на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 22.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMA430NZ ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDMA430NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.0236 ohm, µFET, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 810mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 900mW, Bauform - Transistor: FET, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0236ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції FDMA430NZ за ціною від 19.95 грн до 75.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMA430NZ | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMA430NZ | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 5A 6MICROFET |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMA430NZ | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMA430NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.0236 ohm, µFET, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 810mV euEccn: NLR Verlustleistung: 900mW Bauform - Transistor: FET Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0236ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 29505 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMA430NZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMA430NZ | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 2.5V SINGLE NCH SPECIFIED POWER |
на замовлення 101341 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMA430NZ | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 5A 6MICROFET |
на замовлення 11980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMA430NZ | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMA430NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.0236 ohm, µFET, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 810mV euEccn: NLR Verlustleistung: 900mW Bauform - Transistor: FET Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0236ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 29505 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMA430NZ | Виробник : ON Semiconductor / Fairchild |
MOSFET 2.5V SINGLE NCH SPECIFIED POWER |
на замовлення 18773 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
FDMA430NZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin WDFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
FDMA430NZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin WDFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
FDMA430NZ | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 2.4W; MicroFET Mounting: SMD Power dissipation: 2.4W Gate charge: 11nC Polarisation: unipolar Technology: PowerTrench® Drain current: 5A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 30V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±12V Kind of package: reel; tape Case: MicroFET On-state resistance: 61mΩ кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
FDMA430NZ | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 2.4W; MicroFET Mounting: SMD Power dissipation: 2.4W Gate charge: 11nC Polarisation: unipolar Technology: PowerTrench® Drain current: 5A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 30V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±12V Kind of package: reel; tape Case: MicroFET On-state resistance: 61mΩ |
товар відсутній |