FDMA86108LZ ON Semiconductor
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 33.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMA86108LZ ON Semiconductor
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.2A; Idm: 6A; 2.4W; MicroFET, Mounting: SMD, Case: MicroFET, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Power dissipation: 2.4W, On-state resistance: 446mΩ, Polarisation: unipolar, Gate charge: 3nC, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 6A, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 2.2A, Type of transistor: N-MOSFET, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції FDMA86108LZ за ціною від 35.34 грн до 91.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMA86108LZ | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 100V 2.2A 6MICROFET |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDMA86108LZ | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 2.2A 6MICROFET |
на замовлення 11455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDMA86108LZ | Виробник : ON Semiconductor / Fairchild |
MOSFET FET 100V 243.0 MOHM MLP |
на замовлення 4247 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||
| FDMA86108LZ | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.2A; Idm: 6A; 2.4W; MicroFET Mounting: SMD Case: MicroFET Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Power dissipation: 2.4W On-state resistance: 446mΩ Polarisation: unipolar Gate charge: 3nC Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 6A Drain-source voltage: 100V Drain current: 2.2A Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
| FDMA86108LZ | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.2A; Idm: 6A; 2.4W; MicroFET Mounting: SMD Case: MicroFET Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Power dissipation: 2.4W On-state resistance: 446mΩ Polarisation: unipolar Gate charge: 3nC Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 6A Drain-source voltage: 100V Drain current: 2.2A Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |