на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 30.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMA507PZ ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDMA507PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 7.8 A, 0.019 ohm, µFET, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.4W, Bauform - Transistor: FET, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції FDMA507PZ за ціною від 27.18 грн до 78.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMA507PZ | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET P-CH 20V 7.8A 6MICROFETPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 5V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2015 pF @ 10 V |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMA507PZ | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMA507PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 7.8 A, 0.019 ohm, µFET, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.4W Bauform - Transistor: FET Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1059 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMA507PZ | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 20V Single P Channel PowerTrench Mosfet |
на замовлення 4522 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMA507PZ | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 7.8A 6MICROFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 5V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2015 pF @ 10 V |
на замовлення 6130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMA507PZ | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMA507PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 7.8 A, 0.019 ohm, µFET, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.4W Bauform - Transistor: FET Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1059 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| FDMA507PZ | Виробник : ON Semiconductor / Fairchild |
MOSFET 20V Single P Channel PowerTrench Mosfet |
на замовлення 9506 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 +1 |
FDMA507PZ | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -7.8A; 2.4W; MicroFET Case: MicroFET Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain current: -7.8A On-state resistance: 35mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2.4W Polarisation: unipolar Gate charge: 42nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Drain-source voltage: -20V кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
+1 |
FDMA507PZ | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -7.8A; 2.4W; MicroFET Case: MicroFET Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain current: -7.8A On-state resistance: 35mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2.4W Polarisation: unipolar Gate charge: 42nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Drain-source voltage: -20V |
товар відсутній |