Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDMA86551L
FDMA86551L

FDMA86551L ON Semiconductor

3668007095322002fdma86551l.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 7.5A 6-Pin MLP EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+33.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMA86551L ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDMA86551L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7.5 A, 0.019 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.4W, Bauform - Transistor: MicroFET, Anzahl der Pins: 6Pins, Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції FDMA86551L за ціною від 29.85 грн до 98.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDMA86551L FDMA86551L Виробник : onsemi fdma86551l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 7.5A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 30 V
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+34.12 грн
6000+ 31.29 грн
9000+ 29.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDMA86551L FDMA86551L Виробник : ONSEMI 2572514.pdf Description: ONSEMI - FDMA86551L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7.5 A, 0.019 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+52.41 грн
500+ 37 грн
1500+ 34.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDMA86551L FDMA86551L Виробник : ONSEMI 2572514.pdf Description: ONSEMI - FDMA86551L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7.5 A, 0.019 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+70.76 грн
50+ 61.58 грн
100+ 52.41 грн
500+ 37 грн
1500+ 34.09 грн
Мінімальне замовлення: 12
FDMA86551L FDMA86551L Виробник : onsemi fdma86551l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 7.5A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 30 V
на замовлення 41265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+82.28 грн
10+ 65.03 грн
100+ 50.55 грн
500+ 40.21 грн
1000+ 32.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDMA86551L FDMA86551L Виробник : onsemi / Fairchild FDMA86551L_D-1807698.pdf MOSFET FET 60V 23.0 MOHM MLP22
на замовлення 63647 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+98.79 грн
10+ 87.48 грн
100+ 58.99 грн
500+ 48.73 грн
1000+ 38.89 грн
3000+ 35.81 грн
6000+ 33.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDMA86551L Виробник : ONSEMI fdma86551l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.5A; 2.4W; WDFN6
Kind of package: reel; tape
Case: WDFN6
Mounting: SMD
On-state resistance: 33mΩ
Drain current: 7.5A
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 2.4W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDMA86551L Виробник : ONSEMI fdma86551l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.5A; 2.4W; WDFN6
Kind of package: reel; tape
Case: WDFN6
Mounting: SMD
On-state resistance: 33mΩ
Drain current: 7.5A
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 2.4W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній