FDMB2307NZ onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 6MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Supplier Device Package: 6-MLP (2x3)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 27.26 грн |
| 6000+ | 24.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMB2307NZ onsemi
Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 9.7A; Idm: 40A; 2.2W; WDFN8, Type of transistor: N-MOSFET x2, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 20V, Drain current: 9.7A, Pulsed drain current: 40A, Power dissipation: 2.2W, Case: WDFN8, Gate-source voltage: ±12V, Mounting: SMD, Gate charge: 28nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Semiconductor structure: common drain, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції FDMB2307NZ за ціною від 22.72 грн до 75.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDMB2307NZ | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 6MLP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 800mW Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Supplier Device Package: 6-MLP (2x3) |
на замовлення 8975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDMB2307NZ | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 20V 2xCommon Drn Nch PowerTrench MOSFET |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDMB2307NZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 9.7A 6-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMB2307NZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 9.7A 6-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FDMB2307NZ | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 9.7A; Idm: 40A; 2.2W; WDFN8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 9.7A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 2.2W Case: WDFN8 Gate-source voltage: ±12V Mounting: SMD Gate charge: 28nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Semiconductor structure: common drain кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
|
|
FDMB2307NZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 9.7A 6-Pin WDFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| FDMB2307NZ | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 9.7A; Idm: 40A; 2.2W; WDFN8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 9.7A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 2.2W Case: WDFN8 Gate-source voltage: ±12V Mounting: SMD Gate charge: 28nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Semiconductor structure: common drain |
товар відсутній |