відсутній

FDMC2674

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 220V; 7A; Idm: 13.8A; 42W; MLP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 220V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 13.8A
Power dissipation: 42W
Case: MLP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 814mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

FDMC2674

Trans MOSFET N-CH Si 220V 1A 8-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMC2674

Trans MOSFET N-CH Si 220V 1A 8-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMC2674

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDMC2674

Description: ONSEMI - FDMC2674 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 220 V, 7 A, 0.305 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 220V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: UltraFET Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.305ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	151.18 грн
10+	121.92 грн
100+	94.28 грн
500+	70.19 грн
3000+	52.46 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDMC2674

Description: MOSFET N-CH 220V 1A/7A 8MLP

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	67.42 грн
6000+	62.52 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMC2674

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDMC2674

товар відсутній

FDMC2674

MOSFET LOW VOLTAGE

на замовлення 2112 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	133.56 грн
10+	116.65 грн
100+	87.67 грн
250+	81.15 грн
500+	73.18 грн
1000+	64.77 грн
3000+	52.46 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDMC2674

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	94.28 грн
500+	70.19 грн
3000+	52.46 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDMC2674

Description: MOSFET N-CH 220V 1A/7A 8MLP

на замовлення 25839 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	147.34 грн
10+	127.47 грн
100+	102.43 грн
500+	78.98 грн
1000+	65.44 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDMC2D8N025S

Description: MOSFET N-CH 25V 124A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4615 pF @ 13 V

на замовлення 1136 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	108.16 грн
10+	85.06 грн
100+	66.14 грн
500+	52.62 грн
1000+	42.86 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDMC2D8N025S

MOSFET N-ChannelPowerTrench MOSFET,PwrClip 33Sin

на замовлення 2267 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDMC2D8N025S

Description: MOSFET N-CH 25V 124A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4615 pF @ 13 V

товар відсутній

FDMC3020DC

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; Idm: 100A; 50W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 50W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDMC3020DC

Description: MOSFET N-CH 30V 17A/40A DLCOOL33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.25mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Dual Cool ™ 33
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 15 V

товар відсутній

FDMC3020DC

товар відсутній

FDMC3020DC

Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin MLP EP T/R

товар відсутній

FDMC3020DC

Description: MOSFET N-CH 30V 17A/40A DLCOOL33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.25mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Dual Cool ™ 33
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 15 V

товар відсутній

FDMC3020DC

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.25mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 15 V

товар відсутній

FDMC3020DC

Standard Clock Oscillators XLL3 5032 HCMOS XO LOW JITTER

на замовлення 2394 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	195.26 грн
10+	173.31 грн
25+	142.73 грн
100+	121 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDMC3020DC-P

Description: MOSFET N-CH 30V 17A/40A DLCOOL33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.25mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 15 V

товар відсутній

FDMC3300NZA

Description: MOSFET 2N-CH 20V 8A 8PWR33
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 815pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

на замовлення 9169 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

513+	42.26 грн

Мінімальне замовлення: 513

FDMC3300NZA

Description: ONSEMI - FDMC3300NZA - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 9169 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

616+	65.02 грн

Мінімальне замовлення: 616

FDMC3612

Description: ONSEMI - FDMC3612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.092 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 3063 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	104.04 грн
10+	82.09 грн
100+	61.04 грн
500+	48.15 грн
1000+	35.74 грн

Мінімальне замовлення: 8

FDMC3612

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 16A; 35W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 16A
Power dissipation: 35W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 212mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

FDMC3612

Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin Power 33 T/R

товар відсутній

FDMC3612

Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 963 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	63.08 грн
11+	58.33 грн
25+	58.09 грн
100+	49.33 грн
250+	45.57 грн
500+	34.92 грн

Мінімальне замовлення: 10

FDMC3612

MOSFET 100V PowerTrench MOSFET

на замовлення 18021 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	100.59 грн
10+	84.15 грн
100+	59.12 грн
500+	50.07 грн
1000+	40.36 грн
3000+	38.83 грн
6000+	36.88 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDMC3612

Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin Power 33 T/R

товар відсутній

FDMC3612

Description: MOSFET N-CH 100V 3.3A/16A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V

товар відсутній

FDMC3612

Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 963 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

196+	62.81 грн
197+	62.56 грн
224+	55.09 грн
250+	53 грн
500+	39.17 грн

Мінімальне замовлення: 196

FDMC3612

товар відсутній

FDMC3612

Description: MOSFET N-CH 100V 3.3A/16A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V

на замовлення 1930 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	102.67 грн
10+	88.08 грн
100+	68.68 грн
500+	53.24 грн
1000+	42.03 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDMC3612-L701

Description: POWER TRENCH MOSFET N-CHANNEL 10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V

на замовлення 2845 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	76.81 грн
10+	66.11 грн
100+	51.52 грн
500+	39.94 грн
1000+	31.53 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDMC3612-L701

MOSFET N-Channel Power Trench MOSFET 100V, 12A, 110mohm

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 231-240 дні (днів)

5+	74.55 грн
10+	65.66 грн
100+	44.56 грн
500+	36.81 грн
1000+	29.05 грн
3000+	27.1 грн
6000+	25.72 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDMC3612-L701

Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMC3612-L701

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; Idm: 15A; 35W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 35W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 212mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDMC3612-L701

Description: POWER TRENCH MOSFET N-CHANNEL 10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V

товар відсутній

FDMC3612-L701

товар відсутній

FDMC3612-L701

N-Channel Power Trench MOSFET

товар відсутній

FDMC4435BZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	30.76 грн
6000+	30.45 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMC4435BZ

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -18A; 31W; MLP8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -18A
On-state resistance: 37mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 31W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 53nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±25V
Mounting: SMD
Case: MLP8
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 2951 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

3+	105.34 грн
5+	60.76 грн
24+	45.37 грн
65+	42.93 грн
3000+	42.2 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDMC4435BZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	33.12 грн
6000+	32.8 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMC4435BZ

Description: ONSEMI - FDMC4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.015 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 71687 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	51.94 грн
500+	33.28 грн
1500+	30.1 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDMC4435BZ

Description: MOSFET P-CH 30V 8.5A/18A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2045 pF @ 15 V

на замовлення 28658 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	73.67 грн
10+	58.34 грн
100+	45.42 грн
500+	36.13 грн
1000+	29.43 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDMC4435BZ

на замовлення 2951 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	87.78 грн
8+	48.76 грн
24+	37.81 грн
65+	35.77 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDMC4435BZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin Power 33 T/R

товар відсутній

FDMC4435BZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDMC4435BZ

на замовлення 71687 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	72.01 грн
50+	62.01 грн
100+	51.94 грн
500+	33.28 грн
1500+	30.1 грн

Мінімальне замовлення: 12

FDMC4435BZ

Description: MOSFET P-CH 30V 8.5A/18A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2045 pF @ 15 V

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	30.66 грн
6000+	28.12 грн
9000+	26.82 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMC4435BZ

MOSFETs -30V P-Channel PowerTrench

на замовлення 65642 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	82.58 грн
10+	66.74 грн
100+	45.14 грн
500+	38.26 грн
1000+	31.23 грн
3000+	29.34 грн
6000+	27.89 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDMC4435BZ

Description: ONSEMI - FDMC4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.015 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	48.52 грн
9000+	42.43 грн
24000+	35.19 грн
45000+	29.28 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMC4435BZ
Код товару: 52237

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2

товар відсутній

FDMC4435BZ-F126

TRANS MOSFET P-CH 30V 8.5A 8-PIN POWER 33 T/R

товар відсутній

FDMC4435BZ-F126

MOSFET -30V P-CH PwrTrench

на замовлення 23810 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDMC4435BZ-F126

Description: MOSFET P-CH 30V 8.5A/18A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2045 pF @ 15 V

товар відсутній

FDMC4435BZ-F127

Trans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMC4435BZ-F127

MOSFETs -30V P-CH PwrTrench

товар відсутній

FDMC4435BZ-F127-L701

Description: SINGLE ST3 P Z MLP3.3X3.3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2045 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	125.4 грн
10+	76.83 грн
100+	51.56 грн
500+	38.21 грн
1000+	34.93 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDMC4435BZ-F127-L701

Description: SINGLE ST3 P Z MLP3.3X3.3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2045 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	34.05 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMC4435BZ-F127-L701

MOSFET P-Channel Power Trench MOSFET -30V, -18A, 20mohm

товар відсутній

FDMC4435BZ_F126

TRANS MOSFET P-CH 30V 8.5A 8-PIN POWER 33 T/R

товар відсутній

FDMC4436BZ

Description: ONSEMI - FDMC4436BZ - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 23228 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1232+	32.51 грн

Мінімальне замовлення: 1232

FDMC4436BZ

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk

на замовлення 23228 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1025+	20.98 грн

Мінімальне замовлення: 1025

FDMC4D9P20X8

P-Channel Power Trench® MOSFET

товар відсутній

FDMC4D9P20X8

Description: MOSFET P-CH 20V 18A/75A 8PQFN

товар відсутній

FDMC4D9P20X8

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -47A; Idm: -335A; 40W; PQFN8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -47A
Pulsed drain current: -335A
Power dissipation: 40W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 16.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 109nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDMC4D9P20X8

Description: MOSFET P-CH 20V 18A/75A 8PQFN

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	89.35 грн
10+	77.13 грн
100+	60.14 грн
500+	46.63 грн
1000+	36.81 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDMC4D9P20X8

товар відсутній

FDMC510P

Trans MOSFET P-CH Si 20V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMC510P

Description: ONSEMI - FDMC510P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18 A, 0.0064 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0064ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 3944 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	100.78 грн
500+	69.81 грн
1500+	63.19 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDMC510P

Description: MOSFET P-CH 20V 12A/18A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7860 pF @ 10 V

на замовлення 67646 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	150.48 грн
10+	120.38 грн
100+	95.82 грн
500+	76.09 грн
1000+	64.56 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDMC510P

MOSFET 20V P-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 25961 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	163.99 грн
10+	142.48 грн
100+	99.26 грн
250+	97.09 грн
500+	81.87 грн
1000+	68.76 грн
3000+	63.4 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDMC510P

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -18A; 41W; MLP8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -18A
On-state resistance: 17mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 41W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 116nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Case: MLP8
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDMC510P

Trans MOSFET P-CH Si 20V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	78.02 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMC510P

Description: MOSFET P-CH 20V 12A/18A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7860 pF @ 10 V

на замовлення 63000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	67.87 грн
6000+	62.9 грн
9000+	60.82 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMC510P

товар відсутній

FDMC510P

Trans MOSFET P-CH Si 20V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	72.45 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMC510P

на замовлення 3944 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	133.3 грн
50+	117.04 грн
100+	100.78 грн
500+	69.81 грн
1500+	63.19 грн

Мінімальне замовлення: 7

FDMC510P

Trans MOSFET P-CH Si 20V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMC510P-F106

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -18A; Idm: -50A; 41W; MLP8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -18A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 41W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 116nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -50A
Case: MLP8

товар відсутній

FDMC510P-F106

Trans MOSFET P-CH Si 20V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMC510P-F106

Description: ST3 20V/8V PCH ERTREN

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDMC510P-F106

MOSFET ST3 20V/8V PCH Power Trench Mosfet

на замовлення 14 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDMC510P-F106

товар відсутній

FDMC5614P

Trans MOSFET P-CH Si 60V 5.7A 8-Pin MLP EP T/R

товар відсутній

FDMC5614P

Description: MOSFET P-CH 60V 5.7A/13.5A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), 13.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 30 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	30.23 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMC5614P

MOSFET LOW VOLTAGE

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDMC5614P

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -13.5A; 42W; WDFN8
Case: WDFN8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 42W
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -13.5A
On-state resistance: 168mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDMC5614P

товар відсутній

FDMC5614P

Trans MOSFET P-CH Si 60V 5.7A 8-Pin MLP EP T/R

товар відсутній

FDMC5614P

Description: MOSFET P-CH 60V 5.7A/13.5A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), 13.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 30 V

на замовлення 5490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	71.32 грн
10+	61.36 грн
100+	47.83 грн
500+	37.08 грн
1000+	29.27 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDMC5614P

Trans MOSFET P-CH Si 60V 5.7A 8-Pin MLP EP T/R

товар відсутній

FDMC5614P-B8

Description: FET -60V 100.0 MOHM MLP33

товар відсутній

FDMC5614P-B8

MOSFET Transistor

товар відсутній

FDMC5614P-B8

MOSFET FET -60V 100.0 MOHM MLP33

товар відсутній

FDMC5614P-L701

Description: MOSFET P-CH 60V 8MLP

товар відсутній

FDMC5614P-L701

товар відсутній

FDMC610P

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -80A; Idm: -200A; 48W; Power33
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -80A
Pulsed drain current: -200A
Power dissipation: 48W
Case: Power33
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 99nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDMC610P

MOSFET P-CH PowerTrench MOSFET

на замовлення 6505 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	129.33 грн
10+	109.15 грн
100+	87.67 грн
250+	81.87 грн
500+	73.9 грн
1000+	64.12 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDMC610P

Trans MOSFET P-CH 12V 22A 8-Pin Power 33 T/R

товар відсутній

FDMC610P

Description: MOSFET P-CH 12V 80A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 22A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 6 V

на замовлення 8986 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	157.53 грн
10+	125.74 грн
100+	100.08 грн
500+	79.47 грн
1000+	67.43 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDMC610P

Description: ONSEMI - FDMC610P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 80 A, 0.0028 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 5911 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	174.75 грн
10+	131.67 грн
100+	99.97 грн
500+	86.04 грн
1000+	67.65 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDMC610P

товар відсутній

FDMC610P

Trans MOSFET P-CH 12V 22A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 1632 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	103.24 грн
10+	93.98 грн
25+	93.52 грн
100+	82.45 грн
250+	74.46 грн
500+	66.32 грн
1000+	61.2 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDMC610P

Trans MOSFET P-CH 12V 22A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 1632 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

111+	111.18 грн
122+	101.21 грн
123+	100.71 грн
134+	88.79 грн
250+	80.19 грн
500+	71.42 грн
1000+	65.91 грн

Мінімальне замовлення: 111

FDMC610P

Description: MOSFET P-CH 12V 80A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 22A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 6 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	70.88 грн
6000+	65.69 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMC610P

на замовлення 5911 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	99.97 грн
500+	86.04 грн
1000+	67.65 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDMC610P

Trans MOSFET P-CH 12V 22A 8-Pin Power 33 T/R

товар відсутній

FDMC612PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 8-MLP

на замовлення 6720 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDMC612PZ

MOSFET P-CH. ER TRENCH MOSFET

на замовлення 24 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDMC612PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin Power 33 EP T/R

товар відсутній

FDMC612PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 8-MLP

товар відсутній

FDMC612PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 8-MLP

на замовлення 6720 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDMC6296

Description: MOSFET N-CH 30V 11.5A 8MLP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2141 pF @ 15 V

на замовлення 20197 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

460+	47.03 грн

Мінімальне замовлення: 460

FDMC6675BZ

Description: MOSFET P-CH 30V 9.5A/20A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2865 pF @ 15 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	34.77 грн
6000+	31.89 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMC6675BZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 9.5A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 2661 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	61.94 грн
12+	54.9 грн
25+	54.49 грн
100+	44.9 грн
250+	41.48 грн
500+	34.97 грн
1000+	29.14 грн

Мінімальне замовлення: 10

FDMC6675BZ

MOSFETs -30V 20A P-Channel PowerTrench

на замовлення 65 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	71.51 грн
10+	60.07 грн
100+	42.96 грн
500+	37.6 грн
1000+	32.31 грн
3000+	31.3 грн
6000+	30.5 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDMC6675BZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 9.5A 8-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMC6675BZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 9.5A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 2661 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

208+	59.12 грн
210+	58.69 грн
246+	50.14 грн
250+	48.25 грн
500+	39.23 грн
1000+	31.38 грн

Мінімальне замовлення: 208

FDMC6675BZ
Код товару: 130485

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3

товар відсутній

FDMC6675BZ

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; Idm: -32A; 36W; WDFN8
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -20A
On-state resistance: 27mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 36W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 65nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: -32A
Mounting: SMD
Case: WDFN8
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDMC6675BZ

Description: MOSFET P-CH 30V 9.5A/20A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2865 pF @ 15 V

на замовлення 8850 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	83.86 грн
10+	66.19 грн
100+	51.52 грн
500+	40.98 грн
1000+	33.38 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDMC6675BZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 9.5A 8-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMC6675BZ

товар відсутній

FDMC6675BZ-T

Description: MOSFET
Packaging: Bulk
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 20A (Tc)
Vgs (Max): ±25V

товар відсутній

FDMC6676BZ

Description: RF MOSFET
Packaging: Bulk

на замовлення 192350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2049+	10.86 грн

Мінімальне замовлення: 2049

FDMC6679AZ

Description: ONSEMI - FDMC6679AZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20 A, 0.0086 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0086ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 13480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	65.92 грн
500+	51.85 грн
1000+	36.71 грн
5000+	35.11 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDMC6679AZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 11.5A 8-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMC6679AZ

Description: MOSFET P-CH 30V 11.5A/20A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3970 pF @ 15 V

на замовлення 2190 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	142.64 грн
10+	87.55 грн
100+	59.09 грн
500+	44 грн
1000+	40.31 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDMC6679AZ

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; 41W; WDFN8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -20A
On-state resistance: 15mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 41W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±25V
Mounting: SMD
Case: WDFN8
кількість в упаковці: 3000 шт

товар відсутній

FDMC6679AZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 11.5A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

136+	90.5 грн
138+	89.59 грн
165+	74.73 грн
250+	70.69 грн
500+	56.33 грн
1000+	42.89 грн
3000+	41.89 грн

Мінімальне замовлення: 136

FDMC6679AZ

на замовлення 13480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	117.85 грн
10+	90.22 грн
100+	65.92 грн
500+	51.85 грн
1000+	36.71 грн
5000+	35.11 грн

Мінімальне замовлення: 7

FDMC6679AZ

Description: MOSFET P-CH 30V 11.5A/20A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3970 pF @ 15 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDMC6679AZ

товар відсутній

FDMC6679AZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 11.5A 8-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMC6679AZ

MOSFETs -30V P-Channel Power Trench

на замовлення 8494 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	106.51 грн
10+	86.65 грн
100+	58.54 грн
500+	49.56 грн
1000+	40.43 грн
3000+	38.04 грн
6000+	36.23 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDMC6679AZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 11.5A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	40.66 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMC6680AZ

Description: ONSEMI - FDMC6680AZ - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1686+	23.57 грн

Мінімальне замовлення: 1686

FDMC6680AZ

Description: MOSFET P-CH
Packaging: Bulk

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1402+	15.2 грн

Мінімальне замовлення: 1402

FDMC6683

Description: 14A, 20V, 0.0084OHM, P-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7835 pF @ 10 V

товар відсутній

FDMC6683

MOSFET

товар відсутній

FDMC6683

P-Channel PowerTrench MOSFET -20 V, -18 A, 8.3 m Ohm

товар відсутній

FDMC6683PZ

товар відсутній

FDMC6683PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 40A 8MLP

товар відсутній

FDMC6683PZ

Description: 14A, 20V, 0.0084OHM, P-CHANNEL ,

товар відсутній

FDMC6683_P

onsemi

товар відсутній

FDMC6686P

Description: MOSFET P-CH 20V 18A/56A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 18A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200 pF @ 10 V

товар відсутній

FDMC6686P

Trans MOSFET P-CH 20V 18A 8-Pin Power 33 EP T/R

товар відсутній

FDMC6686P

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -56A; Idm: -377A; 40W; Power33
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -56A
Pulsed drain current: -377A
Power dissipation: 40W
Case: Power33
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 122nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

FDMC6686P

Description: ONSEMI - FDMC6686P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 56 A, 0.0033 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 40W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 750mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: Power 33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 315 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	156.05 грн
10+	125.17 грн
100+	108.91 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDMC6686P

MOSFET PT8P 20/8V ER PQFN33

на замовлення 10729 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDMC6686P

Description: MOSFET P-CH 20V 18A/56A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 18A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200 pF @ 10 V

на замовлення 858 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	184.96 грн
10+	115.02 грн
100+	78.88 грн
500+	59.48 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDMC6686P

на замовлення 315 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	108.91 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDMC6686P

товар відсутній

FDMC6688P

Description: MOSFET P-CH 20V 14A/56A 8PQFN

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDMC6688P

на замовлення 90 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDMC6688P

Trans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin Power 33 EP T/R

товар відсутній

FDMC6688P

MOSFET PT8P 20_8V FROM VANGUARD

на замовлення 243 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDMC6688P

Description: MOSFET P-CH 20V 14A/56A 8PQFN

на замовлення 14994 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDMC6696P

Description: ONSEMI - FDMC6696P - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 2312 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1602+	24.38 грн

Мінімальне замовлення: 1602

FDMC6890NZ

MOSFET 20V Dual N-Ch PowerTrench MOSFET

на замовлення 2819 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	77.85 грн
10+	68.57 грн
100+	46.52 грн
500+	38.4 грн
1000+	30.36 грн
3000+	28.26 грн
9000+	27.82 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDMC6890NZ

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.92W, 1.78W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: MicroFET 3x3mm
Part Status: Active

на замовлення 14330 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

766+	28.59 грн

Мінімальне замовлення: 766

FDMC7200

MOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 3830 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDMC7200

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A/8A 8POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW, 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.5mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

товар відсутній

FDMC7200

Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW, 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.5mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

товар відсутній

FDMC7200

Trans MOSFET N-CH 30V 6A/8A 8-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMC7200

MOSFETs 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	52.66 грн
10+	44.83 грн
100+	27.03 грн
500+	22.61 грн
1000+	19.2 грн
3000+	16.88 грн
6000+	16.16 грн

Мінімальне замовлення: 7

FDMC7200

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A/8A 8POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW, 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.5mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

на замовлення 2705 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	54.86 грн
10+	46.57 грн
100+	35.72 грн
500+	26.5 грн
1000+	21.2 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDMC7200

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8A; Idm: 40A; 1.9/2.2W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 1.9/2.2W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35.5/18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10/22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

FDMC7200

Trans MOSFET N-CH 30V 6A/8A 8-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMC7200

товар відсутній

FDMC7200S

MOSFET DUAL N-CH. ER TRENCH MO

на замовлення 2852 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	72.36 грн
10+	61.99 грн
100+	37.31 грн
500+	31.23 грн
1000+	26.52 грн
3000+	23.62 грн
6000+	22.32 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDMC7200S

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 18/13A; Idm: 40÷27A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 18/13A
Pulsed drain current: 40...27A
Power dissipation: 1.9/2.9W
Case: Power33
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30/13.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10/22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

FDMC7200S

Description: MOSFET 2N-CH 30V 7A/13A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW, 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A, 13A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

на замовлення 2435 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	66.62 грн
10+	55.77 грн
100+	38.58 грн
500+	30.25 грн
1000+	25.75 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDMC7200S

Trans MOSFET N-CH 30V 7A/13A 8-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMC7200S

товар відсутній

FDMC7200S

Description: MOSFET 2N-CH 30V 7A/13A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW, 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A, 13A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

товар відсутній

FDMC7200S

Trans MOSFET N-CH 30V 7A/13A 8-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMC7208S

Description: MOSFET 2N-CH 30V 12A/16A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	54.43 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMC7208S

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 22/26A; 1.9W; Power33
Case: Power33
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 12.4/7.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 1.9W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18/36nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20/±12V
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 22/26A
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDMC7208S

Trans MOSFET N-CH 30V 12A/16A 8-Pin Power 33 T/R

товар відсутній

FDMC7208S

Description: ONSEMI - FDMC7208S - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 26 A, 26 A, 0.0047 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 26A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0047ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.9W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0047ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.9W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 2895 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	99.16 грн
500+	62.79 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDMC7208S

Description: MOSFET 2N-CH 30V 12A/16A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

на замовлення 4890 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	120.7 грн
10+	96.53 грн
100+	76.85 грн
500+	61.02 грн
1000+	51.78 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDMC7208S

MOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 11120 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	135.25 грн
10+	108.32 грн
100+	76.8 грн
250+	70.79 грн
500+	64.05 грн
1000+	54.77 грн
3000+	50.43 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDMC7208S

товар відсутній

FDMC7208S

на замовлення 2895 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	156.05 грн
10+	125.98 грн
100+	99.16 грн
500+	62.79 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDMC7570S

Trans MOSFET N-CH Si 25V 27A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 3040 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

101+	121.99 грн
103+	120.11 грн
104+	118.3 грн
106+	112.26 грн
250+	102.26 грн
500+	96.63 грн
1000+	95.01 грн
3000+	93.4 грн

Мінімальне замовлення: 101

FDMC7570S

Trans MOSFET N-CH Si 25V 27A 8-Pin Power 33 T/R

товар відсутній

FDMC7570S
Код товару: 167040

Транзистори > Польові N-канальні

товар відсутній

FDMC7570S

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4410 pF @ 13 V

на замовлення 4336 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

192+	123.05 грн

Мінімальне замовлення: 192

FDMC7570S

Trans MOSFET N-CH Si 25V 27A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 3040 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	113.28 грн
10+	111.53 грн
25+	109.85 грн
100+	104.24 грн
250+	94.96 грн
500+	89.73 грн
1000+	88.23 грн
3000+	86.73 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDMC7570S

Description: MOSFET N-CH 25V 27A/40A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4410 pF @ 13 V

на замовлення 848 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	228.07 грн
10+	197.59 грн
100+	161.87 грн
500+	129.31 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDMC7570S

MOSFETs 25V 40A 2mOhm N-CH PowerTrench SyncFET

на замовлення 4127 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	163.14 грн
10+	144.15 грн
25+	124.62 грн
100+	110.85 грн
250+	110.13 грн
500+	102.16 грн
1000+	92.02 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDMC7570S

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; Idm: 120A; 59W; PQFN8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 68nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 120A
Case: PQFN8
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 40A
On-state resistance: 2.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 59W

товар відсутній

FDMC7570S

Trans MOSFET N-CH Si 25V 27A 8-Pin Power 33 T/R

товар відсутній

FDMC7570S

товар відсутній

FDMC7570S

Description: MOSFET N-CH 25V 27A/40A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4410 pF @ 13 V

товар відсутній

FDMC7572S

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.15mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2705 pF @ 13 V

на замовлення 2608 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

265+	88.56 грн

Мінімальне замовлення: 265

FDMC7572S

MOSFET 25V 40A 3.2mOhm N-Ch PowerTrench SyncFET

на замовлення 1674 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDMC7582

Description: MOSFET N-CH 25V 16.7A 8-PQFN

на замовлення 300015000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDMC7582

Description: MOSFET N-CH 25V 16.7A 8-PQFN

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDMC7582

MOSFET PT5 100V/20V NCH POWERTRENCH MOSFET

товар відсутній

FDMC7582

Description: MOSFET N-CH 25V 16.7A 8-PQFN

на замовлення 300015000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDMC7660

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 41W; PQFN8
Case: PQFN8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 86nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
On-state resistance: 3.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 41W

на замовлення 2154 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	108.1 грн
10+	82.26 грн
13+	70.19 грн
35+	66.42 грн
100+	64.15 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDMC7660

Description: ONSEMI - FDMC7660 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 0.0018 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

на замовлення 3584 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	110.54 грн
10+	91.84 грн
100+	72.82 грн
500+	57.06 грн
1000+	44.66 грн

Мінімальне замовлення: 8

FDMC7660

MOSFET 30V N-Channel PowerTrench

на замовлення 17422 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	126.79 грн
10+	98.32 грн
100+	71.44 грн
250+	66.29 грн
500+	60.14 грн
1000+	51.51 грн
3000+	47.46 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDMC7660

на замовлення 2154 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

3+	129.72 грн
10+	102.51 грн
13+	84.23 грн
35+	79.7 грн
100+	76.98 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDMC7660

Description: MOSFET N-CH 30V 20A/40A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4830 pF @ 15 V

товар відсутній

FDMC7660

Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin Power 33 T/R

товар відсутній

FDMC7660

Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin Power 33 T/R

товар відсутній

FDMC7660

на замовлення 3584 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	72.82 грн
500+	57.06 грн
1000+	44.66 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDMC7660

Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin Power 33 T/R

товар відсутній

FDMC7660

Description: MOSFET N-CH 30V 20A/40A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4830 pF @ 15 V

на замовлення 2182 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	116 грн
10+	93.06 грн
100+	74.05 грн
500+	58.8 грн
1000+	49.89 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDMC7660DC

Description: MOSFET N-CH 30V 30A/40A DLCOOL33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Dual Cool ™ 33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5170 pF @ 15 V

на замовлення 6214 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	126.97 грн
10+	101.43 грн
100+	80.72 грн
500+	64.1 грн
1000+	54.39 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDMC7660DC

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 T/R

товар відсутній

FDMC7660DC

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; Idm: 200A; 78W; PQFN8
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
On-state resistance: 3.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 78W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 76nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 200A
Mounting: SMD
Case: PQFN8
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDMC7660DC

Description: MOSFET N-CH 30V 30A/40A DLCOOL33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Dual Cool ™ 33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5170 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	57.17 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMC7660DC

товар відсутній

FDMC7660DC

MOSFET 30V N-Chan Dual Cool PowerTrench MOSFET

на замовлення 14109 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	136.09 грн
10+	104.98 грн
100+	77.53 грн
250+	71.44 грн
500+	64.48 грн
1000+	55.28 грн
3000+	52.46 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDMC7660DC

на замовлення 2980 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDMC7660S

Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin Power 33 T/R

товар відсутній

FDMC7660S

на замовлення 1080 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDMC7660S

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; Idm: 200A; 41W; Power33
Kind of package: reel; tape
Technology: PowerTrench®
Power dissipation: 41W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 66nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 200A
Mounting: SMD
Case: Power33
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
On-state resistance: 3.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET

товар відсутній

FDMC7660S

Description: ONSEMI - FDMC7660S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 9685 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

590+	67.46 грн

Мінімальне замовлення: 590

FDMC7660S

Description: MOSFET N-CH 30V 20A/40A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4325 pF @ 15 V

на замовлення 2950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	101.89 грн
10+	80.53 грн
100+	62.6 грн
500+	49.79 грн
1000+	40.56 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDMC7660S

MOSFET 30V N-Chan SyncFET PowerTrench

на замовлення 6348 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	110.73 грн
10+	89.99 грн
100+	60.5 грн
500+	48.11 грн
1000+	41.59 грн
3000+	37.89 грн
6000+	37.1 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDMC7660S

Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin Power 33 T/R

товар відсутній

FDMC7660S

товар відсутній

FDMC7660S

Description: MOSFET N-CH 30V 20A/40A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4325 pF @ 15 V

товар відсутній

FDMC7660S

Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin Power 33 T/R

товар відсутній

FDMC7664

Trans MOSFET N-CH 30V 18.8A 8-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMC7664

Description: MOSFET N-CH 30V 18.8A/24A 8MLP

на замовлення 826 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDMC7664

Description: MOSFET N-CH 30V 18.8A/24A 8MLP

товар відсутній

FDMC7664

MOSFET N-Chan 30/20V PowerTrench

на замовлення 2804 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDMC7672

Description: MOSFET N-CH 30V 16.9A/20A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.9A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 16.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3890 pF @ 15 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	31.03 грн
6000+	28.46 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMC7672

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; Idm: 50A; 33W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 33W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 57nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDMC7672

Trans MOSFET N-CH 30V 16.9A 8-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMC7672

MOSFET N-Chan 30/20V PowerTrench

на замовлення 4976 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	61.28 грн
10+	54.16 грн
100+	41.15 грн
500+	34.99 грн
1000+	30.94 грн
3000+	29.27 грн
6000+	27.82 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDMC7672

Description: MOSFET N-CH 30V 16.9A/20A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.9A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 16.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3890 pF @ 15 V

на замовлення 11181 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	75.24 грн
10+	59.09 грн
100+	45.97 грн
500+	36.57 грн
1000+	29.79 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDMC7672

Trans MOSFET N-CH 30V 16.9A 8-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMC7672

товар відсутній

FDMC7672S

Trans MOSFET N-CH 30V 14.8A 8-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMC7672S

MOSFET 30V/20A N-Chan PowerTrench SyncFET

на замовлення 688 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	85.37 грн
10+	74.41 грн
100+	50.5 грн
500+	41.66 грн
1000+	33.55 грн
3000+	31.23 грн
6000+	29.71 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDMC7672S

Description: MOSFET N-CH 30V 14.8A/18A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 14.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2520 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	31.8 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMC7672S

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 18A; Idm: 45A; 36W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 36W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

FDMC7672S

товар відсутній

FDMC7672S

QFN

на замовлення 2044 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDMC7672S

Description: MOSFET N-CH 30V 14.8A/18A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 14.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2520 pF @ 15 V

на замовлення 3690 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	76.81 грн
10+	60.53 грн
100+	47.11 грн
500+	37.47 грн
1000+	30.53 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDMC7672S-F126

Description: MOSFET N-CH 30V 14.8A 8MLP

товар відсутній

FDMC7672S-F126

Description: MOSFET N-CH 30V 14.8A 8MLP

товар відсутній

FDMC7672S-F126

TRANS MOSFET N-CH 30V 14.8A 8-PIN MLP T/R

товар відсутній

FDMC7672S-F126

MOSFET 30V N-CHAN 14.8A

товар відсутній

FDMC7672S_F126

Description: MOSFET N-CH 30V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDMC7672S_F126

Description: MOSFET N-CH 30V

товар відсутній

FDMC7672S_F126

Description: MOSFET N-CH 30V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDMC7678

Description: MOSFET N-CH 30V 17.5A/19.5A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 19.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 15 V

товар відсутній

FDMC7678

Trans MOSFET N-CH Si 30V 17.5A 8-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMC7678

MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET

товар відсутній

FDMC7678

Description: MOSFET N-CH 30V 17.5A/19.5A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 19.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 15 V

товар відсутній

FDMC7678-L701

Description: PT8 N 30/20V MLP3.3X3.3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 19.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 15 V

на замовлення 2790 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	61.13 грн
10+	48.23 грн
100+	37.5 грн
500+	29.83 грн
1000+	24.3 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDMC7678-L701

Trans MOSFET N-CH Si 30V 17.5A 8-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMC7678-L701

Description: PT8 N 30/20V MLP3.3X3.3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 19.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 15 V

товар відсутній

FDMC7678-L701

MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET

товар відсутній

FDMC7680

Trans MOSFET N-CH 30V 14.8A 8-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMC7680

Description: MOSFET N-CH 30V 14.8A 8MLP

товар відсутній

FDMC7680

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 18A; Idm: 45A; 31W; WDFN8
Mounting: SMD
Drain current: 18A
On-state resistance: 9.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 31W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 42nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 45A
Case: WDFN8
Drain-source voltage: 30V

товар відсутній

FDMC7680

товар відсутній

FDMC7680

Description: MOSFET N-CH 30V 14.8A 8MLP

на замовлення 11422 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

468+	46.79 грн

Мінімальне замовлення: 468

FDMC7680

Sensor Cables / Actuator Cables SAIL-VSB-M12G-5.0U

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	2689.71 грн
10+	2296.34 грн
25+	1927.26 грн
50+	1857.7 грн

FDMC7680

Description: MOSFET N-CH 30V 14.8A 8MLP

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	51.55 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMC7692

MOSFET N-Chan, 30/20V PowerTrench

на замовлення 59 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDMC7692

Trans MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-Pin Power 33 EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	48.65 грн
14+	44.07 грн
25+	43.63 грн
100+	35.91 грн
250+	33.09 грн
500+	27.78 грн
1000+	24.93 грн
3000+	22.95 грн

Мінімальне замовлення: 13

FDMC7692

Description: MOSFET N-CH 30V 13.3A/16A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	65.05 грн
10+	51.55 грн
100+	40.06 грн
500+	31.87 грн
1000+	25.96 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDMC7692

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; Idm: 40A; 29W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 29W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 2962 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

4+	84.85 грн
5+	57.56 грн
24+	45.28 грн
64+	43.47 грн
500+	41.93 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDMC7692

Trans MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-Pin Power 33 EP T/R

товар відсутній

FDMC7692

Description: MOSFET N-CH 30V 13.3A/16A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	27.04 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMC7692

на замовлення 2962 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	70.71 грн
9+	46.19 грн
24+	37.74 грн
64+	36.23 грн
500+	34.94 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDMC7692

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDMC7692

MOSFETs N-Chan, 30/20V PowerTrench

на замовлення 37139 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	71.51 грн
10+	57.91 грн
100+	39.2 грн
500+	33.18 грн
1000+	27.03 грн
3000+	25.5 грн
6000+	24.56 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDMC7692
Код товару: 116194

Транзистори > Польові N-канальні

товар відсутній

FDMC7692

Trans MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-Pin Power 33 EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

259+	47.46 грн
262+	46.99 грн
307+	40.1 грн
308+	38.48 грн
500+	31.16 грн
1000+	26.85 грн
3000+	24.72 грн

Мінімальне замовлення: 259

FDMC7692

Trans MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-Pin Power 33 EP T/R

товар відсутній

FDMC7692

Description: ONSEMI - FDMC7692 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0072 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 8183 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	62.91 грн
17+	49.25 грн
100+	35.19 грн

Мінімальне замовлення: 13

FDMC7692S

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 18A; Idm: 45A; 27W; MLP8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 27W
Case: MLP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

FDMC7692S

MOSFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET

на замовлення 76828 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	47.93 грн
10+	40.49 грн
100+	26.3 грн
500+	20.65 грн
1000+	16.01 грн
3000+	12.39 грн
6000+	12.03 грн

Мінімальне замовлення: 8

FDMC7692S

Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMC7692S

Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A/18A 8MLP

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	57.21 грн
10+	47.02 грн
100+	35.11 грн
500+	25.89 грн
1000+	20 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDMC7692S

Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMC7692S

товар відсутній

FDMC7692S

Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A/18A 8MLP

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	20.18 грн
6000+	18.18 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMC7692S

QFN

на замовлення 2766 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDMC7692S-F126

Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A/18A 8MLP

товар відсутній

FDMC7692S-F126

Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A/18A 8MLP

товар відсутній

FDMC7692S-F126

MOSFET 30V N-CHAN 12.5A

товар відсутній

FDMC7692S-F127

Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A/18A 8MLP

товар відсутній

FDMC7692S-F127

Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A/18A 8MLP

товар відсутній

FDMC7696

Trans MOSFET N-CH Si 30V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMC7696

QFN

на замовлення 2395 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDMC7696

Description: ONSEMI - FDMC7696 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 0.0085 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 8117 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	42.59 грн
500+	33.59 грн
1000+	25.29 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDMC7696

Description: MOSFET N-CH 30V 12A/20A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	29.07 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMC7696

MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 6117 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	77.01 грн
10+	60.82 грн
100+	42.17 грн
500+	35.79 грн
1000+	29.13 грн
3000+	25.79 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDMC7696

Description: ONSEMI - FDMC7696 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 0.0085 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 7324 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	86.97 грн
13+	67.62 грн
100+	48.52 грн
500+	38.19 грн
1000+	29.47 грн
5000+	29.4 грн

Мінімальне замовлення: 10

FDMC7696

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; Idm: 50A; 25W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 25W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDMC7696

товар відсутній

FDMC7696

Description: MOSFET N-CH 30V 12A/20A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 15 V

на замовлення 4303 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	69.75 грн
10+	55.4 грн
100+	43.06 грн
500+	34.26 грн
1000+	27.91 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDMC7696

Trans MOSFET N-CH Si 30V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMC7696_F065

MOSFET Single PT7 N in MLP3.3x3.3 Combo

на замовлення 701 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDMC7696_F065

Description: MOSFET N-CH 30V PWR33

на замовлення 3656 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDMC7696_F065

Description: MOSFET N-CH 30V PWR33

товар відсутній

FDMC7696_F065

Description: MOSFET N-CH 30V PWR33

на замовлення 3656 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDMC8010

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R

на замовлення 904 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	107.44 грн
10+	100.54 грн
25+	98.24 грн
100+	85.22 грн
250+	78.49 грн
500+	62.21 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDMC8010

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R

товар відсутній

FDMC8010

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 75A; Idm: 120A; 54W; Power33
Power dissipation: 54W
Case: Power33
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 75A
On-state resistance: 2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 94nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 120A
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDMC8010

Description: ONSEMI - FDMC8010 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 75 A, 900 µohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm

на замовлення 5830 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	99.16 грн
500+	66.34 грн
3000+	58.24 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDMC8010

Description: MOSFET N-CH 30V 30A/75A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 15 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	73.04 грн
6000+	67.69 грн
9000+	65.45 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMC8010

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R

товар відсутній

FDMC8010

товар відсутній

FDMC8010

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R

товар відсутній

FDMC8010

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R

товар відсутній

FDMC8010

MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 9369 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	151.31 грн
10+	131.65 грн
100+	94.19 грн
250+	93.46 грн
500+	79.7 грн
1000+	70.06 грн
3000+	67.31 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDMC8010

на замовлення 2969 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	164.99 грн
10+	130.86 грн
100+	105.66 грн
500+	83.02 грн
1000+	67.65 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDMC8010

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R

товар відсутній

FDMC8010

Description: MOSFET N-CH 30V 30A/75A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 15 V

на замовлення 11890 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	162.24 грн
10+	129.59 грн
100+	103.13 грн
500+	81.89 грн
1000+	69.48 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDMC8010

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R

на замовлення 904 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

107+	115.71 грн
114+	108.28 грн
117+	105.79 грн
130+	91.78 грн
250+	84.53 грн
500+	67 грн

Мінімальне замовлення: 107

FDMC8010A

Description: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk
Part Status: Active

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

249+	88.43 грн

Мінімальне замовлення: 249

FDMC8010A

Description: ONSEMI - FDMC8010A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	95.91 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMC8010DC

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 99A; Idm: 788A; 50W; PQFN8
Power dissipation: 50W
Case: PQFN8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 99A
On-state resistance: 1.89mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 94nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 788A

товар відсутній

FDMC8010DC

Description: MOSFET N-CH 30V 37A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.28mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7080 pF @ 15 V

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	34.52 грн
6000+	31.69 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMC8010DC

MOSFET TV Monitor/POE/ Network/Telcom

на замовлення 10099 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	98.05 грн
10+	79.07 грн
100+	53.4 грн
500+	45.28 грн
1000+	35.43 грн
3000+	34.71 грн
6000+	33.11 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDMC8010DC

Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin PQFN EP T/R

товар відсутній

FDMC8010DC

Description: MOSFET N-CH 30V 37A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.28mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7080 pF @ 15 V

на замовлення 28279 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	126.18 грн
10+	77.43 грн
100+	52.08 грн
500+	38.66 грн
1000+	35.38 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDMC8010DC

Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin PQFN EP T/R

товар відсутній

FDMC8010DC

товар відсутній

FDMC8010ET30

FDMC8010ET30 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R - Arrow.com

товар відсутній

FDMC8010ET30

Description: MOSFET N-CH 30V 30A/174A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 15 V

товар відсутній

FDMC8010ET30

Trans MOSFET N-CH 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R

товар відсутній

FDMC8010ET30

Description: ONSEMI - FDMC8010ET30 - MOSFET, N-CH, 30V, 174A, 65W, POWER 33
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 43049 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	126.79 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMC8010ET30

FDMC8010ET30 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R - Arrow.com

на замовлення 5227 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	62.35 грн
25+	61.39 грн
100+	58.27 грн
250+	53.09 грн
500+	50.15 грн
1000+	49.32 грн
3000+	48.5 грн

Мінімальне замовлення: 10

FDMC8010ET30

MOSFET FET 30V 1.3 MOHM PQFN33

товар відсутній

FDMC8010ET30

Description: MOSFET N-CH 30V 30A/174A POWER33
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 15 V

на замовлення 39000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

249+	85.18 грн

Мінімальне замовлення: 249

FDMC8015L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 7A 8-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMC8015L

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 18A; Idm: 30A; 24W; WDFN8
Power dissipation: 24W
Case: WDFN8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 18A
On-state resistance: 39mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 30A
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDMC8015L

Description: MOSFET N-CH 40V 7A/18A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 20 V

на замовлення 3765 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	73.67 грн
10+	58.11 грн
100+	45.23 грн
500+	35.98 грн
1000+	29.31 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDMC8015L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 7A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 2858 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

226+	54.47 грн
229+	53.7 грн
276+	44.66 грн
278+	42.63 грн
500+	35.65 грн
1000+	27.65 грн

Мінімальне замовлення: 226

FDMC8015L

на замовлення 3080 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDMC8015L

MOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 4502 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	76.25 грн
10+	62.41 грн
100+	42.6 грн
500+	38.04 грн
1000+	30.94 грн
3000+	28.47 грн
6000+	27.17 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDMC8015L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 7A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 2858 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	57.44 грн
13+	50.58 грн
25+	49.87 грн
100+	39.99 грн
250+	36.65 грн
500+	31.78 грн
1000+	25.68 грн

Мінімальне замовлення: 11

FDMC8015L

Description: MOSFET N-CH 40V 7A/18A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 20 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	30.53 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMC8015L

товар відсутній

FDMC8015L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 7A 8-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMC8015L-L701

MOSFET FET 40V 26.0 MOHM MLP33

товар відсутній

FDMC8015L-L701

Description: FET 40V 26.0 MOHM MLP33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 20 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	110.51 грн
10+	88.08 грн
100+	70.08 грн
500+	55.65 грн
1000+	47.22 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDMC8015L-L701

Description: FET 40V 26.0 MOHM MLP33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 20 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	49.64 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMC8026S

MOSFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET

на замовлення 2130 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDMC8026S

Description: MOSFET N-CH 30V 19A/21A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3165 pF @ 15 V

товар відсутній

FDMC8030

Description: MOSFET 2N-CH 40V 12A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

на замовлення 8259 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	100.32 грн
10+	78.72 грн
100+	61.28 грн
500+	48.74 грн
1000+	39.71 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDMC8030

Trans MOSFET N-CH 40V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 2980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	79.6 грн
10+	69.48 грн
25+	67.75 грн
50+	63.84 грн
100+	50.25 грн
250+	46.4 грн
500+	43.11 грн
1000+	34.33 грн

Мінімальне замовлення: 8

FDMC8030

Description: ONSEMI - FDMC8030 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 12 A, 12 A, 0.008 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.008ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 14W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.008ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 14W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 45667 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	123.54 грн
10+	91.84 грн
100+	67.38 грн
500+	56.38 грн

Мінімальне замовлення: 7

FDMC8030

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 12A; 14W; WDFN8
Power dissipation: 14W
Case: WDFN8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 12A
On-state resistance: 16mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V

товар відсутній

FDMC8030

MOSFET FPS

на замовлення 32875 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	109.89 грн
10+	86.65 грн
100+	58.69 грн
500+	52.82 грн
1000+	42.96 грн
3000+	38.98 грн
6000+	37.1 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDMC8030

Description: MOSFET 2N-CH 40V 12A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	41.36 грн
6000+	37.93 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMC8030

Trans MOSFET N-CH 40V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMC8030

товар відсутній

FDMC8030

Trans MOSFET N-CH 40V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 2980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

165+	74.82 грн
169+	72.97 грн
173+	71.31 грн
201+	58.97 грн
250+	52.1 грн
500+	46.43 грн
1000+	36.97 грн

Мінімальне замовлення: 165

FDMC8030

на замовлення 45667 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	67.38 грн
500+	56.38 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDMC8032L

Trans MOSFET N-CH 40V 7A 8-Pin MLP EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	58.6 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMC8032L

Trans MOSFET N-CH 40V 7A 8-Pin MLP EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	31.28 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMC8032L

Trans MOSFET N-CH 40V 7A 8-Pin MLP EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	36.58 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMC8032L

Description: MOSFET 2N-CH 40V 7A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active

на замовлення 11970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	76.81 грн
10+	60.45 грн
100+	47 грн
500+	37.39 грн
1000+	30.46 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDMC8032L

Trans MOSFET N-CH 40V 7A 8-Pin MLP EP T/R

товар відсутній

FDMC8032L

Description: ONSEMI - FDMC8032L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 606000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

793+	49.58 грн

Мінімальне замовлення: 793

FDMC8032L

Trans MOSFET N-CH 40V 7A 8-Pin MLP EP T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	59.52 грн
6000+	54.39 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMC8032L

Trans MOSFET N-CH 40V 7A 8-Pin MLP EP T/R

на замовлення 1650 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

178+	69.25 грн
181+	67.92 грн
234+	52.58 грн
250+	50.2 грн
500+	39.12 грн
1000+	28.36 грн

Мінімальне замовлення: 178

FDMC8032L

Description: MOSFET 2N-CH 40V 7A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	31.73 грн
6000+	29.1 грн
9000+	27.76 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMC8032L

MOSFET FET 40V 20.0 MOHM MLP

на замовлення 8998 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDMC8032L

Trans MOSFET N-CH 40V 7A 8-Pin MLP EP T/R

на замовлення 1650 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	77.54 грн
10+	64.31 грн
25+	63.07 грн
100+	47.08 грн
250+	43.16 грн
500+	34.87 грн
1000+	26.33 грн

Мінімальне замовлення: 8

FDMC8097AC

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 150/-150V; 2.4/-0.9A; 1.9W
Power dissipation: 1.9W
Case: Power33
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 150/-150V
Drain current: 2.4/-0.9A
On-state resistance: 2171/306mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4/6.2nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V; ±25V
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDMC8097AC

MOSFETs 150V Dual N&P Chnl PowerTrench MOSFET

на замовлення 2679 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	320.36 грн
10+	264.96 грн
25+	217.36 грн
100+	186.93 грн
250+	176.06 грн
500+	165.92 грн
1000+	142.01 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDMC8097AC

Description: MOSFET N/P-CH 150V 2.4A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta), 900mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395pF @ 75V, 230pF @ 75V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active

на замовлення 76313 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	293.91 грн
10+	238.11 грн
100+	192.61 грн
500+	160.67 грн
1000+	137.57 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDMC8097AC

Trans MOSFET N/P-CH 150V 2.4A/0.9A 8-Pin Power 33 EP T/R

товар відсутній

FDMC8097AC

товар відсутній

FDMC8097AC

Description: MOSFET N/P-CH 150V 2.4A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta), 900mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395pF @ 75V, 230pF @ 75V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active

на замовлення 75000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	143.34 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMC8200

Trans MOSFET N-CH Si 30V 8A/12A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 3099 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

160+	77.28 грн
161+	76.5 грн
200+	61.45 грн
250+	58.69 грн
500+	36.73 грн
1000+	34.8 грн
3000+	32.1 грн

Мінімальне замовлення: 160

FDMC8200

MOSFET DUAL N-CHANNEL PowerTrench

на замовлення 286 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	92.98 грн
10+	82.49 грн
100+	56.01 грн
500+	46.37 грн
1000+	36.66 грн
3000+	34.13 грн
6000+	32.75 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDMC8200

Description: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk

на замовлення 69000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

583+	37.27 грн

Мінімальне замовлення: 583

FDMC8200

Trans MOSFET N-CH Si 30V 18A 8-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMC8200

Trans MOSFET N-CH Si 30V 8A/12A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 3099 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	80.88 грн
10+	71.76 грн
25+	71.04 грн
100+	55.02 грн
250+	50.46 грн
500+	32.74 грн
1000+	32.32 грн
3000+	29.81 грн

Мінімальне замовлення: 8

FDMC8200

FDMC8200 Multi channel transistors

товар відсутній

FDMC8200

Trans MOSFET N-CH Si 30V 8A/12A 8-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMC8200S

Trans MOSFET N-CH Si 30V 6A/8.5A 8-Pin Power 33 T/R

товар відсутній

FDMC8200S

FDMC8200S Multi channel transistors

товар відсутній

FDMC8200S

Trans MOSFET N-CH Si 30V 6A/8.5A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 2678 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	56.46 грн
12+	52.36 грн
25+	52.1 грн
100+	43.89 грн
250+	40.4 грн
500+	34.86 грн
1000+	30.93 грн

Мінімальне замовлення: 11

FDMC8200S

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A/8.5A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW, 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 8.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

товар відсутній

FDMC8200S

Trans MOSFET N-CH Si 30V 6A/8.5A 8-Pin Power 33 T/R

товар відсутній

FDMC8200S

FSC 1121+ MLP

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDMC8200S

Trans MOSFET N-CH Si 30V 6A/8.5A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 2678 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

218+	56.38 грн
220+	56.1 грн
251+	49.02 грн
253+	46.99 грн
500+	39.11 грн
1000+	33.31 грн

Мінімальне замовлення: 218

FDMC8200S

Trans MOSFET N-CH Si 30V 6A/8.5A 8-Pin Power 33 T/R

товар відсутній

FDMC8200S

MOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 6616 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	88.76 грн
10+	77.99 грн
100+	52.96 грн
500+	43.76 грн
1000+	38.04 грн
3000+	34.2 грн
6000+	33.62 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDMC8200S

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A/8.5A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW, 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 8.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

товар відсутній

FDMC8200S

Trans MOSFET N-CH Si 30V 6A/8.5A 8-Pin Power 33 T/R

товар відсутній

FDMC8200S

Trans MOSFET N-CH Si 30V 18A/13A 8-Pin Power 33 T/R

товар відсутній

FDMC8200S-P

Description: ONSEMI - FDMC8200S-P - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 187651 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	46.73 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMC8200S_F106

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A/8.5A 8MLP

товар відсутній

FDMC8296

Description: MOSFET N-CH 30V 12A POWER33

на замовлення 2158 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDMC8296

QFN8

на замовлення 400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDMC8296

MOSFET 30V N-CHANNEL POWER TRENCH

на замовлення 645 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDMC8296

Description: MOSFET N-CH 30V 12A POWER33

товар відсутній

FDMC8296

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDMC8296

Description: MOSFET N-CH 30V 12A POWER33

на замовлення 2158 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDMC8298

Description: ONSEMI - FDMC8298 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 159000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

712+	55.27 грн

Мінімальне замовлення: 712

FDMC8321L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin Power 33 T/R

товар відсутній

FDMC8321L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 2241 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

56+	222.17 грн
62+	199.78 грн
64+	194.03 грн
100+	178.25 грн
250+	148.41 грн
500+	138.52 грн
1000+	120.53 грн

Мінімальне замовлення: 56

FDMC8321L

Description: MOSFET N-CH 40V 22A/49A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 20 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	80.1 грн
6000+	74.24 грн
9000+	71.78 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMC8321L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 2241 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	206.3 грн
10+	185.51 грн
25+	180.17 грн
100+	165.52 грн
250+	137.81 грн
500+	128.62 грн
1000+	111.92 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDMC8321L

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 49A; Idm: 100A; 40W; Power33
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 49A
On-state resistance: 4.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 40W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 61nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 100A
Mounting: SMD
Case: Power33

товар відсутній

FDMC8321L

MOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 23999 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	193.57 грн
10+	159.14 грн
100+	110.13 грн
250+	108.68 грн
500+	92.74 грн
1000+	78.97 грн
3000+	74.63 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDMC8321L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin Power 33 T/R

товар відсутній

FDMC8321L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin Power 33 T/R

товар відсутній

FDMC8321L

товар відсутній

FDMC8321L

Description: MOSFET N-CH 40V 22A/49A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 20 V

на замовлення 15898 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	177.13 грн
10+	142.04 грн
100+	113.1 грн
500+	89.81 грн
1000+	76.2 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDMC8321L

MOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 153 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDMC8321LDC

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 108A; Idm: 320A; 56W; PQFN8
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 108A
On-state resistance: 4.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 56W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 60nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 320A
Mounting: SMD
Case: PQFN8

товар відсутній

FDMC8321LDC

MOSFET FET 40V 2.5 MOHM PQFN33

товар відсутній

FDMC8321LDC

Trans MOSFET N-CH 40V 108A 8-Pin PQFN EP T/R

товар відсутній

FDMC8321LDC

товар відсутній

FDMC8321LDC

Description: MOSFET N-CH 40V 27A DLCOOL33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Dual Cool ™ 33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3965 pF @ 20 V

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	73.21 грн
6000+	67.85 грн
9000+	65.6 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMC8321LDC

Trans MOSFET N-CH 40V 108A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 2103 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	113.53 грн
10+	103.91 грн
25+	102.87 грн
100+	88.55 грн
250+	80.12 грн
500+	71.43 грн
1000+	63.62 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDMC8321LDC

MOSFET FET 40V 2.5 MOHM PQFN33

на замовлення 79 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	178.36 грн
10+	146.65 грн
100+	101.43 грн
500+	85.49 грн
1000+	72.45 грн
3000+	68.76 грн
6000+	66.66 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDMC8321LDC

Trans MOSFET N-CH 40V 108A T/R

товар відсутній

FDMC8321LDC

Trans MOSFET N-CH 40V 108A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 2103 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

101+	122.26 грн
110+	111.91 грн
111+	110.78 грн
125+	95.36 грн
250+	86.29 грн
500+	76.92 грн
1000+	68.51 грн

Мінімальне замовлення: 101

FDMC8321LDC

Description: MOSFET N-CH 40V 27A DLCOOL33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Dual Cool ™ 33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3965 pF @ 20 V

на замовлення 23561 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	162.24 грн
10+	129.89 грн
100+	103.36 грн
500+	82.08 грн
1000+	69.64 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDMC8327L

Description: ONSEMI - FDMC8327L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 14 A, 0.0074 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 7586 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	101.6 грн
10+	84.53 грн
100+	61.77 грн
500+	53.36 грн
3000+	45.56 грн
6000+	41.87 грн

Мінімальне замовлення: 8

FDMC8327L

Description: MOSFET N-CH 40V 12A/14A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 20 V

на замовлення 11513 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	84.64 грн
10+	66.34 грн
100+	51.64 грн
500+	41.07 грн
1000+	33.46 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDMC8327L

MOSFET PT8 40V/20V LL NCh PowerTrench MOSFET

на замовлення 51913 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	89.6 грн
10+	72.74 грн
100+	49.27 грн
500+	37.53 грн
1000+	35.79 грн
3000+	30.36 грн
6000+	30.14 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDMC8327L

Description: ONSEMI - FDMC8327L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 15935 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

725+	54.46 грн

Мінімальне замовлення: 725

FDMC8327L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 1940 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	73.06 грн
10+	72.33 грн
25+	71.6 грн
100+	55.77 грн
250+	47.02 грн
500+	29.93 грн
1000+	28.81 грн

Мінімальне замовлення: 9

FDMC8327L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	34.15 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMC8327L

Description: MOSFET N-CH 40V 12A/14A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 20 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	34.85 грн
6000+	31.96 грн
9000+	30.49 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMC8327L

на замовлення 7586 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	61.77 грн
500+	53.36 грн
3000+	45.56 грн
6000+	41.87 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDMC8327L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 1940 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

158+	77.89 грн
160+	77.11 грн
198+	62.28 грн
250+	54.69 грн
500+	33.58 грн
1000+	31.02 грн

Мінімальне замовлення: 158

FDMC8327L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMC8327L

FDMC8327L SMD N channel transistors

товар відсутній

FDMC8360L

Description: MOSFET N-CH 40V 27A/80A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5795 pF @ 20 V

на замовлення 5536 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	150.48 грн
10+	120.3 грн
100+	95.72 грн
500+	76.01 грн
1000+	64.5 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDMC8360L

FDMC8360L SMD N channel transistors

товар відсутній

FDMC8360L

Description: MOSFET N-CH 40V 27A/80A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5795 pF @ 20 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	67.8 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMC8360L

MOSFET 40V N Chan Shielded Gate Power Trench

на замовлення 12210 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	180.05 грн
10+	152.48 грн
100+	105.78 грн
250+	92.02 грн
500+	78.25 грн
1000+	65.86 грн
3000+	62.45 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDMC8360L

Trans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin Power QFN EP T/R

товар відсутній

FDMC8360LET40

FDMC8360LET40 SMD N channel transistors

товар відсутній

FDMC8360LET40

MOSFETs PT8 Nch 40/20V Power Trench MOSFET

на замовлення 75 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	118.34 грн
10+	115.82 грн
100+	81.87 грн
250+	79.7 грн
500+	70.06 грн
1000+	61.37 грн
3000+	57.82 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDMC8360LET40

Trans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin PQFN EP T/R

товар відсутній

FDMC8360LET40

Description: MOSFET N-CH 40V 27A/141A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 141A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 20 V

на замовлення 46685 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	190.45 грн
10+	118.94 грн
100+	81.88 грн
500+	61.92 грн
1000+	57.12 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDMC8360LET40

Description: MOSFET N-CH 40V 27A/141A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 141A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 20 V

на замовлення 45000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	58.12 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMC8462

Trans MOSFET N-CH Si 40V 14A 8-Pin Power 33 T/R

товар відсутній

FDMC8462

Trans MOSFET N-CH Si 40V 14A 8-Pin Power 33 T/R

товар відсутній

FDMC8462

Description: MOSFET N-CH 40V 14A/20A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 20 V

на замовлення 9334 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	166.94 грн
10+	133.43 грн
100+	106.24 грн
500+	84.36 грн
1000+	71.58 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDMC8462

Description: ONSEMI - FDMC8462 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 20 A, 0.0058 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2568 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	113.79 грн
500+	98.87 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDMC8462

Trans MOSFET N-CH Si 40V 14A 8-Pin Power 33 T/R

товар відсутній

FDMC8462

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 20A; 41W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 20A
Power dissipation: 41W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

FDMC8462

Description: MOSFET N-CH 40V 14A/20A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 20 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	75.25 грн
6000+	69.74 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMC8462

товар відсутній

FDMC8462

на замовлення 2568 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	198.32 грн
10+	145.49 грн
100+	113.79 грн
500+	98.87 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDMC8462

MOSFETs 40V N-Channel PowerTrench

на замовлення 7338 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	176.67 грн
10+	144.98 грн
100+	101.43 грн
250+	97.81 грн
500+	86.22 грн
1000+	73.9 грн
3000+	70.06 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDMC8554

MOSFETs 20V N-CH PowerTrench MOSFET

на замовлення 2990 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	145.39 грн
10+	104.15 грн
100+	62.16 грн
500+	49.56 грн
1000+	45.5 грн
3000+	41.23 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDMC8554

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 16.5A; Idm: 36A; 41W; Power33
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 62nC
Case: Power33
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 36A
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 41W
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 7.1mΩ
Drain current: 16.5A
Drain-source voltage: 20V

товар відсутній

FDMC8554

Trans MOSFET N-CH Si 20V 16.5A 8-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMC8554

Description: MOSFET N-CH 20V 16.5A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	46.4 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMC8554

FAIRCHID

на замовлення 6034 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDMC8554

MOSFET 20V N-CH PowerTrench MOSFET

на замовлення 2281 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDMC8554

Trans MOSFET N-CH Si 20V 16.5A 8-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMC8554

Trans MOSFET N-CH Si 20V 16.5A 8-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMC8554

Trans MOSFET N-CH Si 20V 16.5A 8-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMC8554