Продукція > ONSEMI > FDMC8010
FDMC8010

FDMC8010 onsemi

fdmc8010-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 30A/75A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+70.09 грн
6000+ 64.95 грн
9000+ 62.8 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMC8010 onsemi

Description: ONSEMI - FDMC8010 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 75 A, 900 µohm, Power 33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 54W, Bauform - Transistor: Power 33, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції FDMC8010 за ціною від 55.88 грн до 170.8 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDMC8010 FDMC8010 Виробник : ONSEMI 2572517.pdf Description: ONSEMI - FDMC8010 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 75 A, 900 µohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
на замовлення 5830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+95.15 грн
500+ 63.66 грн
3000+ 55.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDMC8010 FDMC8010 Виробник : ON Semiconductor fdmc8010-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R
на замовлення 904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+105.39 грн
10+ 98.62 грн
25+ 96.36 грн
100+ 83.59 грн
250+ 76.99 грн
500+ 61.02 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDMC8010 FDMC8010 Виробник : ON Semiconductor fdmc8010-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R
на замовлення 904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
107+113.49 грн
114+ 106.2 грн
117+ 103.77 грн
130+ 90.02 грн
250+ 82.91 грн
500+ 65.72 грн
Мінімальне замовлення: 107
FDMC8010 FDMC8010 Виробник : onsemi / Fairchild FDMC8010_D-2312330.pdf MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 9369 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+145.18 грн
10+ 126.32 грн
100+ 90.38 грн
250+ 89.68 грн
500+ 76.47 грн
1000+ 67.23 грн
3000+ 64.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDMC8010 FDMC8010 Виробник : onsemi fdmc8010-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 30A/75A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 15 V
на замовлення 11890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+155.67 грн
10+ 124.34 грн
100+ 98.95 грн
500+ 78.58 грн
1000+ 66.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDMC8010 FDMC8010 Виробник : ONSEMI 2572517.pdf Description: ONSEMI - FDMC8010 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 75 A, 900 µohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+170.8 грн
10+ 131.8 грн
100+ 106.07 грн
500+ 70.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDMC8010 FDMC8010 Виробник : ON Semiconductor fdmc8010-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R
товар відсутній
FDMC8010 FDMC8010 Виробник : ON Semiconductor fdmc8010-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R
товар відсутній
FDMC8010 FDMC8010 Виробник : ON Semiconductor fdmc8010-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R
товар відсутній
FDMC8010 FDMC8010 Виробник : ON Semiconductor fdmc8010-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R
товар відсутній
FDMC8010 FDMC8010 Виробник : ON Semiconductor fdmc8010-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R
товар відсутній
FDMC8010 Виробник : ONSEMI fdmc8010-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 75A; Idm: 120A; 54W; Power33
Power dissipation: 54W
Case: Power33
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 75A
On-state resistance: 2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 94nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 120A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDMC8010 Виробник : ONSEMI fdmc8010-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 75A; Idm: 120A; 54W; Power33
Power dissipation: 54W
Case: Power33
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 75A
On-state resistance: 2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 94nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 120A
товар відсутній