FDMC8015L onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 7A/18A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 20 V
Description: MOSFET N-CH 40V 7A/18A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 30.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMC8015L onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 7A/18A 8MLP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 24W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 20 V.
Інші пропозиції FDMC8015L за ціною від 25.43 грн до 75.52 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDMC8015L | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 7A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 2858 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDMC8015L | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 7A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 2858 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDMC8015L | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 40V 7A/18A 8MLP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 24W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 20 V |
на замовлення 3765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDMC8015L | Виробник : onsemi / Fairchild | MOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 4502 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDMC8015L |
на замовлення 3080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
FDMC8015L | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 7A 8-Pin WDFN EP T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FDMC8015L | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 7A 8-Pin WDFN EP T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FDMC8015L | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 18A; Idm: 30A; 24W; WDFN8 Power dissipation: 24W Case: WDFN8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 40V Drain current: 18A On-state resistance: 39mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 19nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 30A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FDMC8015L | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 18A; Idm: 30A; 24W; WDFN8 Power dissipation: 24W Case: WDFN8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 40V Drain current: 18A On-state resistance: 39mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 19nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 30A |
товар відсутній |