![FDMC7570S FDMC7570S](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/f8767845a4376c445a4752ea3072c0280fe3bb79/fdmc7570s-f065.jpg)
FDMC7570S ON Semiconductor
на замовлення 3040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 111.38 грн |
10+ | 109.66 грн |
25+ | 108.01 грн |
100+ | 102.5 грн |
250+ | 93.37 грн |
500+ | 88.22 грн |
1000+ | 86.75 грн |
3000+ | 85.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMC7570S ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 25V 27A/40A POWER33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 27A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 59W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Supplier Device Package: Power33, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4410 pF @ 13 V.
Інші пропозиції FDMC7570S за ціною від 91.83 грн до 219.38 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDMC7570S | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3040 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
FDMC7570S | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 4227 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
FDMC7570S | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 27A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 59W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: Power33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4410 pF @ 13 V |
на замовлення 848 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
FDMC7570S | Виробник : Fairchild Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 27A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 59W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: Power33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4410 pF @ 13 V |
на замовлення 4336 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
FDMC7570S Код товару: 167040 |
![]() ![]() |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||||
![]() |
FDMC7570S | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
![]() |
FDMC7570S | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
FDMC7570S | Виробник : ONSEMI |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; Idm: 120A; 59W; PQFN8 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 68nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 120A Case: PQFN8 Drain-source voltage: 25V Drain current: 40A On-state resistance: 2.9mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 59W кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
![]() |
FDMC7570S | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 27A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 59W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: Power33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4410 pF @ 13 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
FDMC7570S | Виробник : ONSEMI |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; Idm: 120A; 59W; PQFN8 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 68nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 120A Case: PQFN8 Drain-source voltage: 25V Drain current: 40A On-state resistance: 2.9mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 59W |
товар відсутній |